【选型】国产N沟道MOS管TMA10N65HG可PIN-PIN替换安森美FDPF10N60NZ用于全桥电源
全桥式电源一般经常应用于工业电源领域,比如开关电源为控制系统供电,容量从几百瓦到上千瓦不等,针对300V到400V直流输入的全桥式电源,一般需要具有高速开关性能的MOSFET以及耐压600V以上的MOSFET,如图1为MOSFET在全桥电源上的运用原理图。
MOSFET应用于全桥电源,市面上的型号有安森美的650V/10A的N MOS管FDPF10N60NZ,不过由于价格压力、贸易战等因素影响,很多客户会选择一款低成本、供货交期好的国产替代方案,本文重点推荐无锡紫光微的N沟道MOSFET TMA10N65HG,该产品可pin-pin替代FDPF10N60NZ,其典型参数对比如下表所示。
由上主要参数对比表可知TMA10N65HG较安森美FDPF10N60NZ,门极电压高达±30V,可有效抵抗门极电压震荡,其它参数基本一致,总体看来性能更优。
封装以及管脚定义:
综上所述,无锡紫光微的这款N沟道MOSFET TMA10N65HG可以PIN-PIN替代FDPF10N60NZ,同时国产化具有更好的交期和价格优势,是一款非常好的替换产品。
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实验室地址: 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
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