【产品】-20V/-16A P沟道增强型场效应晶体管YJQ1216A，封装为DFN2020-6L
扬杰科技的P沟道增强型场效应晶体管YJQ1216A，采用沟槽式场效应管技术，使用高密度单元设计，具有低的RDS（ON），可高速开关。该产品采用DFN2020-6L的封装，漏源电压为-20V，漏极电流为-16A（TA=25℃时），其产品图如图1。
图1 产品图和内部电路图
产品概述：
● VDS= -20V
● ID =-16A
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ＜17 mohm
● RDS(ON)( at VGS=-2.5V) ＜21 mohm
● RDS(ON)( at VGS=-1.8V) ＜28 mohm
产品特点：
•沟槽式场效应管技术
•高密度单元设计，低RDS（ON）
•高速开关
产品应用：
•电池保护
•负载开关
•电源管理
表1 最大额定值
表2 电气特性
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
|
VDSS(V)
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ID(A)
|
PD(W)
|
VGS(V)
|
Tj(℃）
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
|
Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
|
3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
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1.6
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Standard
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