【产品】采用TO-252-2封装的碳化硅肖特基二极管B1D03120E，反向重复峰值电压1200V
深圳基本半导体有限公司推出型号为B1D03120E的碳化硅肖特基二极管，采用TO-252-2封装，其反向重复峰值电压高达1200V，且具备出色的电流能力，低电容电荷特性，系统效率高，成本低，应用于开关电源 ，功率因素校正等领域。
特性：
极低反向电流
无反向恢复电流
温度独立开关
VF具有正向温度系数
出色的浪涌电流能力
低电容电荷
优势：
几乎没有开关损耗
与硅二极管相比系统效率提高
提高了功率密度
实现了更高的开关频率
降低了散热器要求
更小的磁性元件降低系统成本
电磁干扰较小
实际应用：
开关电源（SMPS）
不间断电源
电机驱动器
功率因素校正
封装参数：
最大额定值（TC=25℃，除非另有说明）
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