【产品】60V/16A的N沟道功率MOSFET RU60E16L可用于电源管理中

时间： 2022-06-02 来源：锐骏半导体

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锐骏半导体推出的N沟道功率MOSFET RU60E16L，漏源电压60V，连续漏极电流16A（V_GS=10V，Tc=25℃），是一款无铅的绿色环保，且符合RoHS标准的MOSFET。采用了TO252封装形式，可应用于电源管理中。

RU60E16L的特性：

• 60V/16A，

R_{DS (ON)}=60mΩ(Typ.)@V_GS=10V

R_{DS (ON)} =75mΩ(Typ.)@V_GS=4.5V

• 超高密度单元设计

• 支持ESD保护功能

• 可靠且耐用

• 100%雪崩测试

•无铅绿色器件，符合RoHS要求

RU60E16L的应用：

电源管理

RU60E16L的最大额定值参数：

Note：

①脉冲宽度受限于安全工作区

②连续漏极电流值基于可允许的最大结温

③受限于T_Jmax，I_AS=10A，V_DD=48V，R_G=50Ω，T_J=25°C开始

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RU207C	MOSFET	N	N	20	0.5-1.1	6	10	15	SOT23-3