【技术】解析肖特基二极管沟槽工艺与平面工艺的区别
辰达行推出的平面肖特基二极管具有优异的高频特性和较低的正向开启电压，这些独特的性质使得其在太阳能电池，开关电源、汽车以及手机等多个领域都有着巨大的应用潜力。但是，在反向偏压下，镜像力导致的势垒降低效应，导致了平面肖特基二极管阻断能力差的缺点。TMBS结构的出现很好地解决这个问题，其主要有两个肖特基二极管结相结合的双势垒金属肖特基结二极管器件、利用PN结与肖特基结结合的含PN结构的肖特基二极管，以及利用金属-氧化物-半导体结构和肖特基结结合的沟槽式势垒肖特基二极管（TMBS），并且TMBS由于优异的高频特性及结构参数的易调性，受到了更为广泛的关注。
沟槽芯片优势，具有较低的动态内阻、VF与IR的易调性可以满足各种不同方案的使用需求。
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型号- LD40N45SMS9,LR012N04T10,LR037N10S10,D14N45I,D10N45IG,LD10N4512,M17N80S,D13E45SEG,LR055N95S3,D161N45P,D16E45SEG,D10N45IU,LD40N45I2,D26E45SEG,D100N45P,LR030N10S3,LR046N08SA2,LR025N04T3,M10N100SC,M26N100S,LR049N08SA4,LR049N08SA3,LR016N08S10,M28N90S,LR053N95S3,D10N45I,LR022N08S3,D74N100T,M56N40T,LR023N04T2,M36N100,LR027N10S2,M26N95SA,LR038N10S2,LD50N45SOS9,LD20N45SHS6,LR012N04S10,LD40N45SNS9,LR040N10S3,LD35N45SMS6,LR032N08S10,D45N100T,D13N45IA,LR037N10S0,LR022N04T8,D324N45P,LD50N45SLD9,LD40N45SKD2,LR020N08S0,D13N45IU,M21N95SA,LR022N10S10,LR078N10S4,LD20N45SHS2,LD20N45SHS3,LR020N08S2,LR020N08S1,LR052N09S2,M17N100SF,LR055N09S3,D23N45IU,D16E45SE,D19E45SEG,LR038N08S1,D19E45SE,LR038N08SA10,LR038N08S2,LD25N45SHD9,LR035N08S3,LR032N08S1,LR032N08S0,LR018N10S10,LR067N08S8,LR032N08S2,LD30N100T3,LR067N08S4,M17N100S,LR074N09S4,LR020N08S10,D23N45IM,D13E45SD,M21N80SA,LR051N95S2,M36N95S,D23N45IL,LR072N10SL4,LD45N45SOS6,D36N68TG,LD30N45SLS9,M31N80SA,D50N100S,LR052N10S2,LD50N45SKD9,LR022N10S0,LR046N08SA10,LR063N08S2,TSR40L100CTF,LR072N09S8,LR072N09S3,D23N45I,D14N45IU,LR020N04T10,LR015N04T0,LR020N04T0,M26N40S,M31N95SA,M28N95S,M36N68TN,LD20N100T3,LD30N45SKS6,D37N100T,LD30N45SKS2,LD30N45SKS3,LD30N45SKS9,LR055N10S3,LR041N08SA3,D11N45S,LR049W08S1,LD25N45SJS6,M36N80S,LR032N10S10,LR065N08S3,LD25N45SJS2,M10N80S,LR052N95S8,M26N80SA,LR069N09S2,LR045N10S1,D250N45P,LR045N10S3,D27N100T,LR042N10S2,D11N45SU,LM120N08S1,D13N45I,LD10N100T2,LD10N100T3
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