致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）
瑶芯微电子科技（上海）有限公司主要致力于功率器件和智能传感器的设计、研发和销售，主营产品为功率器件（中低压Trench MOS以及SGT MOS，高压SJ超结MOS以及SiC MOS和SiC 二极管）和MEMS传感器以及匹配的信号处理芯片。主要应用领域为： 消费类和工业类以及车用的功率器件应用（比如手机快充，工业开关电源，储能逆变器，各种电机驱动，锂电池保护板等应用）以及消费类电子市场、医疗与工控领域的MEMS传感器产品，主要针对市场上手机以及以智能家居（比如智能音箱，智能TV遥控器）、可穿戴设备（比如TWS耳机）车联网等AIoT、以及家居医疗器械方面的应用。提供了自有知识产权的可国产替代的高可靠性和高性价比的功率器件和MEMS传感器产品，作为各种交互入口的提供商，最终实现高中低端产品国产化全覆盖。
Power
◎ 中低压MOSFET：Trench、SGT系列中低压MOS，在工艺上对体二极管恢复时间做优化，大幅度抑制了开关振荡，减小开关损耗。结合低导通电阻（Ron），使整个系统发热降低，提高系统效率。电压范围覆盖30V~200V范围各种电流规格以及各种封装方式，适合电机驱动，快充，开关电源，LED等系统应用。
◎高压超结SJ MOSFET：产品具有低导通电阻RDS(ON)，更快的开关速度及更柔和的开关曲线，可以提高系统效率，降低发热量，简化系统EMI设计，同时产品相比常规高压mos，具备更佳性价比。产品电压涵盖500V~900V，单颗最大电流可达100A，工作频率高达2MHz以上，可以满足各种电源系统的需求。
◎IGBT：采用主流的 Trench Field Stop IGBT 设计，在工艺和结构的优化下，进一步提高电流密度，在导通压降与开关损耗之间做到权衡，能提高系统效率。产品具备优秀的短路能力，出色的 EMI 特性，可靠的开关速度控制力，电压等级650V/1200V，电流覆盖35A~100A。
◎快恢复二极管FRD：先进的平面结终端保护结构以及电子辐照控制少子寿命保证了该产品具有最佳的综合参数，具备超快恢复，软度好，低漏电等特性。电压等级650/750/1200V，同时可作为低压转换和断路电机驱动的续流二极管。
SiC
◎SiC JBS：反向恢复速度提高了几十到上百倍，硬开关损耗低。提高了系统的开关效率，可以做出更高频开关系统。SiC二极管覆盖650V~1200V电压需求。
◎SiC MOSFET：具备优秀的动静态特性，电压范围1200V以下，能够提供更高效率，适合更极端环境的第三代半导体器件。
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