【经验】解析驱动电路中的误开通及应对方法
功率器件如MOSFET、IGBT可以看作是一个受门极电压控制的开关。当门极电压大于开通阈值时,功率器件就会被开通;而当门极电压低于开通阈值时,功率器件就会被关断。但在实际的应用中,由于器件及外围线路寄生参数的影响,会导致原本关断的功率器件会被误开通。本文数明半导体将为您详细解析驱动电路中的误开通及应对方法。
图1显示了米勒效应带来的误开通。当MOSFET关断而对管导通时,Vds电压快速的上升产生高的dv/dt,从而在电容Cgd中产生位移电流(igd)。这个位移电流流经Rg,M2后就会在Vg上产生一个电压尖峰(Vspk)。如果这个电压尖峰超过了MOSFET的开通阈值,MOSFET就会被开通,从而导致电路直通甚至损坏。
还有一种误开通是由于线路上的寄生电感引起的,如图2所示。Ls是MOSFET源极上的寄生电感。当MOSFET快速关断时,电流(ids)迅速的减小产生较高的di/dt,从而在Ls的两端产生一个负的电压(VLS)。这个VLS电压如果超过了MOSFET的门极阈值,MOSFET就会被误开通。
避免驱动误开通的方法
门极电阻、电容法
为了避免功率管的误开通,常用的方法是通过调整门极驱动的电阻和电容,如图3所示。
通过调节RON/ROFF的大小可以来调整MOSFET的开通/关断速度:增大RON/ROFF来减慢MOSFET开通/关断的速度,减小dv/dt(di/dt)从而减小门极电压尖峰。但另一方面,增大ROFF会使得门极驱动线路上的电阻变大,Cgd上产生的位移电流流经ROFF后的电压也会相应的变高,实际应用中有时增大ROFF并不能让电压尖峰有效的降低。另外由于增大ROFF会使MOSFET的关断速度变慢,从而使MOSFET的功耗增大。
在MOSFET的门极和源极之间并联一个外部电容CGS_E也可以降低门极电压尖峰,但是它跟增大RON/ROFF一样,会使MOSFET的整个开、关速度都变慢,从而导致整MOSFET的功耗增大。
米勒钳位法
为了有效的抑制由于米勒效应带来的门极误开通,可以在靠近功率管的门极处放一个三极管来防止在关断期间的误开通,如图4。在关断期间,由于Vds较高的dv/dt使Vg电压升高,此时Q1会导通,从而将Vg电压拉低防止误开通MOSFET。在实际的应用中要注意PCB布线的影响,Q1要尽量的靠近功率MOSFET以减小Q1、MOSFET门极和源极之间的环路,从而降低整个环路路上的阻抗。
数明半导体提供的一些驱动芯片集成了米勒钳位的功能,比如SLMi33x系列驱动芯片都有米勒钳位功能。通过将米勒钳位引脚连接到靠近功率管门极处就能有效的抑制米勒尖峰的问题。
图5显示了SLMi334中的米勒钳位功能。SLMi334通过VCLAMP脚监控MOSFET门极电压,当门极电压大于米勒钳位阈值(典型2V)时,内部的米勒钳位电路就会把M3开通,提供额外的一路下拉电流将门极电压下拉。在实际的应用中,从VCLMP脚到MOSFET的门极这条PCB布线一定要短且粗,以减小PCB布线带来的阻抗影响。
负压驱动法
米勒钳位电路能够有效的抑制由于米勒效应引起的门极电压尖峰,但是对于由于寄生电感引起的误开通,米勒钳位电路有时就不是非常的有效,此时给驱动提供负电压是一个比较好的解决办法。
图6显示了SLMi334用双电源驱动时的线路连接。VCC2接正电源,比如15V,而VEE接负电源,比如负8V。这样在在功率管关断的时候,即使有米勒尖峰或由于线路寄生电感引起的电压尖峰,功率管也能可靠的工作。
对于负电压驱动法,需要系统提供一个负电压。一般情况下是由系统的辅助电源来提供这一路负电源的。但是有些系统出于成本和别的各种原因,没有这样的负电压可用,那么可以考虑以下两种方法。
图7是利用稳压管DZ,电阻RZ和电容CZ在DZ两端产生稳定的电压VZ。当OUT出是高的时候,加在功率管门极的驱动电压是VCC-VZ。而当OUT输出为低的时候,加在功率管门极的驱动电压是-VZ。这里要注意的是驱动电流需要流经CZ这个电容,为了保持VZ电压的稳定,CZ的容值不能太小。
