【产品】EPC推出两款全新汽车用氮化镓场效应晶体管，采用小至0.9x0.9mm芯片级封装

时间： 2018-07-12 来源：EPC

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汽车用氮化镓场效应晶体管,增强型氮化镓场效应晶体管,AEC Q101氮化镓场效应晶体管,小尺寸氮化镓场效应晶体管

2018年5月1日，宜普电源转换公司宣布其两个汽车用氮化镓(eGaN®)器件成功通过AEC Q101测试认证，可在车用及其它严峻环境实现多种全新应用。EPC2202及EPC2203是采用晶圆级芯片规模封装（WLCS）、80 VDS 的分立晶体管。面向严峻的车用环境的多个分立晶体管及集成电路也将在不久的未来推出。

EPC2202及EPC2203氮化镓场效应晶体管实物图

宜普电源转换公司（EPC）的两个汽车用氮化镓场效应晶体管成功通过了国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证。

基于氮化镓（eGaN）技术的产品已进行量产超过8年，累计了数十亿小时的实际汽车应用(automotive application)经验，包括全自动驾驶汽车的激光雷达及雷达系统、48 V–12 V DC/DC转换器及高强度的货车头灯等应用。EPC2022及EPC2023是第一批通过AEC Q101测试认证的产品。

EPC2202为80 V、16 mΩ增强型氮化镓场效应晶体管，采用2.1 毫米x1.6毫米芯片级封装，脉冲电流为75 A。EPC2203为80 V、73 mΩ器件，采用0.9 毫米x0.9毫米芯片级封装，脉冲电流为18 A。与等效MOSFET相比，这些氮化镓场效应晶体管的尺寸小很多，而且可实现的开关速度快10至100倍。两个产品专为各种汽车应用而设计，包括：

激光雷达
高强度的货车头灯
48 V – 12 V DC/DC转换器
具有超高保真度的信息娱乐系统

T要通过AEC Q101认证测试，EPC的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）必需通过在严峻环境及不同偏压的条件下的各种测试，包括偏压湿度测试（H3TRB）、高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）、温度循环（TC）及其它多种不同的测试。要留意的是，EPC器件的芯片级封装也通过采用传统封装的器件的所有相同测试标准，证明芯片级封装具备卓越性能而器件同时保持坚固耐用及其高可靠性。这些eGaN器件在符合汽车质量管理系统标准IATF 16949的设备中生产。

EPC公司的首席执行官及共同创办人Alex Lidow称：“氮化镓技术在汽车的应用还是刚刚开始发展。紧随这两个通过认证的车用氮化镓器件，我们将推出更多、一系列的晶体管及集成电路，从而打造自动驾驶汽车的未来、节省汽油的使用量及提高驾驶的安全性。与目前车用、日益老化的硅基功率MOSFET相比，基于eGaN技术的产品的开关更快速、尺寸更小、效率更高及更可靠。＂

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用户97967577 Lv7 2018-08-20

EPC EPC2016增强型功率晶体管总是烧掉了，会是什么原因呢？
- 用户97967577_世强回复： EPC品牌的增强型氮化镓的功率EPC2016出现烧坏情况，可能是过压或者过流，并且与开关频率有关，需要根据电路来分析。
  查看全部3条回复
乔峰 Lv7. 资深专家 2019-07-26

学习
用户56731903 Lv9. 科学家 2019-07-23

了解一下！！！
Jamie Lv7. 资深专家 2019-07-20

学习
志成 Lv7. 资深专家 2019-07-02

学习了。

Jamie Lv7. 资深专家 2019-06-25

学习
EEric Lv7. 资深专家 2019-06-21

棒棒的
桃梅 Lv7. 资深专家 2019-06-14

学知识，下载，学习，关注，收藏
ysyws Lv7. 资深专家 2019-06-08

不错
maomao Lv8. 研究员 2019-05-25

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增强型氮化镓技术

该资料介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比硅基器件，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。资料详细阐述了eGaN®器件的优势，包括降低导通电阻、减少开关损耗、降低电容和驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®技术的可靠性、成本效益和广泛的应用领域，如汽车、无线电源、医疗设备等。

