【产品】650V增强型氮化镓场效应晶体管INN650D01和INN650D02，助力快充高效高功率密度设计
英诺赛科（Innoscience）的650V GaN产品包括增强型氮化镓场效应晶体管INN650D01和INN650D02。
INN650D01和INN650D02主要是应用于快充等市场，实现高效高功率密度设计。
图1：快充产品Si和GAN技术对比
如上图1所示，同样采用的ACF电路设计条件下，
采用Si MOSFET技术：
45W的快充：功率密度9W/in3，效率91%@90VAC输入，100%负载的情况下。
65W的快充：功率密度10W/in3，效率91%@90VAC输入，100%负载的情况下。
采用GaN技术：
45W的快充：功率密度14W/in3，效率93%@90VAC输入，100%负载的情况下。
65W的快充：功率密度20.5W/in3，效率93%@90VAC输入，100%负载的情况下。
通过对比，相比于传统的Si MOSFET技术，采用GaN技术：
1：在效率上实现2%的提升。
2：在功率密度上45W提升5W/in3，65W更是提升了10.5W/in3。
3：功率密度提升，产品的体积就更加的小型化，45W的体积减小35%，65W的体积相当于减小了1倍。
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