【产品】500V/5A的N沟道MOSFET SLP/F5N50S，适合于高效开关模式电源等应用

时间： 2020-03-12 来源：美浦森

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美浦森（Maplesemi）推出的两款N沟道MOSFET SLP5N50S、SLF5N50S，采用美浦森的先进平面条纹DMOS技术生产的。该先进技术经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻，提供出色的开关性能并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。

图1 产品封装图

主要特性：

5A，500V，R_DS(ON)typ =1.12Ω@ V_GS=10V

低栅极电荷（典型值22nC）

高鲁棒性

快速开关

100%雪崩测试

改进的dv/dt能力

表1 最大额定值

表2 热阻值

表3 电气特性

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