【产品】导通电阻最低0.65Ω的N沟道功率MOSFET，大功率开关电源理想选择
P1R5B40HP2/P4B40HP2/P6B40HP2/P9B40HP2（下简称PXB40HP2系列） 是Shindengen推出的系列N沟道功率MOSFET。该系列MOSFET的最大漏源电压均为400V ，最大栅源电压为±30V ，其中在最大连续漏源电流性能上，P1R5B40HP2为1.5A、P4B40HP2为4A、P6B40HP2为6A、P9B40HP2为9A。用户可根据实际功率电路的电流大小选择合适的型号。
PXB40HP2系列拥有较大的功率容量。四个型号的最大耗散功率分别为35W、35W、54W、40W ，最大单脉冲雪崩能量分别高达15mJ、35mJ、45mJ、37mJ，更高的最大耗散功率和最大雪崩能量不仅扩展了管子的应用范围，还可以保障MOSFET在高功率场合下的可靠性和稳定性；此外，PXB40HP2系列的漏源二极管di/dt耐受能力达350A/us ，可承受相当大的瞬间电流，以上特性使得PXB40HP2系列非常适合对可靠性有一定要求的应用。
PXB40HP2系列还拥有不错的导通性能。以P1R5B40HP2为例，得益于较低的寄生电容，其开启延迟、上升时间、关断延迟和下降时间典型值分别为10ns、17ns、24ns和13ns ，开关作用迅速。PXB40HP2系列栅极电荷最低为3.9nC（P1R5B40HP2） ，静态导通电阻典型值最低为0.65Ω（P9B40HP2） 。在开关电源应用中，低MOS管导通电阻可以保持自身的低损耗和低发热，同时低栅极电荷和高开/关速度可以降低开关损耗，提高开关电源的效率，特别是在高开关频率下，这一优势将更加明显。
PXB40HP2系列均采用TO-252AA封装，体积仅为10×6.6×2.3mm3，表面贴片式封装不仅节约版图面积，而且也适合大批量生产。PXB40HP2系列体积小巧，耐压高并且拥有相当高的功率容量和较快的开关速度，是您设计中大功率开关电源的理想选择。
图：PXB40HP2系列产品示意图
PXB40HP2系列N沟道功率MOSFET的特点：
• 最大漏源电压：400V
• 最大栅源电压：±30V
• 最大连续漏源电流：1.5A（P1R5B40HP2）；4A（P4B40HP2）；6A（P6B40HP2）；9A（P9B40HP2）
• 最大漏源脉冲电流（脉宽10us，占空比1%）：6A（P1R5B40HP2）；16A（P4B40HP2）；24A（P6B40HP2）；36A（P9B40HP2）
• 最大沟道温度：150℃
• 最大耗散功率（起始Tch=25℃，Tch≤150℃）：35W（P1R5B40HP2、P4B40HP2）；54W（P6B40HP2）；40W（P9B40HP2）
• 最大重复雪崩电流：1.5A（P1R5B40HP2）；4A（P4B40HP2）；6A（P6B40HP2）；9A（P9B40HP2）
• 最大单脉冲雪崩能量（起始Tch=25℃，Tch≤150℃）：15mJ（P1R5B40HP2）；35mJ（P4B40HP2）；45mJ（P6B40HP2）；37mJ（P9B40HP2）
• 最大重复雪崩能量（起始Tch=25℃，Tch≤150℃）：1.5mJ（P1R5B40HP2）；3.5mJ（P4B40HP2）；4.5mJ（P6B40HP2）；3.7mJ（P9B40HP2）
• 漏源二极管di/dt耐受能力达350A/us
• 静态漏源导通电阻典型值：4.2Ω（P1R5B40HP2）；1.54Ω（P4B40HP2）；0.84Ω（P6B40HP2）；0.65Ω（P9B40HP2）
• 结壳间热阻典型值：3.55℃/W（P1R5B40HP2、P4B40HP2）；2.31℃/W（P6B40HP2）；3.12℃/W（P9B40HP2）
• 总栅极电荷典型值：3.9nC（P1R5B40HP2）；6.5nC（P4B40HP2）；10nC（P6B40HP2）；14.5nC（P9B40HP2）
• 采用TO-252AA封装，尺寸10×6.6×2.3mm3
PXB40HP2系列N沟道功率MOSFET的应用：
• 开关电源
• 驱动器
• 逆变器
技术顾问：两星镶月
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HQT45 Lv4. 资深工程师 2018-11-19怎么没看到工作频率 -
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titan Lv8. 研究员 2018-09-21学习了 -
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yingqiming Lv7. 资深专家 2018-07-12不错 -
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辛巴 Lv8. 研究员 2018-06-12学习 -
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用户18396822 Lv8 2018-04-04还行 -
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用户62676331 Lv4. 资深工程师 2018-01-03很不错 -
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gaogao Lv7. 资深专家 2017-12-18挺好的 -
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梅西 Lv6. 高级专家 2017-12-18不错
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