【应用】国产N沟道增强型场效应晶体管YJG40G10A用于30W开关电源，RDS（ON）典型值仅为14mΩ
开关电源即是控制开关管开通和关断的时间，维持稳定输出电压的一种电源，一般由脉冲宽度调制控制IC和MOSFET构成。在开关电源的二次侧，经次级变压器后，需进行整流才能够输出直流电，简要如下：
开关电源二次侧整流目前为了提升效率，常用同步整流来代替传统的肖特基整流，同步整流则需要用到要求导通阻抗较低的MOSFET，这里推荐扬杰科技的N沟道增强型场效应晶体管YJG40G10A，采用高密度单元设计，漏源电压为100V，漏电流为40A，具有较低RDS（ON），较低的导通阻抗满足开关电源降低损耗的需求。
YJG40G10A应用于开关电源的主要优势如下：
1、具有较低RDS（ON），典型值仅为14mΩ，确保低损耗。
2、SGT MOSFET技术，有助于提升系统效率和功率密度。
3、更好的导通电阻温度特性，显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性。
此外，YJG40G10A还具有出色散热功能的封装，反向恢复时间典型值仅为39.8ns，非常适合于开关电源的应用。综上，YJG40G10A为开关电源的应用提供良好的性能。
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
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Tj(℃）
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Vth_Typ(V)
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Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
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Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
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Grade
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2N7002
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MOSFET
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SOT-23
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Active
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No
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Single
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N
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60
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0.34
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0.35
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±20
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150
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1.5
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1200
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2500
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1300
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3000
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27.5
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2.75
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1.9
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1.6
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Standard
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