【产品】20~30GHz三阶单片低噪声放大器CHA2193-99F,噪声系数为2dB
UMS推出了一款三阶单片低噪声放大器,产品型号为CHA2193-99F,频率范围是20-30GHz。 该产品采用芯片背面处射频和直流同时接地的方案,能够简化客户的安装使用程序。该产品能够广泛应用在国防及商用通信系统中,目前以芯片形式供应。该产品采用pHEMT工艺制造,栅极长度为0.25微米,金属化孔穿过介质衬底,采用空气桥以及电子束光刻技术。图一为CHA2193-99F的内部电路原理框图。
图一 CHA2193-99F的内部电路原理框图
CHA2193-99F的噪声系数典型值为2.0dB,较低的噪声系数有利于系统取得较好的灵敏度。小信号增益典型值为18dB,相较于同系列的CHA2190,增益提升了20%。由于低噪放通常作为接收链路的第一级有源电路,它的增益提升有助于减小后级链路额噪声对整个系统噪声的贡献,从而减小整体系统的噪声系数。
小信号增益平坦度在20-30GHz的频率范围内为±1dB,在24-26GHz的窄带范围内提升至±0.5dB。产品拥有较好的反向隔离度,在全频带内的典型值为30dB,最小值为25dB。1dB压缩点处的输出功率典型值为8dBm。拥有较好的端口匹配,输入/输出端口的驻波比典型值均为2.0:1,在24-26GHz的窄带频率范围内,提升至典型值1.8:1。功耗小,直流功耗低至60mA@3.5V。
该产品的最大峰值输入功率为+15dBm,栅极电压范围是-2.0V到+0.4V。产品的拥有较宽的工作温度范围,覆盖-40℃到+85℃,贮存温度范围是-55℃到+155℃。芯片的尺寸为2.07×1.03×0.10mm,CHA2193-99F的装配使用图如图二所示。直流偏置电路需要使用旁路电路滤除杂波,同时建议采用直径25微米的金丝引线键合。
图二 CHA2193-99F 的装配使用图
CHA2193-99F的主要特性:
· 频率范围:20-30GHz
· 噪声系数典型值:2dB
· 1dB压缩点功率:8dBm
· 小信号增益典型值:18dB
· 增益平坦度:±1dB(20-30GHz);±0.5dB(24-26GHz)
· 低直流功率耗散:60mA@3.5V
· 芯片尺寸:2.07×1.03×0.10mm
CHA2193-99F的主要应用:
· 国防及商业通信系统
· 微波接收机
· 移动通信系统
· 电子探测设备
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