【产品】锐骏半导体推出N通道高级功率MOSFET RUH4040M3，漏源导通电阻典型值可低至7mΩ
RUH4040M3是锐骏半导体推出的N通道高级功率MOSFET，器件具有超低导通电阻，100%雪崩测试，采用锐骏半导体先进的RUISGTTM技术，提供无铅和绿色设备(符合RoHS标准)，可应用于DC/DC转换器、服务器的板载电源、同步整流应用等领域。
特点
40V/40A,
RDS (ON) =7mΩ(典型值)@VGS=10V
RDS (ON) =12mΩ(典型值.)@VGS=4.5V超低导通电阻
采用锐骏半导体先进的RUISGTTM技术
100%雪崩测试
提供无铅和绿色器件
应用
DC/DC转换器
服务器的板载电源
同步整流应用场合
引脚说明
绝对最大额定值
电气特性(TC=25℃除非另有说明)
注意：
①最大电流受源极绑定限制。
②脉冲宽度受安全操作区域限制。
③安装在1英寸方形铜板上时，t 10sec。
④受限于Tjmax，IAS=9A，VDD=32V，RG=50Ω，起始TJ=25℃
⑤脉冲测试；脉冲宽度300s，占空比2%。
⑥由设计保证，不经过生产测试。
器件订购信息
典型值特性
封装信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由清酒翻译自锐骏半导体，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】符合RoHS规范的N沟道功率MOSFET-RUH120N90M，漏-源导通电阻典型值可低至6.2mΩ
RUH120N90M是锐骏半导体推出的N通道高级功率MOSFET，器件具有超低导通电阻，100%雪崩测试，采用锐骏半导体先进的RUISGTTM技术，提供无铅和绿色设备(符合RoHS标准)，可应用于反激变换器的同步整流应用场合、PD适配器、移动电源等领域。
RU30D20M3双N沟道高级功率MOSFET
描述- 本资料介绍了RU30D20M3双通道高级功率MOSFET的特性、引脚描述、绝对最大额定值、电气特性、动态特性、门极电荷特性以及订购和标记信息。该器件采用Ruichips先进的沟槽技术，具有优异的QgxRDS(on)产品（FOM）性能，适用于开关应用系统、服务器板载电源和同步整流。
型号- RU30D20M3
RUH40D40M双N沟道高级功率MOSFET
描述- 本资料介绍了RUH40D40M双通道高级功率MOSFET的特性、绝对最大额定值、电气特性、典型特性和封装信息。该器件具有低导通电阻、快速开关速度等特点，适用于DC/DC转换器和锂电池保护等领域。
型号- RUH40D40M
PTD20G15 150V/20A N沟道高级功率MOSFET
描述- PTD20G15是一款150V/20A的N通道高级功率MOSFET，具有改进的dv/dt能力和高鲁棒性。该产品适用于电视电源、LED照明电源和DC/DC转换器等领域。
型号- PTD20G15
RUH4040M3 N沟道高级功率MOSFET
描述- 本资料介绍了RUH4040M3型N通道增强型功率MOSFET的特性、绝对最大额定值、电气特性、典型特性和封装信息。该器件具有低导通电阻、优异的热阻和良好的开关性能，适用于DC/DC转换器、服务器板载电源和同步整流等应用。
型号- RUH4040M3
RU3040M3 N沟道高级功率MOSFET
描述- 本资料介绍了RU3040M3型N通道高级功率MOSFET的特性、绝对最大额定值、电气特性、典型特性曲线和应用领域。该器件具有高密度细胞设计、快速开关速度、低栅极电荷等特点，适用于服务器板载电源和同步整流等应用。
型号- RU3040M3
RUQ4040M2 N沟道高级功率MOSFET
描述- 本资料详细介绍了RUQ4040M2型N通道高级功率MOSFET的特性，包括其电气特性、热特性、封装信息等。该产品适用于汽车系统、PWM应用、功率管理等，具有低导通电阻、高可靠性等特点。
型号- RUQ4040M2
RU40120M N沟道高级功率MOSFET
描述- 本资料介绍了RU40120M型号的N通道增强型功率MOSFET。该器件具有高密度细胞设计、超低导通电阻、快速开关速度等特点，适用于直流/直流转换器和电源供应等领域。
型号- RU40120M
【应用】国产N通道高级功率MOSFET RUH4040M3用于DC-DC转换器，漏源导通电阻典型值低至7mΩ
某客户在设计一款小功率DC-DC转换器，输入电压36V，输出电压5V。在该项目中需求一款N通道高级功率MOSFET。参数要求：漏源电压40V，连续漏极电流40A，要求贴片封装，要求国产品牌。本文推荐锐骏半导体N通道高级功率MOSFET RUH4040M3。
SL2318 40V/4.1A N沟道高级功率MOSFET
描述- 该资料介绍了SL2318型N通道高级功率MOSFET的特性。它具有低导通电阻、4.5V逻辑电平控制等特点，适用于负载开关、DC/DC转换器和切换电路等应用。
型号- SL2318
RUH40130L N沟道高级功率MOSFET
描述- 本资料介绍了RUH40130L型N通道增强型功率MOSFET的特性、绝对最大额定值、电气特性、典型特性和订购信息。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的可靠性与鲁棒性，适用于直流/直流转换器、服务器板载电源和快速充电等领域。
型号- RUH40130L
RUH4040M3-A N沟道高级功率MOSFET
描述- 本资料介绍了RUH4040M3-A型N通道增强型功率MOSFET的特性、绝对最大额定值、电气特性、典型特性和封装信息。该器件具有低导通电阻、优异的热阻和良好的开关性能，适用于DC/DC转换器、服务器板载电源和同步整流等领域。
型号- RUH4040M3-A
RUH85231S N沟道高级功率MOSFET
描述- 本资料介绍了RUH85231S N-通道高级功率MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件采用Ruichips先进的RUISGT™技术，具有低导通电阻、优异的热阻性能和宽工作温度范围。适用于电机驱动、DC/DC转换器和不间断电源等领域。
型号- RUH85231S,RUH85231S-R
RUH1H300T N沟道高级功率MOSFET
描述- 本资料介绍了RUH1H300T型号的N通道高级功率MOSFET的特性、引脚描述、绝对最大额定值、电气特性、典型特性和订购信息。该器件采用Ruichips先进的RUISGTTM技术，具有低导通电阻、优异的Qg和RDS(on)性能，适用于BMS、电机驱动器、不间断电源、同步整流和开关应用。
型号- RUH1H300T
RUH30J30M N沟道高级功率MOSFET
描述- 本资料介绍了RUH30J30M双通道先进功率MOSFET的特性、绝对最大额定值、电气特性、典型特性、热阻、订购信息和封装信息。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性，适用于直流/直流转换器、服务器板载电源和同步整流等应用。
型号- RUH30J30M
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论