【产品】N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M12025K3/080K3/120K3，导通电阻典型值最低仅为25mΩ

时间： 2020-07-03 来源：派恩杰

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N沟道增强型碳化硅MOSFET,P3M12025K3,P3M12080K3,P3M12120K3

P3M12025K3、P3M12080K3、P3M12120K3是派恩杰（PN Junction）推出的N沟道增强型碳化硅MOSFET，采用TO-247-3封装，具有高阻断电压，低导通电阻，P3M12025K3导通电阻典型值25mΩ，P3M12080K3导通电阻典型值80mΩ，P3M12120K3导通电阻典型值120mΩ。可提高系统效率和功率密度，减少散热器需求，节省系统成本，符合RoHS标准，无卤素。可应用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器，高压DC / DC转换器等领域。

产品外形结构图

产品特性：

· 高阻断电压和低导通电阻

· 高频操作

· 超小型Q_gd

· 经过100％的UIS测试

产品优点：

· 提高系统效率

· 提高功率密度

· 减少散热器需求

· 节省系统成本

产品应用：

· 太阳能逆变器

· 电动汽车电池充电器

· 高压DC/DC转换器

· 开关电源

最大额定值（除非另有说明，否则在TJ = 25℃时）：

产品尺寸图：

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派恩杰推出的P3M173K0T3、P3M173K0F3是1700V N沟道增强型碳化硅MOSFET，P3M173K0T3采用TO-220-3封装，P3M173K0F3采用TO-220F-3封装，导通电阻低，可在高频下工作。具有超小的栅极到漏极电荷，通过100% UIS测试。

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P3M12025BD、P3M12080BD是派恩杰（PN Junction）推出的N沟道增强型碳化硅MOSFET，具有高阻断电压，低导通电阻，P3M12025BD阻值仅为25mΩ，P3M12080BD阻值为80mΩ。可提高系统效率和功率密度，减少散热器需求，节省系统成本，符合ROHS标准，无卤素。可应用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器，高压DC / DC转换器等领域。

2020-06-30 - 新产品代理服务技术支持采购服务

派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南

目录- 碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET

型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

派恩杰 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表

派恩杰推出碳化硅场效应管(SiC MOSFET)，覆盖常规封装TO247-3,TO247-4,TOLL,TO263-7等，RDS：13-3000毫欧，温度高达175℃

产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃

选型表 - 派恩杰立即选型

P3M12080K3 N沟道增强型SiC MOS

描述- 该资料介绍了PNJ半导体公司的P3M12080K3型碳化硅（SiC）MOSFET器件。这是一种N沟道增强型MOSFET，具有高阻断电压和低导通电阻的特点。资料详细说明了其最大额定值、电气特性、热特性和典型性能，并提供了应用信息和订购信息。

型号- P3M12080K3

May. 2022 - 派恩杰 - 数据手册 - Ver.C.0 代理服务技术支持采购服务

派恩杰的SiC MOSFET产品顺利通过AC BTI可靠性测试，性能稳定可靠

作为一种更接近实际应用的可靠性测试方法，AC BTI能够更加准确的评估SiC MOSFET芯片的可靠性，在同等试验条件下，平面栅的SiC MOSFET的AC BTI可靠性优于沟槽栅的可靠性。

2022-10-21 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

【经验】针对SiC串扰抑制方法的测试报告解析

本文将针对SiC串扰抑制方法的测试报告进行解析，本次采用派恩杰SiC MOSFET P3M12080K3进行串扰测试。P3M12080K3这个产品封装是TO247-3，这种封装相对来说串扰会更大，更便于观察电路对串扰大小的调节效果。

2022-02-11 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

LSIC1MO170E1000 1700 V N沟道增强型SIC MOSFET

描述- 该资料详细介绍了LSIC1MO170E1000型碳化硅(SiC) MOSFET二极管的规格、特性及应用。该器件具有1700伏耐压、1000毫欧姆导通电阻，适用于高频、高效率应用。

型号- LSIC1MO170E1000

07/16/18 - LITTELFUSE - 数据手册代理服务技术支持采购服务

派恩杰对1200V80mΩ的SiC MOSFET进行马拉松实验，产品可靠性远超车规要求

派恩杰团队近期结束了1200V80mΩ的P3M12080K3产品为期100天的马拉松实验。实验中，派恩杰选取了合适的栅压条件Vgs=25V，环境温度也是严苛的175℃。实验结果：派恩杰产品在目前的筛选条件下，能够很好地消除SiC材料的失效风险。

2022-08-05 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

派恩杰携自研功率器件产品出席CPEEC＆CPSSC 2023，分享800V电压平台车规级器件技术与发展趋势

2023中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十六届学术年会及展览会（CPEEC ＆ CPSSC 2023）于2023年11月10-13日在广州召开。派恩杰应邀出席，半导体应用主任工程师雷洋博士在大会做专题工业报告——《面向800V电压平台的车规级碳化硅功率器件技术现状与发展趋势》。此外，派恩杰半导体也在现场展示最新技术及应用成果，展位号：三楼 3-015。

2023-11-15 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

派恩杰半导体携国产自研650V-1700V碳化硅器件及功率模块亮相2023第三届全球xEV驱动系统技术暨产业大会

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2023-07-07 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

派恩杰（PN Junction）公司简介

型号- P2D06006T2,P3D06010F2,P3M12025BD,P2D06004T2,P3D06016K3,P2D06010T2,P2D12010T2,P3D06008F2,P3D12010T2,P3M12120K3,P3M12080K4,P3D06010T2,P3M12080K3,P3M06040K3,P3D06006T2,P3D06020K3,P3M173K0K3,P3D06008T2,P3M12025K3

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