【产品】萨瑞微推出采用0603封装的3.3V双向TVS二极管,结电容最大25pF

2022-05-08 萨瑞微电子
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SEN3301P0萨瑞微电子一款3.3V双向TVS二极管,采用领先的单片硅技术提供快速响应时间和低 ESD 钳位电压,使该器件成为保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。小尺寸封装和高ESD浪涌保护能力使 SEN3301P0 成为保护手机、数码相机、音频播放器和许多其他便携式应用的理想方案选择。


器件符号图

特点

●低结电容

●工作电压:3.3V

●钳位电压低

2-pin脚无引线封装

●符合RoHS


机械特性

●封装:DFN0603-2L (0.6X0.3X0.3mm)

引脚处理:雾锡

外壳材质:绿色环保塑封

●UL可燃性分类等级UL 94V-0

●湿度敏感度:J-STD-020 3 级


应用

●蜂窝手机和配件

●个人数字助理

●笔记本和掌上电脑

●便携式仪器、数码相机、外围设备

●音频播放器、键盘、侧键、液晶显示器


主要参数(TA= 25℃)

●反向工作电压:最大3.3V

●击穿电压:最小3.8V@1mA

●反向泄漏电流:典型值0.01μA@VRWM=3.3V

●钳位电压:最大6V@IPP = 1A(8 x 20µs 脉冲)

●钳位电压:最大8V@IPP = 5A(8 x 20µs 脉冲)

钳位电压:最大10V@IPP = 8A(8 x 20µs 脉冲)

●结电容:最大25pF@VR = 0V, f = 1MHz


订购信息

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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产品型号
品类
极性
Max Reverse Working Voltage VRWM(V)
Junction Capacitance Cj(pF)
Peak Pulse Current IPP@8/20uS(A)
Min Breakdown Voltage VBR(V)
Max Breakdown Voltage(V)
Max Leakage Current IR@VRWM(uA)
Max Clamping Voltage VC@lpp1A 8/20uS(V)
Max Clamping Voltage Vc@Ipp=Max Clamping Voltage(V)
Max Peak Pulse Power PPP(W)
Marking
SEL0201P0
ESD Diode
双向
2.5
20
8
3.1
4.5
0.2
4.2
7
55
C02

选型表  -  萨瑞微电子 立即选型

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型号- JEB05LCDF

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描述- 本资料介绍了JIEJIE MICROELECTRONICS CO., LTD.生产的双向TVS二极管JEB36D3-AU,用于ESD保护。该器件具有低钳位电压、高脉冲功率处理能力等特点,适用于手机、笔记本电脑、服务器等电子设备。

型号- JEB36D3‐AU

11-Dec.-2023  - 捷捷微电  - 数据手册  - Rev.1.0 代理服务 技术支持 采购服务

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描述- 该资料介绍了JIEJIE MICROELECTRONICS CO., LTD.生产的JEB4V5DFP双向TVS二极管,用于静电保护。该器件采用固态硅技术,具有低钳位电压、低漏电流和超低电容等特点,适用于手机、平板电脑、笔记本电脑和网络通信设备等多种便携式电子设备。

型号- JEB4V5DFP

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