【经验】扬州国芯反激电源芯片GC2263设计经验分享
![反激电源芯片,GC2263,扬州国芯](https://www.sekorm.com/front/website/images/sekormContent.jpg)
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国芯GC2263是一个高精度PWM控制的反激电源芯片,采用SSR副边光耦反馈控制方式,主要应用于小功率AC/DC充电器和电源适配器中,如输出功率为12V3A。GC2263工作频率可以根据外部电阻进行调节。在轻载或者空载的条件下,芯片进入间歇工作模式,可降低开关损耗,所以其具有较低的待机功耗和较高的转换效率。芯片还具有优良的频率抖动功能和软启动功能,以保护芯片在正常工作时具有良好的EMI特性。GC2263提供了多种有效的保护功能,比如:过流保护(OCP)、过载保护(OLP)、VDD过压钳位和欠压锁定(UVLO)等功能。采用SOT23-6和DIP8封装形式。如下为其典型应用电路图:
如下为该器件应用设计经验:
1、VDD的启动电阻和电容建议不要选值过大,过大的话,可能芯片不能正常启动或者启动延时过大。通常电阻可以选择2M/SMD1206,电容选取10μF/50V。
2、对于输出功率为12V3A的应用,变压器磁芯骨架建议选择PQ2620,可以采用三明治绕法,减小变压器的漏感。
3、Layout方面的建议:大电流环路(输入环路、功率转换环路、输出整流环路)包围的面积应尽可能小,走线要宽。MOS管的驱动信号,检流电阻的检流信号,走线距离越短越好。如图layout可供参考:
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