【产品】FSS推出针对快充设计的碳化硅MOS管，雪崩能量和短管耐受能力优于氮化镓晶体管

时间： 2022-03-07 来源：即思创意

技术问答

即思创意FSS 针对 USB-PD等快充应用推出一系列高效率的碳化硅MOS管。FSS的碳化硅MOS管拥有与氮化镓晶体管相当的性能参数(Rdson*Qoss)，远优于氮化镓的雪崩能量和短管耐受能力。

即思创意FSS的Falcon系列碳化硅MOS管是小型化高功率密度快充的最佳选择：

1、易于使用。

FSS 的Falcon系列碳化硅MOS 管只需在原有使用氮化镓或超结硅MOS管的方案上进行小幅更动，即可在效率、温度或EMI上取的效能能上的改善。

2、优异的电磁干扰与电磁兼容 EMI/EMC 特性。

3、FSS的Falcon系列碳化硅MOS 管在高频切换下仍保有优秀的 EMI/EMC 特性，使客户的设计能追求最佳效能。

4、极小的输出电荷与输出电容。

FSS 的碳化硅MOS 管的输出电荷(Qoss) 与输出电容Co(tr) 与氮化镓晶体管相当，只有硅超结MOS管的1/7~1/10。

5、优异的高温特性及可操作温度范围。

FSS 的碳化硅MOS 管，可操作的结温范围在 -55℃到 175℃，高于大多数的氮化镓与硅超结MOS管。FSS 的碳化硅MOS管在高温下的导通电阻只比室温增加 20~30%，而氮化镓和硅超结MOS管在高温下导通电阻可增加到室温下的两倍以上。

6、优异的散热性与雪崩能量 (EAS) 耐受度。

碳化硅的热传导率是氮化镓或硅的三倍，热不易累积散热更佳； FSS 的Falcon系列碳化硅MOS 管雪崩能量耐受度可达到第七代硅超结MOS管的5倍，远优于氮化镓 (氮化镓晶体管无雪崩能量耐受能力。)

7、兼容于市面上所有的PWM主控芯片。

FSS的碳化硅MOS 管兼容于市面上所有的PWM主控芯片，不需要额外的闸极驱动器，驱动电路比氮化镓简单，使用更少的外部器件。

8、优秀的反向回复特性。

FSS的碳化硅MOS 管拥有几乎为零且不随温度变化的体二极管反性回复电荷 Qrr，只有硅超结MOS的数十到数百分之一，使用在LLC谐振等桥式电路可以减少死区时间 (deadtime) 改善效率、EMI。

即思创意FSS的Falcon系列碳化硅MOS管用于65W快速充电器：

1、65W的快速充电器采用FSS 的Falcon系列碳化硅MOS 管时，整体成本仅与采用硅超结MOS管的方案相当或略高，明显低于氮化镓。

2、FSS 的Falcon系列碳化硅MOS 管只需要小幅更动就可以取代从硅超结MOS管到氮化镓等各种方案，不需要使用特殊的周边组件或驱动电路。

3、FSS 的Falcon系列碳化硅MOS 管整体所需组件数量低于氮化镓。

4、氮化镓因复杂的驱动方式，对电压、电流突波耐受余量低，对EMI整改和 PCB布局组装要求高，使得生产成本明显高于传统硅超结MOS管方案。

5、FSS 的Falcon系列碳化硅MOS 管耐电磁干扰能力强，对 PCBA Layout 与组装要求与硅相同，低于氮化镓，整体生产组装良率与硅相当。

6、FSS 的Falcon系列碳化硅MOS 管的 EMI 特性优异，客户不需要耗费大量时间解决采用氮化镓方案时经常伴随而来的EMI问题。

即思创意FSS的碳化硅MOS管与氮化镓IC用于准谐振反激电路比较：

1、FSS 的碳化硅MOS管可以使用PWM主控芯片直接驱动 , 需要的外部组件数量少于氮化镓驱动电路，而且因为EMI特性优异，可以减少或省略使用铁氧体磁珠、CDS电容、缓冲电路、EMI滤波器……等周边组件的使用。

2、以下图为例，比较常见的 NCP1342 来驱动FSS的碳化硅MOS管时，只需一颗闸极电阻来调整适当的切换速度，但是在驱动GaN IC时，周边需要添加额外的电阻/电容，齐纳二极管，甚至铁氧体磁珠等，整体电路更加复杂，并增加了失效与外部组件匹配不良之机率。

即思创意Falcon系列碳化硅MOS 管用于快速充电器 – 选型参考：

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