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2023/1/10 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了增强型氮化镓（eGaN）技术及其在功率转换中的应用。文章强调了eGaN器件相比硅基器件的优势，包括更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的生产成本。此外，还提到了eGaN技术的可靠性和设计支持。

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October, 2022 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，这是一种基于氮化镓（GaN）的功率转换解决方案。与传统硅器件相比，eGaN®晶体管和集成电路具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章强调了其在提高能效和系统密度方面的优势，并列举了其在多个应用领域的潜力。

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2022/7/2 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、减少开关损耗、降低电容和驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、无线充电、电机驱动和医疗等领域的应用。

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June, 2022 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

该技术简报介绍了增强型氮化镓（eGaN）晶体管和集成电路在电力设计中的应用。主要内容包括： - 氮化镓FET和IC相比硅的优势：开关速度更快、尺寸更小、效率更高、成本更低。 - eGaN技术的特点：低导通电阻、快速器件、低电容、驱动电路所需功率降低、集成度高、设计支持全面、成本低、可靠性高。 - eGaN晶体管和IC的性能优势：速度快、体积小、效率高、热效率高、功率密度大。 - 应用领域广泛，包括汽车、无线充电、电机驱动、医疗设备等。 - 提供多种型号的产品和应用板，以满足不同需求。

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2022/3/1 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（Gallium Nitride）的半导体技术。该技术具有比传统硅基器件更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章重点强调了eGaN FET和集成电路在提高功率转换效率方面的优势，并列举了其在不同应用领域的潜力。

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2021/12/17 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。eGaN®晶体管和集成电路相比硅基器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章强调了GaN器件在降低导通电阻、减少开关损耗、降低电容和驱动电路所需功率方面的优势。此外，还提到了GaN技术的可靠性、成本效益和广泛的应用领域，包括汽车、无线电源、医疗和LED照明等。

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2021/11/25 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比传统的硅基功率转换技术，eGaN®技术具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®技术在汽车、DC-DC转换器、POL转换器、激光雷达、无线电源、射频放大器、电机驱动、医疗设备、模拟开关和LED照明等领域的应用。

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2021 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比传统的硅基功率器件，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、减少开关损耗、降低电容和驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件的可靠性、成本效益和设计支持，以及其在汽车、无线充电、医疗和LED照明等领域的应用。

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2021 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率电子解决方案。与传统的硅基功率电子器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章强调了eGaN®器件在降低导通电阻、减少开关损耗、降低驱动电路所需的功率以及集成化设计方面的优势。此外，还提到了eGaN®器件的可靠性、成本效益和广泛的应用领域，包括汽车、无线电源、LED照明和医疗设备等。

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2019/05/05 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

该资料介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。eGaN®晶体管和集成电路具有高效率、小尺寸、快速开关速度等优点，适用于无线充电、射频放大器、LED照明等应用。资料详细比较了eGaN®技术与传统硅MOSFET的性能差异，并提供了设计支持、产品选择指南和演示板信息。

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2017年07月13日 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

EPC2252氮化镓®FET规格书

本资料介绍了EPC2252增强型功率晶体管，一款基于氮化镓（GaN）技术的器件。该产品具有低导通电阻、高开关频率和高效能的特点，适用于汽车激光雷达/TOF、服务器、脉冲电源、隔离电源、点负载转换器、音频放大器和LED照明等领域。

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January 2023 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

EPC 29215_55–增强型功率晶体管氮化镓®FET规格书

本资料详细介绍了EPC29215-55型号的eGaN® FET功率晶体管。该晶体管采用氮化镓技术，具有低导通电阻、高开关频率和低开关损耗等特点，适用于高效能转换应用。

