【产品】锐骏半导体推出N通道高级功率MOSFET RUH4040M3,漏源导通电阻典型值可低至7mΩ
RUH4040M3是锐骏半导体推出的N通道高级功率MOSFET,器件具有超低导通电阻,100%雪崩测试,采用锐骏半导体先进的RUISGTTM技术,提供无铅和绿色设备(符合RoHS标准),可应用于DC/DC转换器、服务器的板载电源、同步整流应用等领域。
特点
40V/40A,
RDS (ON) =7mΩ(典型值)@VGS=10V
RDS (ON) =12mΩ(典型值.)@VGS=4.5V超低导通电阻
采用锐骏半导体先进的RUISGTTM技术
100%雪崩测试
提供无铅和绿色器件
应用
DC/DC转换器
服务器的板载电源
同步整流应用场合
引脚说明
绝对最大额定值
电气特性(TC=25℃除非另有说明)
注意:
①最大电流受源极绑定限制。
②脉冲宽度受安全操作区域限制。
③安装在1英寸方形铜板上时,t 10sec。
④受限于Tjmax,IAS=9A,VDD=32V,RG=50Ω,起始TJ=25℃
⑤脉冲测试;脉冲宽度300s,占空比2%。
⑥由设计保证,不经过生产测试。
器件订购信息
典型值特性
封装信息
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服务
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实验室地址: 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
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