【产品】用于驱动62mm 1200V/300A SiC MOSFET模块的栅极驱动板,专业恶劣电压环境设计
CISSOID推出的CMT-TIT8243是一款栅极驱动板,针对额定温度为125°C (Ta) 的62毫米碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块进行了优化。该板基于CISSOID HADES 栅极驱动器芯片组,可为汽车和工业应用中的高密度电源转换器设计提供热余量。它支持高频 (>100KHz) 和快速 SiC MOSFET 的开关 (dV/dt>50KV/µs),从而提高效率并减小功率转换器的尺寸和重量。
该板专为恶劣的电压环境而设计,支持驱动隔离电压高达3600V(50Hz,1 分钟)和14mm爬电距离的1200V功率模块。 欠压锁定 (UVLO)、有源米勒钳位 (AMC) 和退饱和检测等保护功能可确保在发生故障事件时安全驱动和可靠保护功率模块。
驱动板外形图
特性
●设计用于驱动62mm 1200V/300A SiC MOSFET模块
●工作温度:-40°C至125°C
●总线电压:最高1200V
●14mm爬电距离/12mm间隙
●隔离电压:3600VAC@50Hz(1分钟)
●>50KV/µs dV/dt 抗扰度
●初级和高压侧之间的寄生电容:10pF
●开关频率高达100kHz
●+20V/-5V(3%精度)栅极驱动电压
●低电感栅极回路设计
●单电源供电:12V~18V
●支持RS422 PWM输入接口
●故障输出引脚支持开漏模式
●具有欠压锁定功能(UVLO)
●可选的板载非重叠波形发生器
●具有抗重叠保护(PWM输入)
●毛刺抑制器(PWM输入)
●具有退饱和保护
●具有栅源短路保护
应用
●非常适合汽车和工业市场
●电机驱动:电动汽车、晶圆厂自动化
●功率逆变器、DC-DC转换器、车载电池充电器(OBC)
●功率转换:不间断电源、风力发电机
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1200V High Temperature (125°C) Half- Bridge SiC MOSFET Gate Driver Datasheet (for Wolfspeed XM3 Power Modules)
型号- CMT0697,CMT-TIT0697A,CMT-TIT0697
1200V/1700V High Temperature (125°C) Half-Bridge SiC MOSFET Gate Driver Datasheet
型号- CMT-TIT8244,CMT-TIT8243,CMT-TIT8243A,CMT-TIT8244A
CISSOID推出高压SiC栅极驱动板,提供高dI/dt、高dV/dt鲁棒性 ,有效保护电源模块
CISSOID提供额定温度为 125°C (Ta) 的高压 SiC 栅极驱动板,针对 62mm 和 XM3 SiC MOSFET 功率模块进行了优化,CMT-TIT8243 用于62mm/1200V 碳化硅功率模块;CMT-TIT8244 用于62mm/1700V 碳化硅功率模块,CMT-TIT0697 用于XM3/1200V 碳化硅功率模块。
BRIEF INTRODUCTION
型号- CMT-TIT2785A,CMT-TIT0697A + CB2,CAB450M12XM3,LIC-STROMBOLI15/40/CHT,CMT-TIT0697A,LIC-EREBUS40,EVK-VOL1088C,EVK-TIT2785A/CHT,LIC-STROMBOLI150,LIC-STROMBOLI350,EVK-VOL1088A,CMT-PLA12300AA+CST7750A1,EVK-VOL1088B,CMT-TIT8402A,CMT-TIT8243A/TIT8244A,EVK-VOL1088A/B/CHT,LIC-VESOVIO30,CMT-TIT8243A/CMT,LIC-STROMBOLI150/350/CHT,LIC-STROMBOLI15,CMT-TIT8244A,LIC-EREBUS40/50/CHT,CST7750A1,CMT-PLA12XXXAA+CST7750A1,LIC-VESOVIO30/CHT,CMT-TIT8243/8244A + BM2,CAS300M12BM2,LIC-STROMBOLI40,CMT-TIT0697A/CMT,CMT-TIT8402A/CMT,CMT-TIT8244A/CMT,CMT-TIT8243A,CMT-PLA12450AA+CST7750A1
1200V/1700V High Temperature (125°C) Half-Bridge SiC MOSFET Gate Driver Preliminary Datasheet
型号- CMT-TIT8244,CMT-TIT8243,CMT-TIT8243A,CMT-TIT8244A
A High Temperature Gate Driver for Half Bridge SiC MOSFET 62mm Power Modules
型号- CAS300M12BM2,CMT-TIT8243
1200V/1700V High Temperature (125°C) Half-Bridge SiC MOSFET Gate Driver
型号- CMT-TIT8244,CMT-TIT8243,CMT-TIT8243A,CMT-TIT8244A
Intelligent Power Modules accelerate transition to SiC-based Electric Motion
型号- CMT-HADES2P,CXT-PLA3SA12600,CMT-TIT8243,CXT-PLA3SA12450,CMT-TIT0697
3-Phase 1200V/450A SiC MOSFET Intelligent Power Module
型号- CXT-PLA3SA12600,CMT-TIT8243,CXT-PLA3SA12450,CMT-TIT0697
三相 1200V SiC MOSFET 智能功率模块
型号- CMT-TIT8243,CXT-PLA3SA12450AA,CXT-PLA3SA12450,CXT-PLA3SA12600AA,CMT-TIT0697
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服务
采用SMT/SMT+DIP封装加工,PCB成品尺寸:50*50~340*500mm,板厚:0.6~3.0mm,最快交期:2~3天。支持1~200片(拼版200片)的PCBA主板贴片。
最小起订量: 1 提交需求>
可加工PCB的尺寸范围:50*50mm~610*508mm,板厚:0.3mm~4.5mm,元件尺寸:最大200*125mm,最小引脚零件间距:0.3mm,最小BGA间距:0.3mm,支持01005 chip件贴装。
最小起订量: 3 提交需求>
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