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March 2024 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

【应用】EPC的氮化镓场效应晶体管EPC2024用于1/4砖电源模块，峰值效率高达97%以上

本文重点介绍EPC硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管EPC2024应用于1/4砖DC-DC电源模块中的优势，其具有更宽带隙和电子迁移率,可轻松实现100V内ns级切换,开关频率可上至GHz；EPC2024用于二次侧同步整流，峰值效率高达97以上%。

2021-07-16 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓工艺简介

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统的硅基功率器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®技术的可靠性、设计支持和成本效益，以及其在汽车、医疗、LED照明和无线充电等领域的应用。

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增强型氮化镓工艺简介

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、医疗、LED照明、无线充电和太阳能等领域的应用。

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2023/9/26 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓工艺简介

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。eGaN®技术具有快速开关速度、更小尺寸、更高效率和更低成本等优势，相比传统硅基功率器件，在功率设计中表现出色。文章详细阐述了eGaN®技术的特点、应用领域和设计支持，并提供了相关产品信息。

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April 2023 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓工艺简介

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比传统的硅基功率器件，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、消费电子、工业和医疗等领域的应用，以及EPC公司提供的eGaN®器件和集成电路产品。

EPC - CATEGORY 5 (27 W) WIRELESS RECEIVE DEVICES,EGAN®集成电路,ZVS D类无线演示套件,EGAN TRANSISTORS,WIDE BANDGAP DEVICE,ETOF™激光驱动器,EGAN® INTEGRATED CIRCUITS,CLASS 3无线演示套件,板放大器,DUAL OUTPUT SYNCHRONOUS BUCK CONVERTER,多模式无线电源套件,高效率、薄型降压转换器,砖式评估模块,双向50 W（升压）评估模块,3类（5 W）无线接收设备,开发板,EGAN FETS,4类无线演示套件,双向功率模块,POWER MODULE,演示板,超薄型多电平转换器,双向1/16砖式评估模块,EGAN IC,CATEGORY 3 (5 W) WIRELESS RECEIVE DEVICES,增强型氮化镓（EGALLIUM NITRIDE®）晶体管,HIGH EFFICIENCY, THIN BUCK CONVERTER,3-PHASE BLDC MOTOR DRIVE REFERENCE DESIGN BOARD,CLASS 2无线演示套件,ENHANCEMENT-MODE GALLIUM NITRIDE (EGAN®) TRANSISTORS,氮化镓晶体管,BRICK EVALUATION MODULE,双输出同步降压型转换器,ETOF™ LASER DRIVER IC,CATEGORY 4 (10 W) WIRELESS RECEIVE DEVICES,DEMONSTRATION BOARDS,BIDIRECTIONAL 1/16TH BRICK EVALUATION MODULE,CLASS 3 WIRELESS DEMO KIT,输入升压转换器,4类（10 W）无线接收设备,激光二极管驱动器演示板,BIDIRECTIONAL POWER MODULE,氮化镓场效应晶体管,三相BLDC电机驱动参考设计板,BIDIRECTIONAL 60 W (BUCK) EVALUATION MODULE,功率模块,5类（27 W）无线接收设备,双向60 W（降压）评估模块,ZVS CLASS D WIRELESS DEMO KIT,CLASS 2 WIRELESS DEMO KIT,氮化镓集成电路,BRICK CONVERTER,ETOF™ LASER DRIVER,ETOF™激光驱动器IC,AMPLIFIER BOARD,宽带隙器件,BIDIRECTIONAL 50 W (BOOST) EVALUATION MODULE,ULTRA-THIN, MULTI-LEVEL CONVERTER,LASER DIODE DRIVER DEMO BOARD,CLASS 4 WIRELESSS DEMO KIT,DEVELOPMENT BOARD,INPUT BOOST CONVERTER,BRICK转换器,MULTI-MODE WIRELESS POWER KIT,EPC2059,EPC2050,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC2218A,EPC9121,EPC2069,EPC2065,EPC2067,EPC9014,EPC2066,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2039,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC2152,EPC2034,EPC2033,EPC8010,EPC2204A,EPC9115,EPC2040,EPC9111,EPC9112,EPC2045,EPC2044,EPC9049,EPC9166,EPC9046,EPC9167,EPC9047,EPC9048,EPC9041,EPC9162,EPC9163,EPC9165,EPC9160,EPC9040,EPC2302,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC9010C,EPC9057,EPC9167HC,EPC9179,EPC9058,EPC9173,EPC9055,EPC9176,EPC9170,EPC9050,EPC9171,EPC9172,EPC9001C,EPC9148,EPC2071,EPC23101,EPC23102,EPC9144,EPC90140,EPC9146,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC90137,EPC90138,EPC90139,EPC9048C,EPC9038,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9035,EPC21603,EPC9156,EPC9036,EPC9157,EPC9037,EPC2088,EPC21601,EPC90122,EPC9151,EPC9031,EPC90123,EPC9032,EPC90120,EPC9153,EPC9033,EPC90121,EPC9154,EPC90124,EPC9150,EPC90128,EPC2212,EPC950X,EPC2214,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC9086,EPC90153,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC2100,EPC2221,EPC21701,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90149,EPC9093,EPC90146,EPC9094,EPC90147,EPC2219,EPC9091,EPC2014C,EPC9507,EPC9067,EPC9068,EPC9063,EPC9126HC,EPC9064,EPC9066,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2308,EPC2307,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC9513,EPC9514,EPC9078,EPC2012C,EPC2019,EPC2252,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2029,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC2023,EPC8004,EPC2022,EPC9006C,EPC2010C,EPC7007,EPC2034C,EPC2111,EPC7004,EPC2110,EPC7019,EPC7018,EPC7014,医学,DC-DC CONVERTER,POL转换器,MOTOR DRIVE,ANALOG SWITCHING,汽车,包络跟踪,电动机驱动,AUTOMOTIVE,DC-DC变换器,DC-DC,ENVELOPE TRACKING,激光雷达,无线电源,CLASS-D AUDIO,LED LIGHTING,模拟开关,LED照明,D类音频,直流-直流,LIDAR,WIRELESS POWER,MEDICAL,POL CONVERTER,RF AMPLIFIER,射频放大器

