【产品】EPC推出两款全新汽车用氮化镓场效应晶体管，采用小至0.9x0.9mm芯片级封装
2018年5月1日，宜普电源转换公司宣布其两个汽车用氮化镓(eGaN®)器件成功通过AEC Q101测试认证，可在车用及其它严峻环境实现多种全新应用。EPC2202及EPC2203是采用晶圆级芯片规模封装（WLCS） 、80 VDS 的分立晶体管。面向严峻的车用环境的多个分立晶体管及集成电路也将在不久的未来推出。
EPC2202及EPC2203氮化镓场效应晶体管实物图
宜普电源转换公司（EPC）的两个汽车用氮化镓场效应晶体管成功通过了国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证。
基于氮化镓（eGaN）技术的产品已进行量产超过8年，累计了数十亿小时的实际汽车应用(automotive application)经验，包括全自动驾驶汽车的激光雷达及雷达系统、48 V–12 V DC/DC转换器及高强度的货车头灯等应用。EPC2022及EPC2023是第一批通过AEC Q101测试认证的产品。
EPC2202为80 V、16 mΩ增强型氮化镓场效应晶体管，采用2.1 毫米x1.6毫米芯片级封装，脉冲电流为75 A。EPC2203为80 V、73 mΩ器件，采用0.9 毫米x0.9毫米芯片级封装，脉冲电流为18 A。与等效MOSFET相比，这些氮化镓场效应晶体管的尺寸小很多，而且可实现的开关速度快10至100倍。两个产品专为各种汽车应用而设计，包括：
激光雷达
高强度的货车头灯
48 V – 12 V DC/DC转换器
具有超高保真度的信息娱乐系统
T要通过AEC Q101认证测试，EPC的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）必需通过在严峻环境及不同偏压的条件下的各种测试，包括偏压湿度测试（H3TRB）、高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）、温度循环（TC）及其它多种不同的测试。要留意的是，EPC器件的芯片级封装也通过采用传统封装的器件的所有相同测试标准，证明芯片级封装具备卓越性能而器件同时保持坚固耐用及其高可靠性。这些eGaN器件在符合汽车质量管理系统标准IATF 16949的设备中生产。
EPC公司的首席执行官及共同创办人Alex Lidow称：“氮化镓技术在汽车的应用还是刚刚开始发展。紧随这两个通过认证的车用氮化镓器件，我们将推出更多、一系列的晶体管及集成电路，从而打造自动驾驶汽车的未来、节省汽油的使用量及提高驾驶的安全性。与目前车用、日益老化的硅基功率MOSFET相比，基于eGaN技术的产品的开关更快速、尺寸更小、效率更高及更可靠。＂
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 198
本网站所有内容禁止转载，否则追究法律责任！
正在努力加载……相关推荐
【产品】用于评估EPC203x增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的开发板
宜普电源转换公司（EPC）推出EPC9060、EPC9061、EPC9062三款开发板，通过把所有关键元件集结在一块，可以轻松连接到任何现有转换器的电路板上，这些开发板最大输出电压分别为40V、60V、100V，最大输出电流分别为25A、24A、20A。从而简化对单片集成的增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）EPC2030、EPC2031、EPC2032的评估过程。
新产品 发布时间 : 2019-02-10
【产品】最大输出电压达40V的半桥式开发板EPC9005C
宜普电源转换公司（EPC）推出的EPC9005C开发板，开发板的最大输出电压为40V，且最大输出电流为7A，采用半桥式配置并配有板载栅极驱动器，栅极驱动器的输入电压范围为7-12V，并且该开发板内含EPC2014C增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)。该开发板旨在通过把所有关键元件集结在一块可以轻松连接到任何现有转换器的电路板上，从而简化对EPC2014C eGaN FET的评估过程。
新产品 发布时间 : 2019-01-10
【产品】 GaN高频增强型大功率场效应管,栅极输入电容仅210pF
EPC2031氮化镓增强型功率晶体管有极低的栅极输入电容，实现了低开关延迟。
新产品 发布时间 : 2017-10-12
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V
|
产品型号
|
品类
|
Configuration
|
VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
选型表 - EPC 立即选型
EPC Altium Libary PcbLib & SchLib & IntLib
