【产品】采用SOP-8封装双沟道增强型功率MOSFET RM4077S8，栅极总电荷Qg典型值仅2.8nC

时间： 2019-11-09 来源：丽正国际

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双沟道增强型功率MOSFE,N沟道增强型功率MOSFE,P沟道增强型功率MOSFE,RM4077S8

RM4077S8是丽正国际推出的一款采用SOP-8封装的双沟道增强型功率MOSFET，具有N型、P型两种产品类型，该器件使用先进的沟槽技术和设计，栅极电荷低，导通电阻小，可用于变换器的高低侧开关、通用半桥结构的高低侧开关，以及DC/DC低电压转换器应用。

图1. 产品内部结构、管脚和封装

产品特性

• N沟道

V_DS =40V,I_D =6.7A

R_DS(ON)< 45mΩ @ V_GS=4.5V

R_DS(ON) < 32mΩ @ V_GS=10V

• P沟道

V_DS =-40V,I_D =-7.2A

R_DS(ON)< 60mΩ @ V_GS=-4.5V

R_DS(ON) < 40mΩ @ V_GS=-10V

• 高功率和优秀的载流能力

• 无铅产品

• 表面贴装

• 栅极总电荷Q_g典型值2.8nC

应用领域

• DC/DC转换

• 电源管理

• 无卤素

绝对最大额定值（T_A=25℃）

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