图8是利用隔直电容CB来产生一个电压VCB,从而在OUT输出为低的时候在功率管的门极提供负的VCB驱动电压。在输出为高的时候,加在功率管两端的门极电压为VCC-VCB。VCB这个电压跟驱动信号的占空比(Duty)相关,VCB=VCC×Duty,所以这个电路比较适合用于占空比较稳定的电路中。这个电路中的稳压管DZ主要是用于钳位VCB电压,防止在大占空比下VCB电压过高。
总结
对于驱动电路中的误开通,需要根据实际的情况进行分析并加以解决。调整功率器件的开关速度能减小电压尖峰,但是它或降低整个系统的效率。米勒钳位电路对于因米勒效应引起的门极尖峰有很好的抑制作用。PCB走线对于门极电压的尖峰有很大的影响,要尽量减小PCB走线带来的寄生参数。负压驱动能很好的解决门极电压尖峰问题,但是它的代价是需要额外的负电压或额外的辅助器件。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由犀牛先生转载自数明半导体公众号,原文标题为:应用笔记 丨 驱动电路中的误开通及应对方法,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
直流无刷电机驱动电路MOSFET应用
由于无刷电机具有高扭矩、长寿命、低噪声等优点,已经在各领域中得到了广泛应用。其内部电子绕组可看作一个电感线圈。如图1所示内部结构及电流波形,通过不断改变定子绕组中的电流方向,从而改变电磁铁的磁性,使得电机连续旋转。因此需要设计一个驱动电路,改变定子绕组中的电流方向才能使得转子旋转,常用驱动电路为三相全桥逆变电路。
【经验】驱动芯片关键参数——驱动电流和驱动时间的关系
本文数明半导体主要阐述了在驱动芯片中表征驱动能力的关键参数:驱动电流和驱动时间的关系,并通过实验解释了如何正确理解这些参数在实际应用中的表现。
【经验】关于驱动芯片Si8233BD-D-ISR的电流驱动设计方法及注意事项
目前Silicon Labs的驱动芯片SI8233BD-D-ISR运用在不同拓扑的电源设计方案,主要是针对MOS管的设计,由于本身具有一定电流驱动设计能力,所以在驱动电路设计上需要注意峰值电流的设计,避免造成驱动能力不够或者芯片损坏问题。
介绍IGBT以及它是如何驱动电路的
本文金誉半导体具体介绍IGBT是什么,以及它是如何驱动电路的
【产品】屹晶微电子的三相独立半桥驱动芯片,可用于驱动大功率MOS管、IGBT管的栅极
屹晶微电子的EG2334是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。
IGBT设计驱动电路的基本要求以及过流保护方法
驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大,以驱动IGBT,保证IGBT的可靠工作,驱动电路起着至关重要的作用。本文SEMI-FUTURE来为大家介绍IGBT设计驱动电路的基本要求以及过流保护方法,希望对各位工程师朋友有所帮助。
【产品】具有1A大电流栅极驱动能力的大功率MOS/IGBT管驱动芯片EG3013
屹晶微电子的EG3013是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。
【技术】浅析驱动芯片SLM21364的过流保护工作原理及RCIN管脚外接RC电路的选择
本文主要阐述了驱动芯片SLM21364的过流保护触发电路的工作原理,以及RCIN管脚外接电阻电容的选择。
BORN高压半桥驱动电路BN2304,驱动电流为+1/-1.5A,高侧耐压高达620V
伯恩半导体BN2304是用于驱动MOSFET/IGBT等功率器件的高压半桥驱动电路,驱动电流为+1/-1.5A。高侧耐压高达620V,dv/dt抗干扰能力优于50V/ns,高压侧和低压侧均有独立的欠压保护功能,输入逻辑可兼容TTL/CMOS。设计包含互锁和死区时间可有效防止两个输出同时打开,保护后级器件,且符合AEC-Q100标准。
数明半导体新推高效节能的电机驱动芯片SLM8837,满足低压供电应用需求
SLM8837是一款专为低压供电的电机驱动应用而设计的先进芯片,其内部集成了多种保护电路,以确保系统稳定性和安全性。该芯片拥有双通道NMOS半桥输出,分别由两路独立的PWM输入控制,提供灵活而精准的控制方式。
【经验】国产半桥驱动芯片SLM2103S如何实现和MOSFET的匹配设计?
