英诺赛科氮化镓芯片进入安克、倍思、联想、摩托罗拉、OPPO等一线供应链，出货超1.7亿颗

氮化镓器件相比传统的硅器件，能大幅度提高效率、缩小产品体积，同时有效减少排放，实现更低碳的系统设计。作为第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，英诺赛科采用IDM全产业链模式，集市场应用与分析、芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，其生产的芯片全面覆盖消费电子领域，并逐渐延伸至工业、汽车领域。

英诺赛科应用产品合集

英诺赛科作为全球产能最高、出货量最大的氮化镓器件厂商，已出货超1.7亿颗氮化镓芯片，以下是充电头网整理的部分英诺赛科产品。

INN150LA070A

INN150LA070A，是一颗耐压150V，导阻7mΩ的增强型氮化镓单管。

图 1

INN150LA070A采用倒装FCLGA3.2*2.2封装，die与焊盘具有更大的接触面积，更低的热阻，有效降低温升，显著提升散热性能。

图 2

其具有非常低的栅极电荷和超低的导通阻抗，可有效减小驱动损耗和导通损耗，加之其超小的封装，适合应用于AC-DC的同步整流，D类功放，高频DC-DC转换器，通信基站和马达驱动。

INN650DA04

INN650DA04是InnoGaN系列第二代新品，耐压650V，导阻480mΩ（max）。

图 3

其具备高频高效、极低损耗、快速主动散热等特点。

图 4

采用DFN5*6封装，可帮助客户实现小体积、高效率的快充方案设计。

INN650D150A

INN650D150A是一颗耐压650V的氮化镓高压单管，瞬态耐压750V，导阻150mΩ。

图 5

INN650D150A支持超高开关频率，无反向恢复电荷，具有极低的栅极电荷和输出电荷，符合JEDEC标准的工业应用要求，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。

图 6

INN650D150A支持AC-DC，DC-DC转换器应用，支持图腾柱PFC应用，支持电池快充，高功率密度和高能效转换应用。

INN650DA260A

INN650DA260A，这是一颗高性价比、耐压650V的氮化镓高压单管，瞬态耐压750V。

图 7

INN650DA260A采用DFN5*6封装，相比DFN8*8，体积明显减小。

图 8

得益于工艺改进，相比英诺赛科之前的氮化镓器件，性能有明显的提升，可用于开关电源、DC-DC转换、图腾柱PFC、电池快充、高能效高功率密度功率转换应用。

VGaN-INN040W048A

INN040W048A是英诺赛科新推出的VGaN系列产品，其耐压为40V，导阻仅有4.8mΩ。

图 9

英诺赛科VGaN系列产品具备无体二极管、低导通阻抗等特性，仅用一颗氮化镓芯片就能代替两颗硅MOSFET。相同占板面积下，其导通电阻降低50%，温升降低40%，可以大幅度提高手机内部空间利用率。

图 10

VGaN系列下的 INN040W048A，体积小巧，并具有低栅极电荷、低导通电阻的特点，特别适用于高频DC-DC转换器、负载开关、移动电源、PC电源、电机驱动等应用领域。

应用案例

充电头网整理了英诺赛科近两年的拆解报告，从中挑选了一些性能品质优越的产品，涉及安克、倍思、iQOO、联想、绿联、Mophie、摩托罗拉、努比亚、OPPO、realme真我、首诺信、闪极、TFGIC、ZTE中兴，共14个知名品牌，19个应用案例。

安克65W氮化密超能充

安克这款65W超能充采用时下热门柱状造型加2C1A接口配置，算是对超能充系列进一步补充，扩大目标群体。

图 11

安克这款65W超能充采用时下热门柱状造型加2C1A接口配置，算是对超能充系列进一步补充，扩大目标群体。

图 12

产品外观依旧极具辨识度，配备折叠插脚方便用户携带外出。整体兼容QC、AFC、FCP、SCP、PE2.0、PD3.0、PPS全主流快充协议，可以满足市面上绝大多数品牌设备快充需求，如可以拿来给Mac和iPhone 13同时快充等。

图 13

其内部的氮化镓开关管采用英诺赛科INN650DA260A，这是一颗高性价比、耐压650V的氮化镓高压单管，瞬态耐压750V，得益于工艺改进，相比英诺赛科之前的氮化镓器件，性能有明显的提升，适用于65-120W的反激架构，120-200W的LLC架构。

