【产品】-20V/-16A P沟道增强型场效应晶体管YJQ1216A，封装为DFN2020-6L
扬杰科技的P沟道增强型场效应晶体管YJQ1216A，采用沟槽式场效应管技术，使用高密度单元设计，具有低的RDS（ON），可高速开关。该产品采用DFN2020-6L的封装，漏源电压为-20V，漏极电流为-16A（TA=25℃时），其产品图如图1。
图1 产品图和内部电路图
产品概述：
● VDS= -20V
● ID =-16A
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ＜17 mohm
● RDS(ON)( at VGS=-2.5V) ＜21 mohm
● RDS(ON)( at VGS=-1.8V) ＜28 mohm
产品特点：
•沟槽式场效应管技术
•高密度单元设计，低RDS（ON）
•高速开关
产品应用：
•电池保护
•负载开关
•电源管理
表1 最大额定值
表2 电气特性
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品牌：扬杰科技
品类：P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
价格：￥0.1200
现货： 3,065
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