【选型】PoE安防监控摄像机各模块上的安全防护器件选型推荐
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central) 是世界顶级分立半导体制作商，迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品；与顶级OEM 设计师合作，提供创新解决方案。
下面是Central相关安全防护器件芯片在PoE安防监控摄像机的产品各部分上的应用，包括I/O Protection、uController Function、Motor Drive/Control、PoE Controller和Audio Amp五大部分。
由于POE系统中可用于驱动电源器件(PD)的驱动电流能力有限，因此节能器件的利用是至关重要的。中央半导体公司(Central)提供分布式半导体解决方案，最大限度地减少传输损耗，这极大地帮助工程师提高PD的整体能源效率。
1、I/O Protection
其中I/O Protection可使用3款Central研发的瞬态电压抑制器（TVS）：C4SMAFL58A、1SMB58CA、1.5SMC68CA；其中1.5SMC6.8CA和1.5SMC68CA系列是表面贴装式双向玻璃钝化结瞬态电压抑制器，用于保护电压敏感元件免受高压瞬变，而C4SMAFL58A系列器件是标准SMA瞬态电压抑制器的一种小型替代品，符合现有的行业标准的SMA焊盘布局规范。
2、uController Function
uController Function上推荐了 3款低空闲电流齐纳二极管 (CMOZ5L1、CMOZ12L、CMDZ5L1) 和4款暂态电压抑制器（CFTVS5V0LC、CMO5V0LC、CMATVS3V3、CSMF03V3C）。CMOZ5L1、CMOZ12L和CMDZ5L1齐纳二极管功耗均是250mW，其中CMOZ5L1和CMDZ5L1工作电压是5.1V，CMOZ12L为12V。封装上CMDZ5L1采用较小的SOD-323封装，其余两款均是SOD-523。
4款TVS中，CFTVS5V0LC和CMO5V0LC是5V供电的低电容、小体积的ESD TVS保护器，CMATVS3V3 和CSMF03V3C是3.3V供电的ESD TVS，其中CMATVS3V3具有超低压低泄漏的特点，它封装在节省空间的SOD-923表面贴装外壳中，体积小，响应快，当二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，可有效地保护电子线路中的精密元器件，免受ESD脉冲的损坏；CSMF03V3C系列是一个5线齐纳阵列，采用一个超小型SOT-363封装，这样的设计是为了保护敏感的电子设备，如计算机、网络通信、手机和仪器不受过电压瞬变和静电放电损坏的影响。电压范围是3.3V到36V。
3、Motor Drive/Control
PoE安防监控摄像机中的电机驱动控制可以应用的MOSFET、瞬态电压抑制器和低泄漏二极管如下，CMLDM8005和CMLDM7005均为20V，最大漏源电流为650mA的MOSFET， CMLDM 8005由双P沟道增强模硅MOSFET组成，跟它相对应的是双N沟道的CMLDM7005。可用于负载开关/电平转换，电池充电，升压开关，高速脉冲放大器和驱动器应用。这些MOSFET提供非常低的RDS(ON)和低阈值电压。而CEDM8004和CEDM7002AE则分别是P沟道和N沟道的小型MOSFET，均采用SOT-883L封装，CEDM8004的ESD保护电压达到2kV，同样具有低RDS(ON)和低阈值电压等特点。此外，CEDM7002AE是专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计的2N7002增强模N沟道MOSFET的特殊ESD保护版本。
SOD-523封装的齐纳二极管CMOZ5L1和CMOZ12L因其低功耗，低空闲电流等特性也被应用于此。除了这两款外，还有一款低泄漏二极管CFD4448也不错，采用SOD-882L的小型封装，工作电压达到120V。
4、PoE Controller
以太网电源(POE)控制器用于控制直流电源和数据从电源设备(PSE)到供电设备(PD)的传输。它们在多通道上执行局部放电检测和分类、-48V功率分配和故障保护。这部分可以选择的肖特基式整流器有CBRHDSH1系列和CBRHDSH2系列，其中整流电压有100V和200V两个型号，分别是CBRHDSH1-100和CBRHDSH1-200，整流电流达到1A，如果是需要2A的电流，可以选择CBRHDSH2系列；齐纳二极管可以应用前面提到的CMOZ5L1和CMDZ5L1。
5、Audio Amp
在音频放大领域涉及到了CMLDM7002A和CMLDM8002A两款双沟道N/P管和CMOZ5L1齐纳二极管。CMLDM7002A与CMLDM8002A是专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计的，具备低RDS(on)和低VDS(on)等特点，其中CMLDM8002A是增强型P沟道场效应管，而CMLDM7002A是增强型N沟道场效应管2N7002的一个特殊版本，CMLDM7002AJ采用的是日本的引脚配置规范，而CMLDM7002A采用的是美国的引脚配置规范。总的来说，这两款场效应管都非常适合于做音频放大。
最后，关于更多PoE安防监控摄像机的应用方案可在世强元件电商平台搜索查阅
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Central Semiconductor（中央半导体）场效应管（MOSFET）选型表
目录- MOSFETs
型号- CMLDM7120TG,CMLDM7002AJ,CXDM4060N,CMNDM8001,CXDM4060P,CMKDM8005,CMLDM7003TG,CMLDM8002AJ,CMLDM7005,CMPDM7002AE,CMLDM7484,CMLDM7003,7002A,CTLDM7002AM621H,CMLDM3737,4060P,CMLDM7003JE,4060N,CMRDM3575,CMLDM5757,7003E,CTLDM8002AM621H,CWDM3011N,CMLDM7120G,CMPDM7120G,CWDM3011P,CTLDM304PM832DS,CMLDM8120TG,2N7002,CTLDM7181-M832D,CTLDM8002AM621,CMPDM7002AHC,CDM3-800,CMPDM202PH,CMPDM8120,3011N,303NH,3011P,CMLDM7585,CMPDM8002A,CMLDM8002A,CMRDM7590,CEDM7002AE,CMLM0708A,7002AE,CDM7-600LR,7590,CWDM305PD,CEDM7004VL,CTLDM712021H-M6,CMLDM7005R,6053N,7-700LR,202PH,3-800,CTLDM8120-M832DS,4-600LR,CMPDM303NH,7120,7002,7001,7004,CZDM1003N,7003,CMUDM8004,7005,CMUDM8005,CTLDM303NM832DS,3069N,CTLDM7003-M621,303N,CMLDM7003E,CXDM6053N,7002AHC,7003TG,CMUDM8001,CEDM8001VL,7-650,CXDM1002N,8002A,CTLDM8120-M621H,304P,7120TG,CWDM305ND,CMLDM7003J,CXDM3069N,CEDM7001VL,CDM7-650,CEDM8001,CEDM8004,CMPDM7003,CMPDM302PH,305N,CDM4-650,1002N,302PH,4-650,305P,3737,CEDM7004,CEDM7001,CTLDM7120-M832DS,CWDM305N,CEDM8004VL,5757,CWDM305P,CMPDM7002A,8001,CDM7-700LR,CMUDM7004,1003N,8004,8005,CMUDM7005,CDM4-600LR,CMLDM3757,CMLDM7002A,CMRDM3590,8120,3590,CMNDM7001,CMPDM203NH,CMXDM7002A,8120TG,CTLDM7002AM621,CMLDM8005,7-600LR,203NH,CMUDM7001,CMLDM8120
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