【产品】D2PAK封装环氧模塑可控硅整流器,通态浪涌电流160 A

2017-12-22 Central(世强编辑整理) Kate
可控硅整流器,SCRs,CSDD-16M,CSDD-16N 可控硅整流器,SCRs,CSDD-16M,CSDD-16N 可控硅整流器,SCRs,CSDD-16M,CSDD-16N 可控硅整流器,SCRs,CSDD-16M,CSDD-16N

Central Semi (美国中央半导体公司)是世界顶级分立半导体制造商,它的产品皆可以裸片形式供应,能定制参数,提供SPICE模型、环境数据及ATR数据,还可以定制封装等,能够满足不同用户的各类需求。Central Semi公司其晶闸管产品供应分为四大类:PN单结型晶体管(PN UJT),可编程单结型晶体管(Programmable UJT),可控硅整流器SCRs)和三端双向可控硅开关元件(TRIACs)。

 

可控硅整流器(SCRs)系列中就封装方式可分为:SOT封装,DPAK封装和D2PAK封装。CSDD-16M/CSDD-16N是环氧模塑的可控硅整流器(SCRs),产品采用D2PAK封装。D2PAK封装相对拥有较大的反向峰值电压及浪涌电流,可以应用于控制系统和传感电路。CSDD-16M/CSDD-16N采用表面黏着方式安装。当TC=25°C,VD=12V, RL=10Ω时,门极触发电流IGT的典型值为3.4mA,最大值为15mA。VD=12V, RL=10Ω时,门极触发电压VGT值最大为1.5V,典型值则为0.64V。


CSDD-16M/CSDD-16N拥有相同的一些最大额定参数:通态浪涌电流ITSM 为160 A,浪涌电流值较大也是Central Semi推出的可控硅整流器系列采用D2PAK封装产品的特性。工作结温TJ为-40至+125 °C,存储温度Tstg为-40至+150 °C。TC=90°C时,通态电流均方值通态电流有效值IT(RMS)为16A。平均栅极功率损耗栅极平均功率损耗值PG(AV) 为1.0 W。tp=10μs,栅极峰值功率PGM 为40 W。通态电流上升率di/dt为100A/μs。CSDD-16M和CSDD-16N两系列产品有区别的参数为断态重复峰值电压VDRM(反向重复峰值电压 VRRM),CSDD-16M为600V,CSDD-16N为800V。


图一:产品图片


产品特性

·优异的高温性能

·无噪音

·TC=90°C, 通态电流均方值通态电流有效值IT(RMS):16A

·通态浪涌电流ITSM :160 A

·断态重复峰值电压VDRM(反向重复峰值电压VRRM):CSDD-16M  600V,CSDD-16N  800V

·工作结温TJ:-40~+125 °C,存储温度Tstg:-40~+150 °C

产品应用:

·控制系统

·传感电路

·过电压保护、脉冲发生、电池充电调节


技术顾问:程增木


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  • 游来游去 Lv8. 研究员 2018-06-16
    学习
  • yingqiming Lv7. 资深专家 2018-06-05
    不错
  • 加油小陈 Lv8. 研究员 2018-04-26
    学习
  • watson Lv7. 资深专家 2018-01-27
    不错
  • 用户18396822 Lv8 2018-01-22
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  • 小蛮大人 Lv9. 科学家 2017-12-25
    不错,学习了
  • 用户67900951 Lv5. 技术专家 2017-12-24
    好棒
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型号- 2N2329,2N1599,2N2325,2N2326,2N2327,2N2328,2N1596A,2N1598A,CS39-2D,CS39-4B,2N1595,2N1596,2N2322,CS39-2B,CS39-4D,2N1597,2N2323,2N2326A,CS39-2A,2N1598,2N2324,2N1595A,CS39-4N,2N1599A,CS39-4M,2N1597A

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型号- MCR718,MCR716

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21-January 2013  - CENTRAL SEMICONDUCTOR  - 数据手册  - R2 代理服务 技术支持 采购服务
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品牌:长晶科技

品类:Plastic-Encapsulate Thyristors

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品牌:LITTELFUSE

品类:Thyristors

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品牌:LITTELFUSE

品类:Thyristors

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品牌:LITTELFUSE

品类:Thyristors

价格:¥7.1677

现货: 30

品牌:SLKOR

品类:Standard SCRs

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品牌:SMC

品类:SCRs

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品牌:LITTELFUSE

品类:DISCRETE POWER THYRISTOR

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品牌:LITTELFUSE

品类:DISCRETE POWER THYRISTOR

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品牌:LITTELFUSE

品类:DISCRETE POWER THYRISTOR

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品类:Low Vce(Sat) Transistors

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波导隔离器定制

可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。

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布莫让支持超微型单级/多级、微型单级/多级、超微型 TEC 封装产品定制,最小晶粒高度:0.3 mm; 最小横截面:0.2 mm; 最小节距:0.15 mm;能做到最小尺寸 1mm*1mm, 最高级数可达到 7 级。

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