2023/2/11 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓工艺简介

本文介绍了eGaN®技术，这是一种增强型氮化镓（GaN）晶体管和集成电路技术。与硅基器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章强调了GaN器件在降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需功率方面的优势。此外，还讨论了GaN技术的可靠性、成本效益和广泛的应用领域，包括汽车、消费电子、工业和医疗设备。

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2023/1/25 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓工艺简介

该资料介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比传统的硅基功率器件，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。资料详细阐述了eGaN®器件的优势，包括降低导通电阻、减少开关损耗、降低电容和驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、无线充电、LED照明等领域的应用，并提供了相关的设计支持和演示板信息。

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2022/12/20 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓工艺简介

该资料主要介绍了eGaN®技术及其在功率转换领域的应用。eGaN®技术基于氮化镓（GaN）材料，相比传统硅材料，具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。资料详细阐述了eGaN®器件的优势，包括低导通电阻、快速开关、低电容、低驱动功率需求等。此外，还介绍了eGaN®技术的可靠性、成本效益和设计支持，以及其在各种应用中的表现，如汽车、无线充电、LED照明等。

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2022/12/9 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓工艺简介

本文介绍了eGaN®技术，这是一种基于氮化镓（GaN）的增强型场效应晶体管（FET）和集成电路技术。相比传统的硅基器件，eGaN®技术具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章强调了GaN器件在降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需功率方面的优势。此外，还提到了GaN技术的可靠性、成本效益和广泛的应用领域，包括汽车、无线电源、电机驱动、医疗和LED照明等。

