【产品】爱仕特推出N通道SiC MOSFET，漏源电压650V，导通电阻50mΩ

时间： 2022-01-15 来源：爱仕特

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爱仕特公司推出了一款N通道SiC MOSFET——ASR50N650MD88，使用全新技术，与硅相比具备更出色的开关性能和更高的可靠性，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷，其优势包括更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI以及更小的系统尺寸。

在T_c=25℃条件下，ASR50N650MD88的绝对最大额定值如下：漏源电压V_DS为650V，连续漏极电流I_D为40A（T_c=100℃时，连续漏极电流I_D为20A），脉冲漏极电流I_DM为60A，栅源电压V_GS为-10/+20V，耗散功率为152W，结温和存储温度范围为-55℃~+150℃。如图1为其外观和内部结构示意图。

图1 外观和内部结构示意图

在T_J=25℃条件下，ASR50N650MD88的电气特性如下：在I_D=250μA、V_GS=0V条件下，漏源击穿电压BV_DS为650V（最小值）；在V_DS=650V、V_GS=0V条件下，零栅压漏极电流I_DSS为100μA（最大值）；在V_DS=0V、V_GS=-10V~18V条件下，漏-源短路的栅极漏电流I_GSS为250nA（最大值）；在V_DS=V_GS、I_D=5mA条件下，栅源阈值电压V_GS(th)为1.5V（最小值）、3.5V（最大值）；在V_GS=18V、I_D=20A条件下，静态漏源导通电阻R_DS(on)为50mΩ（典型值）、60mΩ（最大值）；在V_GS=0V、f=1MHz条件下，栅极电阻R_G为3Ω（典型值）。此外，在V_DS=470V、f=1MHZ、V_GS=0V条件下，ASR50N650MD88的输入电容C_iss典型值为1648pF，输出电容C_oss典型值为86pF，反向传输电容C_rss典型值为12pF。下图2为其输出特性（T_J=25℃ 左图，T_J=150℃ 右图），下图3为其传输特性。

图2 输出特性（T_J=25℃ 左图，T_J=150℃ 右图）

图3 传输特性

特性：

·低电容高速开关

·高阻断电压，低 R_DS(on)

·使用标准栅极驱动，驱动简单

·100% 雪崩测试

·最高结温150°C

·符合ROHS标准

应用领域：

·电动汽车充电

·DC-AC逆变器

·高压DC/DC转换器

·开关模式电源

·功率因数校正模块

·电机驱动

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