【应用】国产100V N沟道增强型场效应晶体管用于18W手机适配器， 采用DFN3.3X3.3封装
手机适配器，即通常我们所说的充电器，是人们日常生活中必备的产品，目前市面上有不同功率的产品，如下为手机适配器的简要框架：
手机适配器的产品功率根据实际需求各有不同，但是为了方便携带，需求都是越小型化越好，这就要求产品的器件能做到越来越小并且要保证散热良好，比如在适配器的次级整流部分，就有降低功耗保证散热的需求，设计者一般采用同步整流的方式，这就对器件的选择有一定的要求，在这里推荐扬杰科技的100V N沟道增强型场效应晶体管YJQ40G10A，器件采用DFN3.3X3.3封装，散热性能好，利用先进的分离栅沟槽MOSFET技术 ，符合RoHS标准。
如下为器件结构图：
YJQ40G10A用于18W手机适配器的主要优势如下：
1、 器件采用DFN3.3X3.3封装，满足小空间的需求且散热性能好，利用先进的分离栅沟槽MOSFET技术 ，性能优越；
2、 高密度单元设计，实现低漏源导通电阻RDS（ON），降低功耗问题；
3、 VDS耐压100V，ID电流可达40A，完美符合电路功率的设计需求。
此外，YJQ40G10A器件的结温和存储温度范围均为-55~+150℃，可以在严苛的温度环境下工作，确保产品的可靠性，综上，YJQ40G10A用于18W手机适配器是不错的选择。
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
|
Tj(℃）
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
|
3000
|
27.5
|
2.75
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1.9
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1.6
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Standard
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