【产品】雪崩耐受性强的碳化硅MOSFET FF06030系列,具有更高的系统效率,允许使用高温应用
即思创意推出的碳化硅MOSFET– Falcon Series FF06030具有快速切换行为的优化 RDS(on),能够与标准栅极驱动器兼容,雪崩耐受性强。其具有更高的系统效率,允许使用高温应用并进行高频操作,可靠性高,符合 RoHS 标准且无卤素。
产品信息:
特点:
具有快速切换行为的优化 RDS(on)
与标准栅极驱动器兼容
干净的开尔文源极开关引脚(4引脚封装型)
8mm的漏极-源极爬电距离(4引脚封装型)
雪崩耐受性强
针对高功率密度应用进行了优化
符合 RoHS 标准且无卤素
优点:
更高的系统效率
增加并行设备的便利性
允许使用高温应用
允许高频操作
实现紧凑和轻量级的系统
可靠性高
潜在应用:
开关电源
PFC&DC/DC转换器
充电站
电机驱动器
可再生能源
电源逆变器
封装图:
TO-247-3L
TO-247-4L
关键性能参数:
最大额定值:(除非另有说明,否则Tj = 25°C)
电气特性:
1 Co(er)是一个固定电容,当VDS从0V上升至400V时,能提供与Coss相同的能量
2 Co(tr)是一个固定电容,当VDS从0V上升至400V时,能提供与Coss相同的充电时间
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由十六翻译自即思创意,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
【元件】瞻芯电子TC3Pak顶部散热封装SiC MOSFET,高频开关、低损耗,助力高效高密电源设计
为了满足高密度的功率变换的需求,瞻芯电子推出2款新型TC3Pak(Topside Cooling D3Pak)顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅(SiC)MOSFET产品,具有低损耗、散热性强等特点,让系统设计更紧凑、更高效,组装时能自动化生产。
【元件】展会直击 | 2.5nH超低电感,爱仕特全新LPD碳化硅模块惊艳亮相PCIM
2024年8月28日,亚洲电力电子行业盛典——PCIM Asia 2024在深圳国际会展中心如期召开,爱仕特在展会现场发布新一代超低电感LPD系列碳化硅功率模块。该模块采用创新封装和三相全桥设计,内置1200V碳化硅MOSFET和热敏电阻,杂散电感低至2.5nH,工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V,工作频率可达30kHz,输出功率可达300kW。
应用笔记 | 纳芯微智能隔离驱动NSI6611的半桥应用和双脉冲测试
纳芯微电子推出的智能高压隔离驱动芯片NSI6611,专为电动汽车电机控制器设计,集成了主动米勒钳位、退饱和检测、欠压保护和软关断等功能,帮助客户打造高性能、高可靠性的电机控制器。本文将从两个层面介绍该产品相关信息:第一部分,NSI6611半桥驱动板;第二部分,基于该驱动板的双脉冲测试。
解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)
当代电子技术的发展不仅需要高效性能,还需要可靠和可持续的解决方案。而SiC MOSFET作为一种新型的功率器件,正在引领着未来能源转型的浪潮。今天,我们要聊的主角是碳化硅MOSFET中的一个关键参数——Rdson,这个参数的优化,就像是在节能减排的长跑中,为我们的电动汽车、可再生能源系统换上了更轻盈的跑鞋。
【应用】瞻芯电子20kW碳化硅三相PFC参考设计
三相PFC是一种高效率大功率无桥功率因数校正电路,本文介绍瞻芯电子的20kW碳化硅三相PFC参考设计,额定功率为20kW,使用1200V/30mΩ SiC MOSFET IV1QXXXXT3,以及专用碳化硅MOSFET驱动IC IVCR1401用于高速桥臂。
即思创意(fastSiC)碳化硅MOSFET和肖特基二极管选型指南
目录- SiC Schottky Diode&SiC MOSFET
型号- FL12190A,FF06100G,FC06008D,FF06100F,FC06006A,FC06008C,FC06008B,FF06100D,FC06008A,FF06320B,FF06320A,FF06030Q,FF17900E,FH06010C,FH06020E-3,FL06320B,FH06020E-2,FL06320A,FC06006D,FC06016C,FC06006C,FF17900Q,FC06010C,FH06004C,FH06006C,FC06002X,FL06150A,FL06320G,FF061K4A,FF12040Q
【元件】瞻芯电子新推TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET,已通过AEC-Q101认证
瞻芯电子正式量产了一款TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)产品(IV1Q12160D7Z),该产品通过了严格的车规级可靠性测试认证(AEC-Q101)。
碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等碳化硅功率器件用于变频空调等白色家电,具备更高的效率、开关频率
碳化硅技术带来了更高的效率,可以减少空调散热器的尺寸和热管理的成本。同时,更高的开关频率可以降低磁性元件的成本和尺寸,实现更高的功率密度。此外,低电磁干扰特性则可以降低电磁干扰滤波器的成本并解决电磁干扰的研发成本。
【经验】浅谈硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大,碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件,主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面。基本半导体自主研发的碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗,提升系统效率,更适合应用于高频电路。
【产品】碳化硅MOSFET FF06320,符合RoHS和无卤素标准,适用于开关电源等领域
FF06320是即思创意推出的碳化硅MOSFET,符合RoHS和无卤素标准。在Tj=25℃的条件下,漏源电压为650V (VGS=0V, ID=100μA),漏源通态电阻为320mΩ (VGS=18V, ID=2A)。可适用于开关电源,功率因数校正,便携式适配器,通信电源,可再生能源,D类放大器领域。
【产品】国产1200V碳化硅 MOSFET,具有低的RDS(ON)
基本半导体(BASiC)碳化硅 MOSFET具有低的RDS(ON),开关性能优良,可提高器件工作效率,减少芯片面积。它们能在更高的开关频率下,通过更低的热损耗实现高效率。这些产品可在电机驱动器、开关电源、太阳能逆变器和UPS等领域广泛使用。
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论