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November, 2022 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓工艺简介

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章强调了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、减少开关损耗、降低电容和驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®技术的可靠性、成本效益和广泛的应用领域，如汽车、无线充电、医疗和音频等。

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2022/9/7 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓工艺简介

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、无线充电、医疗和音频等领域的应用。

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2022/8/10 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓工艺简介

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2021/11/17 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓工艺简介

EPC - EGAN®集成电路,ZVS D类无线演示套件,EGAN TRANSISTORS,CLASS 4 WIRELESSS DEMO KIT WIRELESS POWER,EGAN® INTEGRATED CIRCUITS,ENHANCEMENT-MODE GALLIUM NITRIDE INTEGRATED CIRCUITS,CLASS 3无线演示套件,MOTOR DRIVE DEMO,板放大器,非隔离BUCK变换器,ENHANCEMENT-MODE GALLIUM NITRIDE TRANSISTORS,EGAN ICS,多模式无线电源套件,高效率、薄型降压转换器,双向50 W（升压）评估模块,LLC 1/8TH BRICK EVALUATION MODULE,NON-ISOLATED BUCK CONVERTER,WIRELESS RECEIVE DEVICES,EGAN FETS,1/16TH BRICK EVALUATION MODULE,双向功率模块,超薄型多电平转换器,双向1/16砖式评估模块,HIGH EFFICIENCY, THIN BUCK CONVERTER,CLASS 2无线演示套件,氮化镓晶体管,BIDIRECTIONAL 1/16TH BRICK EVALUATION MODULE,CLASS 3 WIRELESS DEMO KIT,激光二极管驱动器演示板,CLASS 4无线演示套件无线供电,BIDIRECTIONAL POWER MODULE,氮化镓场效应晶体管,1/16砖式评估模块,增强型氮化镓集成电路,双向60 W（降压）评估模块,ZVS CLASS D WIRELESS DEMO KIT,CLASS 2 WIRELESS DEMO KIT,氮化镓®晶体管,增强型氮化镓晶体管,LLC 1/8砖式评估模块,氮化镓集成电路,BIDIRECTIONAL 60 W (BUCK) EVALUATION MODULE,EGAN® TRANSISTOR,AMPLIFIER BOARD,BIDIRECTIONAL 50 W (BOOST) EVALUATION MODULE,电机驱动演示,ULTRA-THIN, MULTI-LEVEL CONVERTER,LASER DIODE DRIVER DEMO BOARD,MULTI-MODE WIRELESS POWER KIT,无线接收设备,EPC2212,EPC950X,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC9121,EPC9084,EPC2069,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9137,EPC2065,EPC2100,EPC9014,EPC2067,EPC9097,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC2152,EPC2034,EPC2033,EPC9126HC,EPC9063,EPC9064,EPC8010,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9118,EPC9514,EPC9111,EPC9078,EPC9112,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9046,EPC9047,EPC9048,EPC9162,EPC9041,EPC9163,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2029,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC2023,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9055,EPC9050,EPC9006C,EPC2010C,EPC9001C,EPC2034C,EPC9148,EPC9149,EPC9029,EPC9144,EPC9024,EPC9146,EPC2111,EPC2110,EPC9143,EPC90132,EPC9022,EPC90137,EPC90138,EPC90139,EPC9048C,EPC9038,EPC2007C,EPC9039,EPC9034,EPC21603,EPC9156,EPC9035,EPC9157,EPC9036,EPC7014,EPC21601,EPC9037,EPC9151,EPC90122,EPC9030,EPC9031,EPC90123,EPC9153,EPC9032,EPC90120,EPC9154,EPC9033,EPC90124,EPC9150,激光雷达,医学,DC-DC CONVERTER,POL转换器,无线电源,MOTOR DRIVE,ANALOG SWITCHING,CLASS-D AUDIO,包络跟踪,LED LIGHTING,模拟开关,电动机驱动,DC-DC变换器,LED照明,D类音频,ENVELOPE TRACKING,LIDAR,WIRELESS POWER,MEDICAL,POL CONVERTER,RF AMPLIFIER,射频放大器

