【产品】诚芯微推出的P沟道增强型MOSFET 3401，采用先进的沟槽工艺技术，具有高功率和高电流处理能力
诚芯微推出的型号为3401的P沟道增强型MOSFET，器件采用先进的沟槽工艺技术，具有优异的漏源导通电阻RDS(ON）和低栅极电荷特性，该系列器件适用于负载开关或PWM应用等领域。
器件特征
RDS(ON)<70mΩ@VGS=-4.5V
RDS(ON)<60mΩ@VGS=-10V
器件具有高功率和高电流处理能力
符合无铅认证器件标准
表面贴装器件
器件应用领域
PWM应用
负载开关
电源管理应用
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有标注）
电气参数（TA=25℃，除非另有标注）
注：
1.表贴在FR4板，t≤10s；
2.脉冲测试条件：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；
3.由设计保证，不经过生产测试。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由飞猫警长翻译自诚芯微官网，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】P沟道增强型MOSFET AM3095，采用SOT89-3封装，温度均为-55°C~150°C
AiT公司推出的AM3095是一款P沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM3095的绝对最大额定参数为：漏源电压-30V、栅源电压±12V、连续漏极电流-6.6A、脉冲漏极电流-26.4A、耗散功率3.6W、工作结温和存储温度均为-55°C ~ 150°C。
【产品】采用SOP-8封装的N和P沟道增强型MOSFET AP2716SD，适用于脉冲宽度调制应用、电源管理等领域
铨力半导体推出具有无铅产品认证的N和P沟道增强型MOSFET AP2716SD，采用SOP-8封装。适用于脉冲宽度调制应用、负载开关、电源管理。具有高功率和电流处理能力。
【产品】-30V P沟道增强型MOSFET AM9435，SOP8封装
AiT推出的AM9435是P沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管，采用高单元密度，先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)，适用于作为负载开关或在大多数PWM同步降压转换器的应用。
【产品】-40V/-3.1A SOT-23封装P沟道增强型MOSFET PJA3441-AU
PANJIT（强茂）推出的PJA3441-AU 为P沟道增强型MOSFET。采用SOT-23封装，其中漏-源电压最大额定值为-40V，连续漏极电流最大额定值为-3.1A。
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论