【产品】100V/150A的N沟道功率MOSFET RUH1H150R，采用先进的HEFETⓇ技术
深圳锐骏半导体股份有限公司推出的RUH1H150R是一款N沟道功率MOSFET，采用先进的HEFETⓇ技术。在VGS=10V，IDS=75A条件下RDS(ON)典型值为3.2mΩ，其漏源击穿电压BVDSS最小值为100V，最大耗散功率为200W@TC=25℃，最大结温为175℃，结到壳的热阻为0.75℃/W，结到环境的热阻为62.5℃/W，采用TO220封装。
产品特征
漏源电压100V，连续漏极电流150A
RDS(ON)典型值3.2mΩ@VGS=10V
先进的HEFETⓇ技术
超低导通电阻
出色的QgxRDS(ON)产品
100%雪崩测试
175℃工作温度
无铅且绿色环保（符合RoHS标准）
产品应用
电机驱动
不间断电源
DC/DC转换器
通用应用
绝对最大额定值
电气参数（TC=25℃，除非另有说明）
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