November, 2021 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓工艺简介

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比传统的硅基功率转换技术，eGaN®技术具有开关速度更快、尺寸更小、效率更高和成本更低的优势。文章详细阐述了eGaN®技术的特点，包括低导通电阻、快速器件、低电容、低驱动电路功率需求、集成化设计、全面的设计支持等。此外，文章还介绍了eGaN®技术的可靠性、成本效益和适用范围，以及其在不同应用领域的优势。

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2021/07/01 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓工艺简介

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2021/05/16 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。此外，eGaN FET还通过了AEC-Q101车规级认证，确保了器件的可靠性和安全性。

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2023/11/29 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务查看更多版本

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术，旨在提供更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本。与硅MOSFET相比，eGaN FET具有更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。文章还强调了eGaN FET在汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明、无线充电和太阳能应用等领域的应用优势。此外，文章还提到了eGaN FET的可靠性、成本效益和全面设计支持。

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2023/10/6 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能了全新的功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN FET广泛应用于汽车、激光雷达、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等领域。

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2023/9/26 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能了全新的功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN FET广泛应用于汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等领域。

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2023/9/11 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能全新功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN® FET技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。

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2023/7/12 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。文章详细阐述了eGaN® FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和反向恢复方面的性能优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还介绍了eGaN® FET在汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等领域的应用。

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2023/2/11 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，包括更低的阻抗、导通损耗、开关损耗和反向恢复。此外，氮化镓器件具有低成本、可靠性高、易于使用和全面设计支持等特点。文章还列举了eGaN® FET在不同应用中的优势，如汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2023/1/25 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

资料介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。资料还详细介绍了氮化镓器件在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，资料还强调了氮化镓器件的成本效益、可靠性以及全面的设计支持。

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2022/12/20 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，eGaN® FET器件在成本效益、可靠性、简单易用性和全面设计支持方面也具有显著优势。文章还提供了eGaN® FET器件的应用实例和设计资源。

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2022/12/9 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

资料介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。资料还详细说明了氮化镓器件在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的性能提升，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，资料还强调了氮化镓器件的成本效益、可靠性以及全面的设计支持。

EPC - 多模无线电源演示套件,开发板,电源模块,放大器电路板,无线接收器件,升压转换器,超薄多电平转换器,增强型氮化镓功率晶体管,演示板,驱动器演示板,无线电源演示套件,氮化镓场效应晶体管,电机驱动器演示板,1/16砖式转换器评估模块套件,功率模块,EGAN FET,三相无刷直流电机驱动,降压转换器,EGAN集成电路,1/8砖式转换器,评估模块,EPC2212,EPC950X,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC90153,EPC9121,EPC2069,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9137,EPC2065,EPC2100,EPC2067,EPC2221,EPC9014,EPC2066,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90149,EPC9093,EPC90146,EPC9094,EPC90147,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC2032,EPC9067,EPC2152,EPC2031,EPC9068,EPC2034,EPC2033,EPC9126HC,EPC9063,EPC9064,EPC8010,EPC9066,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2308,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9514,EPC9111,EPC9078,EPC9112,EPC2045,EPC2044,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9166,EPC9167,EPC9046,EPC9047,EPC9048,EPC9162,EPC9041,EPC9163,EPC9165,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2302,EPC2001C,EPC2029,EPC2306,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9167HC,EPC9057,EPC2023,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9173,EPC9176,EPC9055,EPC9170,EPC9171,EPC9050,EPC9051,EPC9006C,EPC2010C,EPC9001C,EPC7007,EPC2034C,EPC9148,EPC2071,EPC23101,EPC23102,EPC9144,EPC2111,EPC7004,EPC9146,EPC2110,EPC9143,EPC90132,EPC9022,EPC90137,EPC90138,EPC90139,EPC7019,EPC9048C,EPC7018,EPC9038,EPC2007C,EPC9039,EPC9034,EPC21603,EPC9156,EPC9035,EPC9157,EPC9036,EPC7014,EPC21601,EPC9037,EPC9151,EPC90122,EPC9031,EPC90123,EPC9153,EPC9032,EPC90120,EPC9154,EPC9033,EPC90121,EPC90124,EPC9150,EPC90128,激光雷达,无线电源,汽车,马达驱动器,包络跟踪,医疗应用,DC/DC转换器,负载点转换器,模拟开关,LED照明,电机驱动器,无线充电,D类音频放大器,射频放大器

