【产品】可用于降噪的导电性高分子电容器TCSOM0J226M8R，漏电流最大仅为13.9μA

时间： 2018-11-24 来源：ROHM

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导电性高分子电容器,超低ESR导电性高分子电容器,TCSOM0J226M8R,ROHM

ROHM公司推出了一款导电性高分子电容器 TCSOM0J226M8R，阴极使用导电聚合物，具有超低ESR特性。小型化、薄型、超大电容量是TCSOM0J226M8R的一大特点，且具有自我修复/自愈功能，能够防止产品失效。该产品比较适合在手机或便携移动设备用于去除噪音。

图1 TCSOM0J226M8R产品示意图

TCSOM0J226M8R导电性高分子电容器额定电压为6.3V，类别电压为5V，浪涌电压为8V。电容值为22uF，其电容容差差为±20%，适合高容量电容场合使用。其工作温度范围较宽，在-55°C~ +105°C之间，能满足工业级温度要求。在25℃、1WV和5min的测试条件下，漏电流仅为13.9μA，电流泄漏造成的危害小。在100KHz的测试频率下，该款电容器的ESR内阻值为300mΩ。

TCSOM0J226M8R采用M规格1608-10 (0603)尺寸封装，其高度最大只有1mm。

图2 TCSOM0J226M8R产品外型尺寸图

TCSOM0J226M8R导电性高分子电容器主要特点：

•阴极使用导电聚合物，具有超低ESR特性

•小型化、薄型、超大容量

•且具有自我修复/自愈功能，能够防止产品失效

•难燃性

TCSOM0J226M8R导电性高分子电容器应用领域：

•手机

•便携移动设备

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TIANCAI3 Lv8. 研究员 2020-06-24

学习
shakencity Lv7. 资深专家 2019-05-23

学习学习

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