【产品】750V/105A N沟道功率MOSFET裸片S4502，静态漏源导通电阻典型值低至13.0mΩ
S4502是ROHM公司最近新推出的一款碳化硅的N沟道功率MOSFET裸片，其漏源电压750V，连续漏极电流105A（TC=100°C，VGS=VGS_on），脉冲漏极电流高达233A（VGS=VGS_on，脉冲宽度≤10μs, 占空比 ≤1%），静态漏源导通电阻典型值低至13.0mΩ(VGS=18V, ID=58A，Tvj=25°C)，[等效]结温最大可达175°C。该产品还具有快速开关速度、快反向恢复、易于并联、驱动简单等特点，非常适用于DC/DC转换器、开关电源、电机驱动等应用场合。
图1 产品内部电路图
产品特点：
●低导通电阻
●快开关速度
●快速反向恢复
●易于并联
●驱动简单
产品应用场合：
●太阳能逆变器
●DC/DC转换器
●开关电源
●感应加热
●电机驱动
绝对最大额定值：（Tc=25℃） 
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由冷暖自知翻译自ROHM，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】120A/80V N沟道功率MOSFET DIT120N08，导通电阻仅4.9mΩ
DIT120N08是Diotec推出的N沟道功率MOSFET ，无铅，符合RoHS，REACH标准，具有低导通电阻，高开关速度，低栅极电荷，高雪崩能量等优点，广泛应用在DC/DC转换器，电源设备，电动工具等领域。
【产品】500V N沟道功率MOSFET，大功率开关电源的理想选择
日本新电元公司推出的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管——P10F50HP2/P13F50HP2/P15F50HP2/P20F50HP2，性能稳定可靠，是设计中大功率开关电源的理想选择。具有高电压、低导通电阻、高切换速度，高雪崩耐久性，高di/dt耐久性等优点。广泛使用于继电器驱动，高速脉冲放大器，驱动器等应用。
【产品】100V/150A的N沟道功率MOSFET RUH1H150R，采用先进的HEFETⓇ技术
锐骏半导体推出的RUH1H150R是一款N沟道功率MOSFET，采用先进的HEFETⓇ技术，RDS(ON)典型值为3.2mΩ，漏源击穿电压最小值为100V，最大耗散功率为200W，最大结温为175℃，结到壳的热阻为0.75℃/W，结到环境的热阻为62.5℃/W，采用TO220封装。
【产品】QFN5×6薄型封装的N沟道功率MOSFET DI008N10PQ， 漏极峰值电流高达20A
Diotec推出型号为DI008N10PQ的N沟道功率MOSFET，器件采用QFN5x6薄型封装，具有低导通电阻和开关速度快等特点，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具，同步整流器以及工业和商业级应用等领域。
【产品】能进行2.5V栅极驱动的N沟道功率MOSFET AP2080Q，可实现低导通电阻和快速开关性能
铨力半导体推出的AP2080Q系列N沟道功率MOSFET采用先进的功率创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种电源应用。
【产品】100V/108A的N沟道功率MOSFET NCEP01T11D，漏源导通电阻低至5.7mΩ
NCE采用超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET NCEP01T11D，无铅，TO-263-2L封装，可提供最高效的高频开关性能。得益于RDS(ON) 和Qg的极低组合，导通和开关功率损耗都被最小化，是高频开关和同步整流的理想选择。
【产品】80V/200A N沟道功率MOSFET BLM04N08，最大漏源导通电阻为4mΩ
BLM04N08是上海贝岭推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，导通电阻小、低栅极电荷，适用于电源开关应用、硬开关和高频电路、不间断电源等。
【产品】集成驱动器的N沟道功率MOSFET XTR20410系列，支持工作温度范围远超于-60℃~+230℃
EASII IC推出的一系列极为灵活的N沟道功率MOSFET XTR20410，器件集成驱动器，专为DC/DC转换器，电机控制和电源切换应用等具有极端可靠性和高温要求的应用而设计。器件旨在通过缩短学习曲线并提供智能且易于使用的功能来降低系统成本并易于采用。器件支持可靠的SMD及通孔外壳封装，也可提供裸片。
【产品】1200V/43A SiC功率MOSFET裸片S4603，静态漏源导通电阻仅36mΩ
S4603是罗姆推出的一款N沟道SiC功率MOSFET裸片；在Tvj=25℃条件下，RDS(on)典型值仅为36mΩ（VGS=18V, ID=21A）；可用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关模式电源、感应加热、电机驱动领域。
【产品】85V/110A N沟道功率MOSFETNCEP85T11，适用于高频开关和同步整流
NCEP85T11是NCE推出的一款基于超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3L封装，可以提供最高效的高频开关性能。得益于RDS(ON)和Qg的极低组合，该器件的导通和开关功率损耗都被最小化，是高频开关和同步整流的理想选择。
【产品】采用DFN3*3封装的N沟道功率MOSFET AP0803QD，导通电阻低至9mΩ
AP0803QD系列是铨力半导体推出的采用创新设计和硅工艺技术的N沟道功率MOSFET，实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。采用DFN3*3封装，为设计者提供了一种极为高效的器件，可广泛用于各种电源应用领域。
【产品】85V/250A的N沟道功率MOSFET NCEP030N85LL，采用TOLL封装，漏源导通电阻低
NCEP030N85LL是NCE推出的一款采用第二代超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET，采用TOLL封装，可以提供最高效的高频开关性能。得益于RDS(ON) 和Qg的极低组合，该器件的导通和开关功率损耗都被最小化，是高频开关和同步整流的理想选择。
【产品】1200V/81A 碳化硅N沟道功率MOSFET裸片S4602，结温高达175℃
S4602是ROHM推出的一款碳化硅N沟道功率MOSFET裸片，漏源电压1200V，连续漏极电流81A，静态漏源导通电阻典型值仅为18mΩ(VGS=18V, ID=42A，Tvj=25°C)，适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源等场合。
【产品】1200V N沟道SiC功率MOSFET SCT4036KE，采用TO-247N封装，可用于太阳能逆变器等领域
最近罗姆（ROHM）公司最近推出了一款TO-247N封装的N沟道SiC功率MOSFET——SCT4036KE，该产品采用无铅电镀，符合RoHS标准。驱动电路简单，易于并联使用，可用于太阳能逆变器，DC/DC转换器，开关电源，感应加热和电机驱动。
【产品】N沟道功率MOSFET NCEP0155K，漏源导通电阻9.2mΩ，连续漏极电流55A
NCEP0155K是NCE推出的一款采用超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET，可以提供最高效的高频开关性能。采用TO-252-2L封装，得益于RDS(ON) 和Qg的极低组合，导通和开关功率损耗都被最小化。
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论