深耕半导体功率器件的国家级高新技术企业——鲁晶(LuJing)
产品亮点:
SIC SBD
电流范围:0.6~100A
电压范围:600~1700V
封装形式:To-220/247/252及DFN
支持单芯或双芯,两种形式的芯片封装,目前在碳化硅肖特基二极管可广泛应用于中高功率领域,可显著的减少电路的损耗,提高电路的工作频率。
SIC MOS
推出650V、1200V,Rds(on)范围:30mΩ-1200mΩ,封装形式以TO220和TO247为主
新一代的碳化硅采用更先进的工艺和耐高温封装材料,MOSFET可以进一步降低器件损耗,提升系统EMI表现
低压MOS(2301系列)
封装类型:SOT-23
电压:-20~60V
栅极漏电流:-4.1~5.8A
导通电阻:0.024~10Ω
工作温度范围:-55~150℃
高压MOS
封装形式:TO-220
电压:600~800V
电流:2~12A
导通电阻:0.65~11.5Ω
工作温度:-55~150℃
肖特基二极管
TO-220/IT0-220/TO263/TO252等封装
电流:10~40A
电压:40~200V
工作温度:-55~150℃
三极管(TIP系列)
封装类型:TO-220
电压:40~100V
电流:3~8A
工作温度范围:-65~150℃
开关二极管
封装:SOD-123/323/523
电流:0.15A
电压:75V
工作温度范围:-55~150℃
稳压管(BZT52C2V4S-75S系列)
封装类型:SOD-123/SOD-323/SOD-523
电流范围:2~5mA
电压范围:2.4~75V
工作温度范围:-55~150℃
光伏二极管
10SQ045/12SQ45/15SQ45
封装类型:R-6
电流:10~15A
电压:45V
反向恢复时间:<20nm
工作温度范围:-55~150℃
TVS
封装类型:SMA、SMB、SMC
反向击穿电压范围:6.4~543V
测试电流:10/1mA
工作温度范围:-55~150℃
稳压电路
封装类型:TO220/SOT-89/TO-92
最大输出电流:1500mA
最大输出电压:35V
工作温度范围:-55~150℃
整流桥(KBP310系列)
封装类型:KBP
电流:3A
电压:1.1V
浪涌电流:60A
工作温度范围:-55~150℃
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型号- S4D05120E,S4D02120A,SDURS30Q60W,1N5819,SDUR60Q60W,S4D02120E,S4D05120G
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