2022年11月 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，具有更低的阻抗、更低的导通损耗和更小的电容。此外，eGaN® FET器件在成本效益、可靠性、简单易用性方面也具有显著优势。文章还提供了eGaN® FET器件的应用实例和设计资源。

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2022/10/20 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，eGaN FET技术具有成本效益，适用于多种应用，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2022/9/7 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。文章详细阐述了eGaN FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还介绍了eGaN FET在汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等领域的应用。

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2022/4/4 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，一种基于氮化镓的功率晶体管技术。该技术与传统硅MOSFET相比，具有更快开关速度、更小型化和更高效率等优点。文中详细阐述了eGaN FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还提到了eGaN FET的应用领域，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2022/3/2 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

氮化镓场效应晶体管及集成电路的开关性能可实现更高功率密度、更高频率、更高开关精确度、更高总线电压及更少电压过冲。基于氮化镓技术的器件可在不同的功率及电压条件下高效地工作。

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2022/2/8 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出低阻抗、低导通损耗、快速开关、低开关损耗和没有反向恢复等特点。此外，eGaN FET器件具有低成本、成熟工艺、低系统成本、简单易用、可靠性和耐辐射等优点。文章还提供了eGaN FET器件的选型和设计资源，以及其在不同应用中的演示板信息。

EPC - 宽带隙器件,开发板,EPOWER™ STAGE,EPOWER™工作台,EGAN FET及集成电路,演示板,氮化镓场效应晶体管,ETOF™ 激光驱动器,增强型氮化镓晶体管,EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC9121,EPC9084,EPC2069,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9137,EPC2065,EPC2100,EPC2067,EPC9014,EPC9097,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC2032,EPC2152,EPC2031,EPC2034,EPC2033,EPC9063,EPC9126HC,EPC9064,EPC8010,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,EPC950X,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2204,EPC2207,EPC2015C,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9118,EPC9514,EPC9078,EPC9111,EPC9112,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9046,EPC9047,EPC9048,EPC9041,EPC9162,EPC9163,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2029,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC2023,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9006C,EPC9001C,EPC2010C,EPC2034C,EPC9148,EPC9149,EPC9029,EPC9144,EPC9024,EPC9145,EPC2111,EPC9146,EPC2110,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC90137,EPC90138,EPC90139,EPC9048C,EPC9038,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9035,EPC21603,EPC9156,EPC9036,EPC9157,EPC7014,EPC9037,EPC21601,EPC90122,EPC9030,EPC9151,EPC9031,EPC90123,EPC9032,EPC9153,EPC9033,EPC9154,EPC90124,EPC9150,激光雷达,无线电源,汽车,马达驱动器,包络跟踪,医疗应用,开关应用,DC/DC转换器,模拟开关,LED照明,电机驱动器,功率模块,无线充电,脉冲激光二极管,D类音频放大器,评估模块,射频放大器

