【产品】650V/20A的超级结功率MOSFET TPA/P65R170M
超级结功率MOSFET是根据SJ原理设计的高压功率MOSFET的革命性技术。无锡紫光微推出的 TPA65R170M和TPP65R170M是650V超级结功率MOSFET，分别采用了TO-220F和TO-220封装。产品符合RoHS标准，可应用于开关模式电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。
产品特点：
•极低品质因数 FOM RDS(on) x Qg
•100%雪崩测试
•符合RoHS标准
产品应用：
•开关模式电源(SMPS)
•不间断电源(UPS)
•功率因数校正(PFC)
器件的的封装和内部电路：
器件的工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，可以在严苛的温度环境下工作。漏源电压最大额定值为650V，栅源电压最大额定值为±30V，脉冲漏极电流最大额定值为60A，重复雪崩能量最大额定值为0.7mJ。连续漏极电流在25℃时最大额定值为20A，在100℃时最大额定值为12A。单脉冲雪崩能量最大额定值为484mJ，雪崩电流最大额定值为3.5A，具有较好的抗浪涌性。TO-220封装的最大耗散功率为151W，TO-220F为34W。脉冲二极管正向电流最大额定值为60A。
器件标记和封装信息：
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产品型号
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品类
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Package
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Vth(V)min
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Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp
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Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
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TPW50R060C
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Super Junction MOSFET
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TO-247
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产品型号
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品类
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Product State
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封装形式
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Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ
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Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max
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BVdss（V） min
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BVdss（V） typ
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ID（A）
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Vth（V）min
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Vth（V）max
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应用建议
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TPW120R800A
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SJ-MOSFET
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M
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TO-247
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640
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800
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1200
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1320
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12
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2.5
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4
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现货市场
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