【经验】扬州国芯反激电源芯片GC2263设计经验分享
国芯GC2263是一个高精度PWM控制的反激电源芯片，采用SSR副边光耦反馈控制方式，主要应用于小功率AC/DC充电器和电源适配器中，如输出功率为12V3A。GC2263工作频率可以根据外部电阻进行调节。在轻载或者空载的条件下，芯片进入间歇工作模式，可降低开关损耗，所以其具有较低的待机功耗和较高的转换效率。芯片还具有优良的频率抖动功能和软启动功能，以保护芯片在正常工作时具有良好的EMI特性。GC2263提供了多种有效的保护功能，比如：过流保护（OCP）、过载保护（OLP）、VDD过压钳位和欠压锁定（UVLO）等功能。采用SOT23-6和DIP8封装形式。如下为其典型应用电路图：
如下为该器件应用设计经验：
1、VDD的启动电阻和电容建议不要选值过大，过大的话，可能芯片不能正常启动或者启动延时过大。通常电阻可以选择2M/SMD1206，电容选取10μF/50V。
2、对于输出功率为12V3A的应用，变压器磁芯骨架建议选择PQ2620，可以采用三明治绕法，减小变压器的漏感。
3、Layout方面的建议：大电流环路（输入环路、功率转换环路、输出整流环路）包围的面积应尽可能小，走线要宽。MOS管的驱动信号，检流电阻的检流信号，走线距离越短越好。如图layout可供参考：
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