【应用】国产氮化镓场效应晶体管INN650D01实现95.4%效率的小型化100W单C快充设计
100W的单C快充设计中快充主要是用于反激拓扑电路，主要是控制主回路的开关实现变压器的能量转换。INN650D01是英诺赛科650V/130mΩ/16.5A（Tc=25℃）的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。采用该氮化镓场效应晶体管搭配电源IC，相对于普通的电源IC搭配Si MOSFET技术，当频率翻倍至120Khz的情况下可实现高效95.4%的体积减小一半以上的100W单C快充设计。
图1：快充设计的氮化镓INN650D01应用的变压器原边原理图
采用INN650D01的驱动开关参考设计：
原理：
Turn-on过程InnoGaN的Ciss通过左图红色回路曲线充电。
Turn-off过程InnoGaN的Ciss通过右图红色回路曲线放电。
采用INN650D01氮化镓应用原理设计的100W单C快充产品体积非常小。参考的PCBA尺寸可以做到65.5mmX34mmX25.5mm。
图3：100W的单C快充DEMO
100W的单C快充DEMO的实测效率曲线，在230V输入，20V5A输出的情况下，最大效率高达95.4%：
快充的市电输入在90V~275V之间，输入电压越低，产品器件的损耗越高，对应的器件的温升就越高。如此高效的情况下，输入电压90V，输出100W（20V5A），产品参考设计依旧保持低温升。整体温度控制在110℃以内。
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