【产品】锐骏半导体推出N通道高级功率MOSFET RUH4040M3，漏源导通电阻典型值可低至7mΩ
RUH4040M3是锐骏半导体推出的N通道高级功率MOSFET，器件具有超低导通电阻，100%雪崩测试，采用锐骏半导体先进的RUISGTTM技术，提供无铅和绿色设备(符合RoHS标准)，可应用于DC/DC转换器、服务器的板载电源、同步整流应用等领域。
特点
40V/40A,
RDS (ON) =7mΩ(典型值)@VGS=10V
RDS (ON) =12mΩ(典型值.)@VGS=4.5V超低导通电阻
采用锐骏半导体先进的RUISGTTM技术
100%雪崩测试
提供无铅和绿色器件
应用
DC/DC转换器
服务器的板载电源
同步整流应用场合
引脚说明
绝对最大额定值
电气特性(TC=25℃除非另有说明)
注意：
①最大电流受源极绑定限制。
②脉冲宽度受安全操作区域限制。
③安装在1英寸方形铜板上时，t 10sec。
④受限于Tjmax，IAS=9A，VDD=32V，RG=50Ω，起始TJ=25℃
⑤脉冲测试；脉冲宽度300s，占空比2%。
⑥由设计保证，不经过生产测试。
器件订购信息
典型值特性
封装信息
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