【选型】为自动驾驶车载多线激光雷达选择车规级eGaN FET EPC2203+EPC2214,助力小型化设计

2020-03-05 EPC
eGaN FET,氮化镓场效应晶体管,EPC2203,EPC2214 eGaN FET,氮化镓场效应晶体管,EPC2203,EPC2214 eGaN FET,氮化镓场效应晶体管,EPC2203,EPC2214 eGaN FET,氮化镓场效应晶体管,EPC2203,EPC2214

激光雷达作为自动驾驶的眼镜,为实现更快度响应、更远距离测量(50m~200m),对系统级的电子器件选型提出更高的要求,其中激光发射链路会选择高功率LD激光二极管(如60W、75W、100W、120W等)、超快响应的功率开关氮化镓场效应晶体管eGaN FET)、eGaN FET专用驱动IC,同时激光接收链路会选择高灵敏度的APD做接收,为满足车载多线(如64线、128线)激光雷达因空间结构有限的问题,选择eGAN FET尺寸要求尽量小,具体选型考虑因素参考如下:

1、 最大漏源电压VDS:LD激光二极管VBUS母线电压一般为60V左右,以GaN选型时通用性以20%降额考量,耐压选择一般75V以上,推荐选择80V耐压的eGaN FET可满足设计需求。

2、 最大脉冲电流IDpulse:这个参数需要匹配LD激光二极管、要实现测量的距离做相应选型,该值越大,可以驱动更高功率的LD激光二极管,更远距离的测距。

3、 更小的尺寸

4、 通过AEC-Q101认证

 

针对如上的设计需求,重点推荐选择EPC氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)EPC2203EPC2214,均采用BGA封装,工作温度范围-40℃~150℃,典型电性参数参考如下图1所示。

图1:EPC的车规级GaN EPC2203和EPC2214典型电性参数

 

推荐选择EPC氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)EPC2203和EPC2214理由如下:

1、最大漏源电压VDS均为80V,可满足耐压的需求;

2、具有足够高脉冲电流,可实现远距离测量;

EPC2203的最大脉冲电流为17A,一般可适用驱动60W、75W的LD激光二极管,测量距离50m的需求;

EPC2214的最大脉冲电流为47A,一般可适用驱动100W、120W的LD激光二极管,测量距离100m的需求,当然在激光接收链路APD具有足够高的灵敏度设计时,也可以实现更远的测距,可满足200m测距的需求,这个涉及到系统级设计。

3、均采用小尺寸BGA封装,非常适用于多线激光雷达PCB板空间有限的设计,可满足小型化设计需求;

4、均通过AEC-Q101认证;

5、车载多线激光雷达市场上有成熟的应用,产品的可靠性得到验证;

6、世强电商平台上有批量备货,可快速支持样品测试和量产服务。

  

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  • lgg Lv7. 资深专家 2020-09-25
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产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
Apr, 2017

选型表  -  EPC 立即选型

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型号- EPC2212,EPC2057,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC2052,EPC2051,EPC2053,EPC9046,EPC9047,EPC90155,EPC2029,EPC9010C,EPC2021,EPC2020,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC9098,EPC9099,ЕPC2218,EPC9092,EPC9093,EPC9050,ЕPC2215,EPC9091,EPC9006C,EPC2036,EPC2010C,EPC9001C,EPC2034C,EPC2032,EPC2031,EPC2033,EPC9061,ΕPC2059,EPC9062,EPC2203,EPC9048C,EPC2202,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9035,EPC2045,EPC90122,EPC90123,EPC9033,EPC90124

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产品型号
品类
最大耐压(V)
持续电流(A)
导通阻抗(mΩ)
导通电荷(nC)
峰值电流(A)
封装(mm)
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
15V
3.4A
30mΩ
0.745nC
28A
BGA 0.85 mm*1.2mm

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品类:Enhancement Mode Power Transistor

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品类:Enhancement Mode Power Transistor

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品类:D-mode GaN FET

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品牌:虹美功率半导体

品类:D-mode GaN FET

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品牌:虹美功率半导体

品类:D-mode GaN FET

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品牌:虹美功率半导体

品类:D-mode GaN FET

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品牌:虹美功率半导体

品类:D-mode GaN FET

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品类:Enhancement Mode Power Transistor

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品牌:英诺赛科

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品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

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品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

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品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥4.7460

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品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

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PD/QC快充测试

满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

实验室地址: 深圳 提交需求>

晶体匹配测试

提供CE测试服务,通过晶体回路匹配分析,给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

实验室地址: 深圳/上海 提交需求>

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