【产品】N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M12025K3/080K3/120K3，导通电阻典型值最低仅为25mΩ

时间： 2020-07-03 来源：派恩杰

技术问答

P3M12025K3、P3M12080K3、P3M12120K3是派恩杰（PN Junction）推出的N沟道增强型碳化硅MOSFET，采用TO-247-3封装，具有高阻断电压，低导通电阻，P3M12025K3导通电阻典型值25mΩ，P3M12080K3导通电阻典型值80mΩ，P3M12120K3导通电阻典型值120mΩ。可提高系统效率和功率密度，减少散热器需求，节省系统成本，符合RoHS标准，无卤素。可应用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器，高压DC / DC转换器等领域。

产品外形结构图

产品特性：

· 高阻断电压和低导通电阻

· 高频操作

· 超小型Q_gd

· 经过100％的UIS测试

产品优点：

· 提高系统效率

· 提高功率密度

· 减少散热器需求

· 节省系统成本

产品应用：

· 太阳能逆变器

· 电动汽车电池充电器

· 高压DC/DC转换器

· 开关电源

最大额定值（除非另有说明，否则在TJ = 25℃时）：

产品尺寸图：

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P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃

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