数明半导体半桥驱动芯片SLM2103S凭借电路设计简单、外围元器件少、驱动能力强、可靠性高等优点在MOSFET驱动电路中得到广泛应用。本文将从5个方面分析该如何实现SLM2103S和MOSFET的匹配设计。
EG3118 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片数据手册
EG3118是一款大功率MOS管和IGBT管栅极驱动芯片,具有高端悬浮自举电源设计,耐压可达650V,适应5V、3.3V输入电压,最高频率支持1MHz,输出电流能力IO+/- 2.5A/2.5A。该芯片适用于无刷电机控制器、移动电源、高压快充开关电源、电动车控制器、变频水泵控制器等领域。
屹晶微电子 - 高性价比大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片,EG3118,无刷电机驱动器,降压型开关电源,驱动电路,无刷电机控制器,变频水泵控制器,电动车控制器,移动电源高压快充开关电源
【经验】解析电力电子电路应用中驱动芯片的并联使用
本文数明半导体主要为大家阐述了在电力电子电路应用中,为什么需要驱动芯片并联使用,芯片能够并联使用应具备什么特征,以及驱动芯片并联使用应注意的问题点。
驱动芯片选型手册
该资料主要介绍了多种类型的驱动芯片,包括高速电力线载波功放(HPLC Line Driver)、MOSFET驱动芯片、音频驱动芯片、音频功率放大器和视频驱动芯片。这些芯片具有不同的产品特点和应用领域,如线性低失真放大、高压大电流输出、高品质音响、内置杂音消除电路等。资料还提供了部分产品的详细规格参数,包括电压、电流、带宽、失真度等。
科山芯创 - HPLC线驱动器,视频过滤器驱动器,线路驱动,AUDIO LINE DRIVER,MOSFET驱动器,HPLC LINE DRIVER,LINEDRIVER,视频驱动芯片,高速电力线载波功放,音频功放芯片,音频线路驱动器,VIDEO FILTER DRIVER,驱动芯片,MOSFET驱动芯片,MOSFET DRIVER,音频驱动芯片,AUDIO POWER AMPLIFIER,音頻功放,DRV603,COS6171,COS4425,COS4426,IA171,SGM9114,COS4423,COS4424,SGM9111,COS4427,SGM9113,COS4428,COS6222,SGM8903,LM4890,SGM8904,COS6143,SGM8905,SGM9119,COS605,FMS6143,COS6141,COS603,COS604,TC4428,TC4427,TC4426,TC4425,TC4424,TC4423,MIC4426,FSM6141,MIC4427,MIC4428,SGM9123,COS4890,MOS管驱动,机顶盒,数据集中器,开关电源,安防监控,数字化视频光盘,无线充,便携式音频设备,马达驱动,对讲机,PDA,智能音箱,移动电话,通信设备,掌上电脑,工业物联网,音视频播放器,DVD,智能家居,智能电网,线驱动器,智能电表
EG3114 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片数据手册
EG3114是一款大功率MOS管和IGBT管栅极驱动芯片,适用于无刷电机控制器等应用。该芯片具有高端悬浮自举电源设计,耐压可达600V,支持5V和3.3V输入电压,最高频率支持500KHZ,输出电流能力为IO+/- 4A/4A。芯片采用SOP8封装,符合ROHS标准。
屹晶微电子 - 高性价比大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片,EG3114,无刷电机驱动器,降压型开关电源,驱动电路,无刷电机控制器,变频水泵控制器,电动车控制器,移动电源高压快充开关电源
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论