【选型】国产MOSFET/IGBT驱动芯片对比TI UCC27517，工作电压更宽，开关损耗更小

【选型】国产MOSFET/IGBT驱动芯片对比TI UCC27511，可P2P替换

IVCR1801S是瞻芯电子推出MOSFET/IGBT驱动芯片，让瞻芯的驱动芯片进口替代系列更加完善。除了相当有竞争力的价格外，拥有与进口品牌相媲美的性能。本文就IVCR1801S与TI UCC27511做对比，让大家在选型过程中有更大的选择范围。

【选型】瞻芯电子MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S与TI UCC27533功能对比，多个参数一致

上海瞻芯电子科技有限公司推出NextDrive®系列Low Side Driver，提供系列非隔离低边驱动IC。​本文将MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S与TI公司UCC27533功能和参数进行对比，以方便有需要研发工程师选型。

【选型】MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S与FAN3100T功能对比，工作电压更宽为4.5~20V

上海瞻芯电子科技有限公司推出NextDrive®系列Low Side Driver，提供系列非隔离低边驱动IC。本文将IVCR1407S与ON公司FAN3100T功能和参数进行对比，以方便有需要研发工程师选型。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

【IC】瞻芯电子全新升级双通道驱动芯片IVCR2504，拉灌电流峰值由4A增加到5A

瞻芯电子推出了一款全新升级的双通道驱动芯片IVCR2504，它延续了经典的IVCR240x系列芯片的高速、安全、紧凑的特点，并将拉灌电流峰值由4A增加到5A，驱动能力更强，且上拉速度更快，也同样兼容高达24V宽幅输入供电，并集成欠压保护功能，能高效、安全地驱动Si MOSFET, IGBT以及GaN功率器件。

【应用】国产IVCR1407SR栅极驱动器用于1kw逆变器，具有更低传播延时、高达4A的拉电流和灌电流能力

在1kw的逆变器设计中，需要采用全桥变换将直流电转换成交流电，而全桥电路则由4颗高压MOS来进行搭建，MOS的驱动往往采用专用的栅极驱动芯片来实现，本文将介绍瞻芯电子IVCR1407SR栅级驱动器在1kw逆变器上的应用。

【应用】超小体积MOS驱动芯片IVCR1801SR助力激光测距雷达设计，低传播延迟≤20ns

本文重点介绍瞻芯电子IVCR1801SR，它是单通道4A峰值拉电流和8A峰值灌电流的高速低侧栅极驱动器，可以高效安全地驱动MOSFET、IGBT以及GaN等功率器件，单通道大电流，高达4A峰值拉电流和8A峰值灌电流，可以用于激光测距雷达的设计。

【应用】国产GaN驱动器IVCR1407SR助力激光雷达发射链路驱动设计，拉、灌电流输出高达4A

激光雷达的应用它是一种对目标物件照射激光脉冲来测量物件的距离的方法，其工作原理是通过GaN的高频开关来激发激光二极管，GaN FET具有更高的脉冲电流，本文重点介绍国产瞻芯电子的GaN驱动器IVCR1407SR助力激光雷达发射链路中GaN的驱动设计。

【应用】瞻芯电子IVCR1801驱动器用于模块电源，工温范围-40到125℃，可提供4A峰值拉/灌电流

本文推荐用瞻芯电子推出的驱动器IVCR1801用于模块电源产品中。该驱动可以高效安全地驱动MOSFET、IGBT以及新兴的宽带隙功率器件，具有低传播延迟以及紧凑的SOT-23封装等特点，温度范围宽达-40℃到125℃，能提供4A峰值拉电流和8A峰值灌电流。