【产品】750V/105A N沟道功率MOSFET裸片S4502,静态漏源导通电阻典型值低至13.0mΩ

2022-05-13 ROHM
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S4502ROHM公司最近新推出的一款碳化硅的N沟道功率MOSFET裸片,其漏源电压750V,连续漏极电流105A(TC=100°C,VGS=VGS_on),脉冲漏极电流高达233A(VGS=VGS_on,脉冲宽度≤10μs, 占空比 ≤1%),静态漏源导通电阻典型值低至13.0mΩ(VGS=18V, ID=58A,Tvj=25°C),[等效]结温最大可达175°C。该产品还具有快速开关速度、快反向恢复、易于并联、驱动简单等特点,非常适用于DC/DC转换器、开关电源、电机驱动等应用场合。

 

图1 产品内部电路图

产品特点:

●低导通电阻

●快开关速度

●快速反向恢复

●易于并联

●驱动简单

 

产品应用场合:

●太阳能逆变器

●DC/DC转换器

●开关电源

●感应加热

●电机驱动

 

绝对最大额定值:(Tc=25℃) 

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