【应用】漏源电压1000V的N沟道功率MOSFET助力辅助电源设计，具有快速开关、高效率、低导通电阻的优势
在电能质量产品中，除了主功率电路外，还需要辅助电源给控制芯片等弱电部分供电。客户辅助电源采用反激电源设计，其中需要高压MOSFET来实现开关功能。客户的产品中母线电压在600V左右，预留余量需要MOS耐压达到1000V、电流达到3A，辅助电源的简单应用电路如下：
本文推荐威兆半导体HCMF5N100H1，HCMF5N100H1是一颗N沟道功率MOSFET，漏源电压1000V，导通电阻2.6Ω，最大漏电流5A。具有快速开关、高效率、低导通电阻等优势，适合辅助电源设计需求。其优势如下：
1、100%雪崩测试，高dv/dt能力，性能优越；
2、导通电阻Rds(on)为2.6Ω，降低导通损耗，提升效率；
3、TO-220F塑封，散热效果更好
综上所述，威兆半导体HCMF5N100H1十分适合辅助电源应用，其封装引脚定义如下：
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