【应用】国产氮化镓场效应晶体管INN650D01实现95.4%效率的小型化100W单C快充设计
100W的单C快充设计中快充主要是用于反激拓扑电路，主要是控制主回路的开关实现变压器的能量转换。INN650D01是英诺赛科650V/130mΩ/16.5A（Tc=25℃）的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。采用该氮化镓场效应晶体管搭配电源IC，相对于普通的电源IC搭配Si MOSFET技术，当频率翻倍至120Khz的情况下可实现高效95.4%的体积减小一半以上的100W单C快充设计。
图1：快充设计的氮化镓INN650D01应用的变压器原边原理图
采用INN650D01的驱动开关参考设计：
原理：
Turn-on过程InnoGaN的Ciss通过左图红色回路曲线充电。
Turn-off过程InnoGaN的Ciss通过右图红色回路曲线放电。
采用INN650D01氮化镓应用原理设计的100W单C快充产品体积非常小。参考的PCBA尺寸可以做到65.5mmX34mmX25.5mm。
图3：100W的单C快充DEMO
100W的单C快充DEMO的实测效率曲线，在230V输入，20V5A输出的情况下，最大效率高达95.4%：
快充的市电输入在90V~275V之间，输入电压越低，产品器件的损耗越高，对应的器件的温升就越高。如此高效的情况下，输入电压90V，输出100W（20V5A），产品参考设计依旧保持低温升。整体温度控制在110℃以内。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Joshua提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
氮化镓快充完整解决方案：原理图、BOM、设计参考、免费样品
本方案采用GaN FET作为主开关器件，并搭配高效的同步整流IC、低导通损耗的整流桥、高可靠性保险丝和多协议PD控制芯片等器件，实现基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案的产品设计。所有推荐产品均可以提供免费样品，100%保证原厂正品，同时保证提供最具竞争力的代理商价格。
应用方案 发布时间 : 2020-07-30
【应用】基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案
基于Type-C协议的PD快充是目前充电器的优选，传统的PD快充通常采用Si MOS作为主开关器件，其开关频率一般低于100kHz，相应的磁性元件体积较大，整机功率密度和效率较低。针对以上问题，本方案采用GaN FET作为主开关器件，并搭配高效的同步整流IC、低导通损耗的整流桥、高可靠性保险丝和多协议PD控制芯片等器件，实现基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案的产品设计。
应用方案 发布时间 : 2020-04-10
【应用】漏极电压650V的GaN FET INN650TA030AH用于光伏逆变器，导通内阻30mΩ
随着制作工艺要求越来越高，功率管的选择也要求着更高的耐压，更高的开关频率。针对光伏逆变器的应用设计，本文推荐英诺赛科推出的GaN FET INN650TA030AH，漏极电压可达650V，最大漏源电流100A，导通内阻30mΩ。
应用方案 发布时间 : 2023-02-17
【视频】2023年1月12日碳化硅＆氮化镓新技术研讨会
EPC、英诺赛科、西南集成等顶尖厂商带来SiC MOS、GaN FET、车规级SiC二极管等全新产品和技术。
活动 发布时间 : 2023-11-30
GAN器件的应用场合一般有哪些？
GAN FET是新一代高开关频率的功率器件，其开关频率可达到上MHz。通常可以应用在激光雷达、高功率密度AC-DC、DC-DC电源，如手机充电器、通信电源模块等领域。推荐采用EPC或英诺赛科的GaN FET，可参考链接：Innoscience，EPC
技术问答 发布时间 : 2019-11-01
英诺赛科（Innoscience）——世界领先的8英寸硅基氮化镓产业化平台
英诺赛科（Innoscience）创办于2015年12月，是第三代半导体电力电子器件研发与生产的高科技企业。英诺赛科（Innoscience）主要致力于第三代半导体硅基氮化镓功率与射频器件的研发与产业化，并已于2017年底建成了我国首条8英寸硅基氮化镓功率器件的量产线。
品牌简介 发布时间 : 2019-01-16
英诺赛科（Innoscience）高压GaN FET/低压GaN FET/晶圆选型表
描述- 英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。主要产品涵盖从低压到高压（30V-650V）的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。
型号- INN150LA070A,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN100W08,INN040LA015A,INN100W14,INN650D190A,INN650D080B,INN40W08,INN650N500A,INN650D350A,INN040W048A,INN650TA030A,INN650DA190A,INN650DA350A,INN650N260A,INN650DA150A,INN650DA260A,INN100W032A,INN650N150A,INN650TA080A,INN650N140A,INN650N240A
【应用】国产氮化镓场效应晶体管INN650D02实现高效率小型化的65W A+C快充设计
65W的A+C快充设计中快充主要用于反激拓扑电路，控制主回路的开关实现变压器的能量转换。INN650D02是英诺赛科的650V/200mΩ/11A的氮化镓场效应晶体管，采用该氮化镓场效应晶体管在频率120Khz的情况下可实现高效92.3%的小型化65W A+C快充设计。
应用方案 发布时间 : 2020-09-02
英诺赛科连续两年荣获全球最具潜力第三代半导体技术奖，LLC-DCXIBC模块助力数据中心系统效率全面提升
英诺赛科受邀参与IIC高效电源管理及宽禁带半导体技术应用论坛，并被评选为2023年全球电子成就奖-最具潜力第三代半导体技术企业，其InnoGaN助力高频高效高功率密度电源发展，提升数据中心效率。
原厂动态 发布时间 : 2023-11-14
英诺赛科（Innoscience）E-Mode GaN FET选型指南
目录- E-Mode GaN FET
型号- INN100E01,INN60W01,INN650D01,INN650D02,INN40E01,INN40W01,INN100W03,INN40W03,INN40W02,INN100W01,INN100W02
【经验】英诺赛科65W PD快充驱动电路以及PCB layout设计指导
英诺赛科65W PD快充产品中使用650V 130mΩ GaN FET作为主功率开关器件，由于开关频率较高，较快的开关速度势必会带来较高的dv/di,di/dt，需要我们从驱动电路以及PCB layout上做较多考量，本文就驱动电路以及PCB layout设计提出一些建议。
设计经验 发布时间 : 2020-06-20
英诺赛科（Innoscience）INN650D01—650V 增强型氮化镓场效应晶体管 数据手册
描述- INN650D01—650V E-Mode GaN FET Development Datasheet
型号- INN650D01
电子商城
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论