型号- EPC2212,EPC2214,EPC2012C,EPC2059,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC2050,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC2252,EPC2053,EPC2055,EPC2218A,EPC2069,EPC2102,EPC2024,EPC2101,EPC2104,EPC2302,EPC8009,EPC2001C,EPC2103,EPC2029,EPC2106,EPC2304,EPC2105,EPC2108,EPC2306,EPC2107,EPC2305,EPC8002,EPC2021,EPC2065,EPC2020,EPC2023,EPC2067,EPC2100,EPC21701,EPC2221,EPC2022,EPC2066,EPC8004,EPC2219,EPC2619,EPC2036,EPC2010C,EPC2035,EPC2038,EPC2034C,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC2071,EPC23101,EPC2030,EPC23102,EPC23103,EPC2032,EPC23104,EPC2031,EPC2152,EPC2111,EPC2033,EPC2110,EPC8010,EPC2204A,EPC2070,EPC2308,EPC2307,EPC2203,EPC2202,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC2007C,EPC2040,EPC21603,EPC2045,EPC2044,EPC2088,EPC21601
氮化镓器件逐步替代旧有硅基MOSFET，性能极限高出6000倍
氮化镓（GaN）的问世和应用地逐渐淘汰了目前使用的硅基材料。随着硅材料的MOSFET接近其理论极限，已很难继续改进。同时氮化镓在朝向理论性能边界稳步发展，该性能边界是当前的MOSFET的6000倍。EPC研发的eGaN FET可逐渐代替硅基晶体管，性能上大幅提升。
新技术 发布时间 : 2020-11-07
面向同步整流应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路应用简介
型号- EPC2212,EPC2057,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC9046,EPC9047,EPC90155,EPC2029,EPC9010C,EPC2021,EPC2020,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC9098,EPC9099,ЕPC2218,EPC9092,EPC9093,EPC9050,ЕPC2215,EPC9091,EPC9006C,EPC2036,EPC2010C,EPC9001C,EPC2034C,EPC2032,EPC2031,EPC2033,EPC9061,ΕPC2059,EPC9062,EPC2203,EPC9048C,EPC2202,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9035,EPC2045,EPC90122,EPC90123,EPC9033,EPC90124
【应用】采用eGaN FET EPC2045实现低成本高性能的DCDC设计
EPC2045是一款100V/7mΩ、电流能力高达16A的增强型氮化镓场效应晶体管。目前采用EPC2045的EPC9130的功率密度做到了1250W/in³，在成本上可以实现¥0.5/W以内的低成本设计。EPC2045相比于Si MOSFET，在损耗上优势也比较明显。在48V输入、12V/10A输出、驱动频率为500KHz的条件下，EPC2045可提供1.5%的更高效率。
应用方案 发布时间 : 2020-08-01
【应用】芯片级封装超低电感值eGaN®FET，脉冲激光驱动的理想选择
随着eGaN® FET的出现，激光雷达理想性能可以使用低成本、简单电路来实现。应用于激光雷达的最常见的三种eGaN®FET是EPC2036、EPC2016C和EPC2001C。GaN的超高性能，芯片级封装中的超低电感值使得eGaN®FET成为脉冲激光驱动的理想选择。针对激光雷达应用，EPC还推出有EPC9126,EPC9126HC,EPC2047,EPC2202,EPC2203等eGaN® FET
应用方案 发布时间 : 2018-06-15
GaN Reliability and Lifetime Projections: Phase 16 RELIABILITY REPORT
型号- EPC2212,EPC2069,EPC2302,EPC2203,EPC2034C,EPC2202,EPC2204,EPC2215,EPC2014C,EPC2218,EPC2207,EPC2206,EPC2071,EPC2052,EPC2051,EPC2045,EPC21701,EPC21601
如何構建一個可以看得更遠、更清晰、成本更低的超快速及高功率雷射驅動器
型号- EPC2036,EPC9126HC,EPC2047,EPC2203,EPC2001C,EPC2202,EPC2016C,EPC9126
Using GaN FETs to Burst Through 5 kW/in³ in a 48 V to 12 V LLC Converter
型号- EPC9551T,EPC9159KIT,EPC9528,EPC2218,EPC2619,EPC2067,EPC9556P
电子商城
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
最小起订量： 30000 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
查看全部3条回复