深鸿盛PDFN5*6 CLIP封装的30V/0.5mΩ超低内阻低压MOS，适用于无人机、BMS等领域 ｜视频

凌讯微MOS管LT100N03，具有散热性强、高负载电流能力等特点，有效提高系统效率

凌讯微电子生产的一款LT100N03是采用N沟道制作的MOS管，产品具有很强的电性参数的性能，其能承受的最大漏源电压30V，栅源电压±20V，连续漏极电流100A，漏源导通电阻3.4欧姆，最小栅极阈值电压1V，最大栅极阈值电压2.5V，重量约0.016克，非常轻巧。它的导通电阻非常低、开关速度快、耐电流能力强，适用于LED驱动电路、稳压电路、开关电路等。

合科泰NMOS管HKTD80N03，连续漏极电流80A，可应用于电机驱动和BMS等产品

NMOS的导通特性是由其栅极电压与源极和漏极之间的电压差决定，它在需要高速开关和低功耗的应用中非常受欢迎。具有负极性，可以用来控制电流的流动。本文给大家介绍的这款‌NMOS管HKTD80N03采用N沟道制作，其能承受的最大漏源电压为30V，连续漏极电流80A，非常适用于很多高电流场景。

【产品】智芯科技推出的三相MOS管栅极驱动Z20A8300A系列，具有5.5V-50V持续工作电压

Z20A8300A是智芯科技应用于汽车中、大功率电机控制的三相MOS管栅极驱动，可在5.5V至50V的电源范围内驱动6个N-MOS管。ZA0A8300A三个半桥可以独立运行，也可以作为无刷直流电机或永磁同步电机的三相桥驱动器。

研讨会2024模拟电源信号链新技术研讨会

描述- 11月7日直播，带来电源管理革新、汽车电子智能化、可再生能源与储能、光通讯与光模块、医疗健康与个人护理等领域电源信号链新产品新技术，点击了解报名。

议题- 信号链：射频开关，ADC，DAC，运放，比较器，数模混合IC，温度传感器  |  电源管理：锂电管理，氮化镓驱动，马达驱动，高低边驱动，DC-DC，AC-DC，电压基准源  |  汽车：车身电子，HUD，激光雷达，智能座舱，OBC，充电桩，T-BOX，氛围灯，车载摄像头，倒车雷达，热管理，BMS  |  光通讯，光模块，交换机（POE），AFE，个人护理，医疗健康  |  可再生能源：光伏储能（模拟ADC产品）  |  工业：机器人，变频伺服  |  电力：数字电源，电动工具，安防监控  |  SG Micro Corp（圣邦微电子）——十大中国IC设计公司之一，模拟集成电路领导者  |  模拟与嵌入式产品和解决方案供应商——思瑞浦（3PEAK）  |  以模拟技术为优势的电子器件和微波产品，为客户提供最佳的模拟解决方案——Nisshinbo (日清纺)  |  国产首款40V、5A 、AEC 、Q100车规级低能耗高可靠电源降压芯片生产商——芯洲科技（SCT）  |  高性能模拟和数模混合半导体供应商——JW JOULWATT（杰华特）  |  全球首家Force Touch SoC芯片供应商——芯海科技（CHIPSEA）  |  全球电子成就奖●年度微控制器/接口产品奖获得者——国民技术（Nations）  |  专业的高性能模拟器件及数模混合芯片解决方案供应商——拓尔微电子（TOLL）  |  专注于高性能、高品质模拟/混合信号的芯片设计公司：润石科技(Runic)  |  专注于高性能模拟及混合信号芯片设计——领慧立芯（legendsemi）  |  致力打造世界一流高端模拟芯片方案供应商——治精微（ZJW）  |  高端模拟及数模混合芯片和解决方案供应商——类比半导体（AnalogySemi）  |  高性能全范围模拟信号链（放大器/ADC/DAC/基准/电源）芯片供应商——士模（CIMO）  |  致力于向客户提供多品类、全系列电源管理芯片产品及解决方案供应商——ETA SEMICONDUCTOR（钰泰半导体）  |  专注BMS，电源及可编程模拟芯片的知名半导体厂商——芯祥科技（EnergyMath）  |  专注研发小型化、高可靠电源，为客户提供完整可靠的电源解决方案——ZOEYGO（中逸光）  |  专业从事电源产品的研发、生产、销售及综合解决方案的模块电源生产厂家——TOPPOWER（顶源科技）  |  模拟芯片领先设计商——微源半导体（LPSemi）  |  领先的高密度神经刺激芯片和生物传感芯片供应商——Nanochap（暖芯迦）  |  专注于高性能信号链集成电路产品研发——芯聚威（Silicoway）  | 

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

合科泰NMOS管HKTQ60N02凭借强大特性和低功耗，广泛用于电机驱动和BMS、便携式设备负载开关等

合科泰电子生产的NMOS管HKTQ60N02具有很好的电气性能，其能承受的最大漏源电压达20V，栅源电压2.5V，连续漏极电流50A，漏源导通电阻0.0075欧，最小栅极阈值电压0.5V，最大栅极阈值电压1V，耗散功率83mW。重量约0.012克，非常轻薄便捷。它作为一款低压MOS产品，具有强大特性和低功耗，适用于物联网设备、小信号驱动和通讯领域等。

【选型】耐压高达300V的大功率MOS管EG2132满足TEC控制器制冷或发热需求，静态功耗小于5μA

屹晶微推出的EG2132是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 栅极驱动专用芯片，该芯片高端的工作电压可达300V，VCC的电源电压范围11V～20V，输出电流能力IO+/- 1/1.5A，静态功耗小于5uA。提供HIN、LIN两个逻辑输入驱动HO、LO组成半桥结构，采用SOP8封装。

HI-SEMICON MOSFET在园林工具上的应用，具有优秀Rdson和EAS性能，较低FOM值

园林工具市场正经历锂电化趋势，其中无刷电机技术受到重视，MOSFET在其中扮演关键角色。深鸿盛电子提供适合园林工具的中低压MOS产品，具有优秀的性能和多种封装选择，满足不同电池供电和电机负载需求。

【经验】BMS应用笔记：详解功率MOS管

由于锂电池的特性，在应用过程中需要对其充放电过程进行保护，避免因过充过放或过热造成电池的损坏，保证电池安全的工作。本文虹美功率半导体将介绍功率MOS管在BMS系统中的常见失效类型，以及如何预防改善。