安克65W全氮化镓快充插座

安克这款GaNPrime系列 65W全氮化镓快充插座。全氮化镓技术在原边使用氮化镓的同时，副边同步整流也使用氮化镓，利用氮化镓的性能优势，进一步挖掘充电器的性能潜力。

图 14

其采用软胶的外壳设计，电线收纳十分方便，并且非常美观。插座配有两个新国标五孔AC插座，同时拥有安全门，能防止异物插入，确保安全。并具备2C1A三个输出接口，两个USB-C接口支持65W快充输出，并支持功率盲插，满足笔记本和手机充电需求。

图 15

氮化镓同步整流管来自英诺赛科，型号INN150LA070A，是一颗耐压150V，导阻7mΩ的增强型氮化镓单管，具有非常低的栅极电荷和超低的导通阻抗，可有效减小驱动损耗和导通损耗，加之其超小的封装，适合应用于AC-DC的同步整流，D类功放，高频DC-DC转换器，通信基站和马达驱动。

倍思40W氮化镓桌面插座

倍思推出的快充插座在USB口的功率上也不断扩大，这款相比之前的插座，功率从30W提升到40W，让消费者能得到更快的充电体验。

图 16

其支持40W快充输出，能够同时满足两台苹果手机快充。插线板还内置触摸开关和数字保护电路，在异常时可以自动切断电源，保护用电设备。

图 17

其内部的氮化镓功率芯片采用英诺赛科INN650DA04，耐压650V，导阻480mΩ（max），具备高频高效、极低损耗、快速主动散热等特点，同时采用DFN5*6封装，实现小体积、高效率的充电器设计。

联想小新CC 100W氮化镓充电器

Lenovo联想旗下YOGA和小新两大品牌相继发力，分别推出了YOGA 130W双C口氮化镓快充充电器和小新CC100W氮化镓充电器，而这一款CC100W氮化镓充电器，与市面的双C口上下设计截然不同。

图 18

该款充电器为灰色配色，机身哑光和亮面结合设计，加上直角与弧面过渡的端角设计，整体形象也显得很独特。配备折叠插脚携带方便，两个C口同侧左右分布，均支持最大100W快充，总功率也是100W，支持QC、FCP、PE和PD快充协议。清新的外观、便携、大功率、多设备充电均是其优点。

图 19

充电头网拆解发现，其内部的高压开关MOS管采用英诺赛科INN650D02氮化镓功率芯片，额定耐压为650V，峰值耐压750V，导阻低至0.2Ω，符合JEDEC标准的工业应用要求，支持ESD保护，支持开尔文源极，最高工作温度150℃。

绿联200W氮化镓桌面充电器

绿联推出的这款200W氮化镓桌面充电器性能强大，堪称充电界的“巨无霸”。

图 20

充电器是经典商务外观设计，整体扁平方块造型，顶面喷刷银灰色涂料，边缘是亮面环设计，整体看去很有气质。其中两个USB-C1与USB-C2均支持100W功率输出，可同时为两台笔记本全速充电，性能十分强大，其4C+2A的组合，满足办公桌面的电源配置，为手机，笔记本电脑以及移动电源全部充电全能包揽，堪称新一代的万能充。

图 21

其内部的PFC升压开关管采用英诺赛科INN650D260A氮化镓功率器件，额定耐压为650V，导阻260mΩ，符合JEDEC标准的工业应用要求，支持ESD保护，支持开尔文源极。最高工作温度150℃。

摩托罗拉125W氮化镓充电器

针对motoX30 Pro手机手机用户，摩托罗拉手机标配的125W快充，在7分钟即可为手机充入一半电量，19分钟即可充满手机，临时出门充电不再需要漫长等待。

图 22

这款摩托罗拉125W氮化镓充电器通体黑色，外壳表面也是全部磨砂处理，可以有效抗指纹。为固定插脚设计，黑色磨砂外壳，亮面字体表示支持125W输出功率。充电器具备100W通用快充输出和5A PPS输出，对主流安卓手机快充兼容性都很好，可为笔记本电脑充电。

