【产品】17-22GHz全新4级GaAs中功率射频放大器CHA4253-FAA，P1dB为23.5dBm

时间： 2018-10-13 来源：UMS

技术问答

2018年10月31日，CHA4253-FAA是UMS(United Monolithic Semiconductors)公司推出的一款4级GaAs中功率射频放大器，其P1dB为23.5dBm，增益为26dB，广泛应用在商业航空航天、军事、商用通信系统等领域。CHA4253-FAA使用0.15μm pHEMT工艺制程制造，并采用密封式SMD封装，仅有的6x6mm2封装面积不仅能够有效提升系统集成度，同时其先进的制造工艺确保了该芯片组成的系统具有高可靠性和鲁棒性。GaAs中功率射频放大器CHA4253-FAA实物图、封装及引脚分布图分别如图1和图2所示。

图1 GaAs中功率射频放大器CHA4253-FAA实物图

图2 GaAs中功率射频放大器CHA4253-FAA封装及引脚分布图

GaAs中功率射频放大器CHA4253-FAA的主要特性为：

• 宽工作频率范围：17-22GHz

• 高增益：典型值26dB

• 高输出功率以及高线性度：P1dB为23.5dBm，OIP3为33dBm

• 较低的功耗：电源电压4V@230mA

• 工作稳定-40-85度，存储温度-55-150度

• Rohs兼容

GaAs中功率射频放大器CHA4253-FAA的输出功率及PAE与频率特性曲线如图3所示。

图3 GaAs中功率射频放大器CHA4253-FAA输出功率及PAE与频率特性

在应用上，GaAs中功率射频放大器CHA4253-FAA需要为芯片提供两个直流工作电压，其一为D12和D34所代表的漏极电压，典型值为4V；其二是G12和G34所示的栅极偏置电压，典型值为-0.7V，各级的工作电流同样标示在图中。为了确保输入输出端与外部的隔离，需要在引脚上串联隔直电容。除此之外，所有的直流电压引脚都需使用电容进行良好去耦，去耦电容通常选择100pF和10nF，容差为10%的瓷片电容。

图4 GaAs中功率射频放大器CHA4253-FAA电路图

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行行摄摄 Lv7. 资深专家 2019-07-24

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守猪待兔 Lv7. 资深专家 2019-07-21

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用户56731903 Lv9. 科学家 2019-07-16

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学习 Lv4. 资深工程师 2019-06-29

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珍珍 Lv7. 资深专家 2019-06-28

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EEric Lv7. 资深专家 2019-06-25

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MR.XU Lv7. 资深专家 2019-06-22

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用户56731903 Lv9. 科学家 2019-06-18

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乔峰 Lv7. 资深专家 2019-06-16

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