【产品】500V/5A的N沟道MOSFET SLP/F5N50S，适合于高效开关模式电源等应用
美浦森（Maplesemi）推出的两款N沟道MOSFET SLP5N50S、SLF5N50S，采用美浦森的先进平面条纹DMOS技术生产的。该先进技术经过特别设计，可最大程度地降低导通电阻，提供出色的开关性能并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。
图1 产品封装图
主要特性：
5A，500V，RDS(ON)typ =1.12Ω@ VGS=10V
低栅极电荷（典型值22nC）
高鲁棒性
快速开关
100%雪崩测试
改进的dv/dt能力
表1 最大额定值
表2 热阻值
表3 电气特性
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产品型号
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品类
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封装
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击穿电压
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正向电流
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导通电阻
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SLD2N65UZ
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N-Channel MOSFET
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TO-252
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BVDSS:650V
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ID:2A
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RDS(ON)TYP：4.3Ω
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选型表 - 美浦森 立即选型
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