图 23

其内部的氮化镓开关管来自英诺赛科，为定制型号，丝印65DAL01A，实际型号为INN650DAL01A。是一颗耐压650V的增强型氮化镓高压单管，支持超高开关频率，无反向恢复电荷，具有极低的栅极电荷和输出电荷，符合JEDEC标准的工业应用要求，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规。

OPPO Reno7pro手机

Reno7 Pro内置电池容量为4500mAh，支持65W超级闪充，标配充电器数据线，充电5分钟刷剧5小时，充得快又不烫手。

图 24

为保持在快充领域的领先优势，OPPO 联合英诺赛科创新性地将氮化镓导入手机主板，成功将 VGaN INN040W048A 导入 OPPO Reno7pro 等一系列手机。

图 25

采用英诺赛科VGaN系列INN040W048A，OPPO Reno7pro手机实现全链路氮化镓快充。在相同占板面积下，INN040W048A低导阻、低温升的特性，能大大提高手机内部空间利用率，为用户提供更高效的快充体验。

首诺信 65W/45W PD车充

首诺信这次推出氮化镓车载充电器将完善了大功率迷你车充产品线，定位于高需求用户群。

图 26

首诺信拥有100多个外观设计专利以及30多个实用性新型专利，现有铝合金系列，塑胶系列，全铜系列，锌合金系列等三百多款产品，这款迷你氮化镓车载充电器壳体采用铝合金制作，表面硬氧处理工艺，色彩有黑色、深空灰两种可选，功率方面共提供了65W、45W两款可选。机身长度仅为40mm，输出面板直径23mm，插入点烟器后十分娇小。

图 27

这款全球最小的65W/45W PD车充，仅有硬币大小，与Si 20W PD产品尺寸相当，其内部便采用了英诺赛科 INN040FQ043A，使得产品体积得到极致的缩小。

闪极Retro 35W充电器

这款闪极的充电器物如其名，外观仿照老式电视机进行设计，外壳颜色复古极具年代感，正面边缘倒角处理，整体非常小巧精致。

图 28

闪极35W氮化镓充电器采用了经典的麦金塔设计，向人们传达早期科技产品的魅力，充电器采用模拟电脑显示屏设计，通过不同颜色展示充电器的输出状态。充电器输出支持20V输出，能够兼容笔记本电脑充电，同时支持33W PPS输出，对于安卓和苹果手机的充电兼容性都很好。

图 29

其内部的氮化镓功率芯片采用英诺赛科INN650DA04，耐压650V，导阻480mΩ（max），具备高频高效、极低损耗、快速主动散热等特点，同时采用DFN5*6封装，实现小体积、高效率的充电器设计。

ZTE中兴65W氮化镓快充充电器

作为一款65W氮化镓快充，中兴这款65W氮化镓快充充电器主打轻巧便携，其功率密度约为0.88W/cm³。

图 30

其采用纯白色机身+折叠插脚设计，简约美观。得益于氮化镓功率器件的采用，充电器在体积方面相对于传统充电器而言有着巨大优势，便携性提升。性能方面，最大65W的功率以及多种主流协议加持，能够满足大部分产品的充电需求。

图 31

充电头网拆解了解到，这款充电器采用了高频QR反激拓扑的电源架构，初级侧使用了来自英诺赛科的INN650D02氮化镓开关管，这是一颗DFN8*8封装，耐压650V，内阻低至0.2Ω的GaN管，努比亚65W氘锋氮化镓充电器能保持玲珑身材的关键就在于此，和传统硅开关管相比，INN650D02的高频特性好，开关损耗小，散热性能强，完美的契合了未来手机PD快充对于大功率，小尺寸，高效率的痛点。

英诺赛科高频高效的氮化镓芯片可以帮助客户设计更高功率密度的电源解决方案，其产品已被三星，OPPO，VIVO，华硕，努比亚，绿联，多家知名品牌和厂商所采用，今年年初与VGaN系列产品，以创新的方式将氮化镓芯片内置于手机，实现手机全链路氮化镓快充。

英诺赛科以开拓者的身份，在芯片探索的道路上砥砺前行，在氮化镓革命的浪潮上奋楫争先，搭建了全球首条产能最大的8英寸硅基氮化镓量产线。在如今氮化镓发展的黄金时代，凭借其产能及InnoGaN器件的独特优势，英诺赛科已跃然成为“芯”中的行业翘楚。