【产品】650V/20A的超级结功率MOSFET TPA/P65R170M

时间： 2020-04-08 来源：无锡紫光微

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超级结功率MOSFET是根据SJ原理设计的高压功率MOSFET的革命性技术。无锡紫光微推出的 TPA65R170M和TPP65R170M是650V超级结功率MOSFET，分别采用了TO-220F和TO-220封装。产品符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。

产品特点：

•极低品质因数 FOM RDS(on) x Qg

•100%雪崩测试

•符合RoHS标准

产品应用：

•开关模式电源(SMPS)

•不间断电源(UPS)

•功率因数校正(PFC)

器件的的封装和内部电路：

器件的工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，可以在严苛的温度环境下工作。漏源电压最大额定值为650V，栅源电压最大额定值为±30V，脉冲漏极电流最大额定值为60A，重复雪崩能量最大额定值为0.7mJ。连续漏极电流在25℃时最大额定值为20A，在100℃时最大额定值为12A。单脉冲雪崩能量最大额定值为484mJ，雪崩电流最大额定值为3.5A，具有较好的抗浪涌性。TO-220封装的最大耗散功率为151W，TO-220F为34W。脉冲二极管正向电流最大额定值为60A。

器件标记和封装信息：

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