【产品】-20V/-16A P沟道增强型场效应晶体管YJQ1216A，封装为DFN2020-6L
扬杰科技的P沟道增强型场效应晶体管YJQ1216A，采用沟槽式场效应管技术，使用高密度单元设计，具有低的RDS（ON），可高速开关。该产品采用DFN2020-6L的封装，漏源电压为-20V，漏极电流为-16A（TA=25℃时），其产品图如图1。
图1 产品图和内部电路图
产品概述：
● VDS= -20V
● ID =-16A
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ＜17 mohm
● RDS(ON)( at VGS=-2.5V) ＜21 mohm
● RDS(ON)( at VGS=-1.8V) ＜28 mohm
产品特点：
•沟槽式场效应管技术
•高密度单元设计，低RDS（ON）
•高速开关
产品应用：
•电池保护
•负载开关
•电源管理
表1 最大额定值
表2 电气特性
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
|
VGS(V)
|
Tj(℃）
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
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0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
|
3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
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1.6
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Standard
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选型表 - 扬杰科技 立即选型
YJG50P04AJQ P沟道增强型场效应晶体管
描述- 本资料介绍了YJG50P04AJQ型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件具有高密度设计以实现低导通电阻，适用于电源开关应用。
型号- YJG50P04AJQ
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型号- YJL3401AL
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型号- YJS06GP06A
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型号- YJQ110GP10AQ
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型号- YJD28GP10A
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型号- YJG50P04AJ
电子商城
品牌：扬杰科技
品类：P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
价格：￥0.1200
现货： 3,065
现货市场
服务
提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/上海 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
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