【产品】亚成微电子推出电流模式PWM控制芯片RM6314DA,使用DIP-8无铅封装,内置高压功率MOSFET
亚成微电子推出的RM6314DA是一颗电流模式PWM控制芯片,使用DIP-8无铅封装,内置高压功率MOSFET,用于功率在15W以内的方案。内置多种保护,包括逐周期限流保护(OCP),过载保护(OLP),过压保护(OVP),VDD过压箝位,欠压保护(UVLO)等,采用抖频技术更好的改善系统的EMI特性和开关的软启动控制。系统的跳频频率设置在音频(20KHz)以上,工作时可以避免系统产生噪音。
特点
符合6级能效标准,在通用交流输入时待机功率<75mW
内置650V高压功率管
4ms软启动用来减少MOSFET上Vds的应力
抖频功能,改善EMI性能
跳频模式,改善轻载效率,减小待机功耗
无噪声工作
固定65KHz开关频率
内置同步斜坡补偿
低启动电流,低工作电流
内置前沿消隐(LEB)功能
保护功能:欠压保护(UVLO)
过热保护(OTP)
逐周期限流保护(OCP)
过载保护(OLP)
过压保护(OVP)
应用领域
AC/DC电源适配器
电路内部结构框图
电气特性参数(Ta=25℃,VDD=16V,除非特别注明)
极限参数
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本文由提灯破云转载自亚成微电子,原文标题为:RM6314DA 内置高压MOSFET、满足6级能效的PWM+PFM控制说明书,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
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产品型号
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品类
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分类
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最大功率(W)
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功率管
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工作频率(kHz)
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封装形式
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应用领域
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RM6820NQL
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开关电源芯片
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副边反馈(SSR)+ZVS
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120W
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内置GaN
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85kHz
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