2021/11/17 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

氮化镓晶体管是一种宽带隙器件，与传统硅晶体管相比，由于具有卓越的传导性能，因此在相同的导通电阻(RDS(on)) 条件下，可实现更小尺寸及更低电容。在开关应用中，增强型(常闭型)的工作模式让功率设计师可发挥氮化镓器件的优势。电容及电感影响开关速度。小型并使用横向结构的氮化镓场效应电晶体(eGaN FET)具备超低电容，同时它的LGA封装具低电感，使得我们在速度、电压过冲及振铃方面可实现前所未有的开关性能。没有反向恢复（QRR）在高频时也可减少损耗。氮化镓场效应晶体管及集成电路的开关性能可实现更高功率密度、更高频率、更高开关精确度、更高总线电压及更少电压过冲。基于氮化镓技术的器件可在不同的功率及电压条件下高效地工作。

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2021年11月 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，具有更低的阻抗、更低的导通损耗和更小的电容。此外，eGaN FET器件在成本效益、可靠性、耐辐射性等方面也具有显著优势。文章还提供了eGaN FET器件的应用实例和选型指南。

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2021 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓场效应晶体管和集成电路视觉特性指南

本文详细介绍了增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）和集成电路（IC）的物理特性，包括视觉标准。文章提供了开发利用增强型GaN FET和IC的电路和系统的工具集，并强调了利用现有生产基础设施提高设备成本效益的重要性。文章还介绍了EPC的GaN晶体管结构，包括其独特的金属层和绝缘层设计，以及如何通过优化封装减少不必要的元件，从而提高性能和可靠性。此外，文章还提供了EPC GaN FET和IC的视觉指南，包括器件的组装和参数表征。

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2023/11/8 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务查看更多版本

增强型氮化镓场效应晶体管和集成电路视觉特性指南

本文详细介绍了增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）和集成电路（IC）的物理特性，包括视觉标准。文章提供了开发利用增强型GaN FET和IC的电路和系统的工具集，并强调了利用现有生产基础设施提高设备成本效益的重要性。文章还介绍了EPC的GaN技术，包括其制造过程和产品特点。

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2023/8/5 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓场效应晶体管和集成电路视觉特性指南

本文详细介绍了增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）和集成电路（IC）的物理特性，包括视觉标准。文章提供了开发利用增强型GaN FET和IC的电路和系统的工具集，并强调了利用现有生产基础设施提高设备成本效益的重要性。文章还介绍了EPC的GaN晶体管结构，包括其独特的金属层和绝缘层设计，以及如何通过优化这些设计来提高性能和可靠性。此外，文章还提供了EPC GaN FET和IC的视觉指南，包括器件的组装和参数表征。

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2023/2/23 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓场效应晶体管和集成电路视觉特性指南

本资料详细介绍了增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）和集成电路（IC）的物理特性，包括视觉标准，以确保设备在发货给客户前满足所有要求。资料提供了GaN技术概述、器件结构、封装设计以及视觉检查标准，旨在帮助用户开发利用增强型GaN FET和IC的先进形式和性能潜力的电路和系统。

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2017/06/16 - 用户指南代理服务技术支持采购服务

EPC2203–汽车80 V（D-S）增强型功率晶体管数据表

本资料为EPC2203增强型功率晶体管的电子数据表。该器件采用氮化镓技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关频率和优异的热性能，适用于汽车、无线充电、音频放大器等领域。

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June 2022 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

EPC2214–汽车80 V（D-S）增强型功率晶体管数据表

本资料为EPC公司的eGaN® FET（增强型场效应晶体管）产品EPC2214的数据手册。该器件采用氮化镓技术，具有高效率、低导通电阻和快速开关特性，适用于汽车电子、无线充电等领域。

EPC - AUTOMOTIVE 80 V (D-S) ENHANCEMENT MODE POWER TRANSISTOR,汽车用80V（D-S）增强型功率晶体管,EPC2214,激光雷达/脉冲功率应用,无线电源传输,LIDAR/PULSED POWER APPLICATIONS,WIRELESS POWER TRANSFER,DC-DC CONVERSION,直流-直流转换

April, 2019 - 数据手册代理服务技术支持采购服务