【应用】国产100V N沟道增强型场效应晶体管用于18W手机适配器, 采用DFN3.3X3.3封装
手机适配器,即通常我们所说的充电器,是人们日常生活中必备的产品,目前市面上有不同功率的产品,如下为手机适配器的简要框架:
手机适配器的产品功率根据实际需求各有不同,但是为了方便携带,需求都是越小型化越好,这就要求产品的器件能做到越来越小并且要保证散热良好,比如在适配器的次级整流部分,就有降低功耗保证散热的需求,设计者一般采用同步整流的方式,这就对器件的选择有一定的要求,在这里推荐扬杰科技的100V N沟道增强型场效应晶体管YJQ40G10A,器件采用DFN3.3X3.3封装,散热性能好,利用先进的分离栅沟槽MOSFET技术 ,符合RoHS标准。
如下为器件结构图:
YJQ40G10A用于18W手机适配器的主要优势如下:
1、 器件采用DFN3.3X3.3封装,满足小空间的需求且散热性能好,利用先进的分离栅沟槽MOSFET技术 ,性能优越;
2、 高密度单元设计,实现低漏源导通电阻RDS(ON),降低功耗问题;
3、 VDS耐压100V,ID电流可达40A,完美符合电路功率的设计需求。
此外,YJQ40G10A器件的结温和存储温度范围均为-55~+150℃,可以在严苛的温度环境下工作,确保产品的可靠性,综上,YJQ40G10A用于18W手机适配器是不错的选择。
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品,漏源电压VDSS(V):-100V~900V,漏极电流ID(A):-115~300,耗散功率PD(W):-0.83W~375W;
产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
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Tj(℃)
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Vth_Typ(V)
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Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
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Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
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Grade
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2N7002
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MOSFET
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SOT-23
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Active
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No
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Single
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N
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60
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0.34
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0.35
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±20
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150
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1.5
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1200
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2500
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1300
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3000
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27.5
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2.75
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1.9
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1.6
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Standard
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选型表 - 扬杰科技 立即选型
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现货市场
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提供CE测试服务,通过晶体回路匹配分析,给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳/上海 提交需求>
测试范围:扬兴晶振全系列晶体,通过对晶体回路匹配分析,调整频率、驱动功率和起振能力,解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析,测完如有问题,会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址: 深圳 提交需求>
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