【产品】D2PAK封装环氧模塑可控硅整流器,通态浪涌电流160 A
Central Semi (美国中央半导体公司)是世界顶级分立半导体制造商,它的产品皆可以裸片形式供应,能定制参数,提供SPICE模型、环境数据及ATR数据,还可以定制封装等,能够满足不同用户的各类需求。Central Semi公司其晶闸管产品供应分为四大类:PN单结型晶体管(PN UJT),可编程单结型晶体管(Programmable UJT),可控硅整流器(SCRs)和三端双向可控硅开关元件(TRIACs)。
可控硅整流器(SCRs)系列中就封装方式可分为:SOT封装,DPAK封装和D2PAK封装。CSDD-16M/CSDD-16N是环氧模塑的可控硅整流器(SCRs),产品采用D2PAK封装。D2PAK封装相对拥有较大的反向峰值电压及浪涌电流,可以应用于控制系统和传感电路。CSDD-16M/CSDD-16N采用表面黏着方式安装。当TC=25°C,VD=12V, RL=10Ω时,门极触发电流IGT的典型值为3.4mA,最大值为15mA。VD=12V, RL=10Ω时,门极触发电压VGT值最大为1.5V,典型值则为0.64V。
CSDD-16M/CSDD-16N拥有相同的一些最大额定参数:通态浪涌电流ITSM 为160 A,浪涌电流值较大也是Central Semi推出的可控硅整流器系列采用D2PAK封装产品的特性。工作结温TJ为-40至+125 °C,存储温度Tstg为-40至+150 °C。TC=90°C时,通态电流均方值通态电流有效值IT(RMS)为16A。平均栅极功率损耗栅极平均功率损耗值PG(AV) 为1.0 W。tp=10μs,栅极峰值功率PGM 为40 W。通态电流上升率di/dt为100A/μs。CSDD-16M和CSDD-16N两系列产品有区别的参数为断态重复峰值电压VDRM(反向重复峰值电压 VRRM),CSDD-16M为600V,CSDD-16N为800V。
图一:产品图片
产品特性:
·优异的高温性能
·无噪音
·TC=90°C, 通态电流均方值通态电流有效值IT(RMS):16A
·通态浪涌电流ITSM :160 A
·断态重复峰值电压VDRM(反向重复峰值电压VRRM):CSDD-16M 600V,CSDD-16N 800V
·工作结温TJ:-40~+125 °C,存储温度Tstg:-40~+150 °C
产品应用:
·控制系统
·传感电路
·过电压保护、脉冲发生、电池充电调节
技术顾问:程增木
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