【产品】爱仕特推出N通道SiC MOSFET，漏源电压650V，导通电阻50mΩ
爱仕特公司推出了一款N通道SiC MOSFET——ASR50N650MD88，使用全新技术，与硅相比具备更出色的开关性能和更高的可靠性，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷，其优势包括更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI以及更小的系统尺寸。
在Tc=25℃条件下，ASR50N650MD88的绝对最大额定值如下：漏源电压VDS为650V，连续漏极电流ID为40A（Tc=100℃时，连续漏极电流ID为20A），脉冲漏极电流IDM为60A，栅源电压VGS为-10/+20V，耗散功率为152W，结温和存储温度范围为-55℃~+150℃。如图1为其外观和内部结构示意图。
图1 外观和内部结构示意图
在TJ=25℃条件下，ASR50N650MD88的电气特性如下：在ID=250μA、VGS=0V条件下，漏源击穿电压BVDS为650V（最小值）；在VDS=650V、VGS=0V条件下，零栅压漏极电流IDSS为100μA（最大值）；在VDS=0V、VGS=-10V~18V条件下，漏-源短路的栅极漏电流IGSS为250nA（最大值）；在VDS=VGS、ID=5mA条件下，栅源阈值电压VGS(th)为1.5V（最小值）、3.5V（最大值）；在VGS=18V、ID=20A条件下，静态漏源导通电阻RDS(on)为50mΩ（典型值）、60mΩ（最大值）；在VGS=0V、f=1MHz条件下，栅极电阻RG为3Ω（典型值）。此外，在VDS=470V、f=1MHZ、VGS=0V条件下，ASR50N650MD88的输入电容Ciss典型值为1648pF，输出电容Coss典型值为86pF，反向传输电容Crss典型值为12pF。下图2为其输出特性（TJ=25℃ 左图，TJ=150℃ 右图），下图3为其传输特性。
图2 输出特性（TJ=25℃ 左图，TJ=150℃ 右图）
图3 传输特性
特性：
·低电容高速开关
·高阻断电压，低 RDS(on)
·使用标准栅极驱动，驱动简单
·100% 雪崩测试
·最高结温150°C
·符合ROHS标准
应用领域：
·电动汽车充电
·DC-AC逆变器
·高压DC/DC转换器
·开关模式电源
·功率因数校正模块
·电机驱动
订购信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由逍遥哥哥翻译自爱仕特，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】漏源电压650V、导通电阻低至60mΩ的国产N通道SiC MOSFET
爱仕特公司推出一款N通道SiC MOSFET—ASC30N650MT3，漏源电压650V，25℃时连续漏极电流36A，导通电阻低至60mΩ，具备更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI以及更小的系统尺寸。
【产品】低电容高速开关N通道SiC MOSFET器件ASR320N650D88，易于并联驱动简单
ASR320N650D88是爱仕特公司推出的一款N沟道SiC MOSFET，与硅相比具备更出色的开关性能和更高的可靠性，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷，其优势包括更高的效率、更高的功率密度、更低的EMI以及更小的系统尺寸。
【产品】超低导通电阻仅80mΩ的N通道增强型SiC MOSFET LSIC1MO120E0080，针对高频率应用优化
Littelfuse的LSIC1MO120E0080是一款1200V、N通道的增强型SiC MOSFET。其具有低功耗，低导通电阻等特点，并且其适合高频、高温、高压、高功率等典型应用，性价比更高，货期更短。
WM2A060065K N沟道SiC功率MOSFET
描述- 本资料介绍了型号为WM2A060065K的N-通道碳化硅（SiC）功率MOSFET的特性、最大额定值、电学特性、热特性和封装尺寸。该器件采用第二代SiC MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻和高速度开关等特点，适用于电动汽车充电、服务器电源、太阳能光伏逆变器和不间断电源等领域。
型号- WM2A060065K
【选型】国产高压SiC MOSFETASR50N650MD88和英飞凌IPL60R060CFD7参数对比分析
某客户的固态继电器项目上需要用到英飞凌的两颗高压MOS IPL60R060CFD7来作为直流和交流的开关，但是由于缺货，给客户推荐了爱仕特 ASR50N650MD88。
HC3M0032120D SiC功率MOSFET N沟道增强模式
描述- 该资料介绍了华为阳电子有限公司生产的HC3M0032120D型碳化硅（SiC）增强型N通道功率MOSFET。该器件采用第三代SiC MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、快速体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、电动汽车驱动器、高压直流/直流转换器和开关电源等领域。
型号- HC3M0032120D
WM2A060065N N沟道SiC功率MOSFET
描述- 本资料介绍了CETC公司生产的WM2A060065N型号N-Channel SiC Power MOSFET。该器件采用第二代SiC MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和低电容等特点。资料详细描述了产品的特性、最大额定值、电气特性、封装尺寸和注意事项。
型号- WM2A060065N
HC3M0016120D SiC功率MOSFET N沟道增强模式
描述- 该资料介绍了华为阳电子有限公司生产的HC3M0016120D型碳化硅（SiC）增强型N通道功率MOSFET。该器件采用第三代SiC MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换等特点，适用于太阳能逆变器、电动汽车驱动器、高压直流/直流转换器和开关电源等领域。
型号- HC3M0016120D
UNC1K203N078-T47/4 N沟道碳化硅MOSFET
描述- 本资料介绍了UN Semiconductor生产的N-通道碳化硅MOSFET（UNC1K203N078-T47/4），该器件适用于高电压和高电流应用。它具有低开关损耗、良好的温度稳定性、高雪崩鲁棒性等特点，广泛应用于太阳能逆变器、PFC、UPS、DC-DC转换器、焊接和电动汽车充电等领域。
型号- UNC1K203N078-T47/4
ASR50N650MD88 650V N沟道MOSFET
描述- 本资料介绍了ASR50N650MD88这款碳化硅(SiC) MOSFET的特性。该MOSFET采用新技术，提供比硅基器件更优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和小型芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷，从而带来系统效率最高、运行频率更快、功率密度更高、EMI减少和系统尺寸减小等优点。
型号- ASR50N650MD88
军品级N沟道增强型SiC MOSFET，采用C2M MOSFET技术
Wolfspeed（原CREE）推出的CPM2-1200-0040B系列碳化硅MOSFET，N通道增强模式，采用C2M 碳化硅功率场效应晶体管技术，具有高阻断电压、低导通电阻、低电容的特点，易于并联或单驱动，具有较高的系统效率和功率密度，较低的冷却需求，支持高速转换，非常适用于太阳能逆变器、开关模式电源、高压直流/直流转换器、马达驱动器、脉冲电源等应用领域。
CL1M0030065L N沟道SiC功率MOSFET
描述- 本资料主要介绍了一种N-Channel SiC Power MOSFET，该器件采用第二代SiC MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换和低电容等特点。该产品适用于电动汽车充电、服务器电源、太阳能光伏逆变器、不间断电源（UPS）和直流/直流转换器等领域。
型号- CL1M0030065L
CL1M0030065D N沟道SiC功率MOSFET
描述- 本资料介绍了N-Channel SiC Power MOSFET（碳化硅功率MOSFET）的产品特性、优势、应用领域和电气特性。产品采用第二代SiC MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和低电容等特点，适用于提高系统效率、降低冷却需求、增加功率密度和系统开关频率。
型号- CL1M0030065D
C3M0075120J碳化硅功率MOSFET C3MTM MOSFET技术N沟道增强模式
描述- 本资料详细介绍了Silicon Carbide Power MOSFET C3M TM MOSFET Technology，包括其产品特性、电气特性、应用领域等。该产品采用C3M TM SiC MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关、低电容等特点，适用于可再生能源、电动汽车充电器、高压DC/DC转换器等领域。
型号- C3M0075120J
电子商城
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论