SiC SBD/MOS供应商芯众享授权世强硬创代理，加速国产化替代
研究数据显示，预测从2021至2027年，功率SiC器件市场规模正以34%的CAGR快速增长。到2027年，SiC器件市场增长到60亿美元以上，新能源汽车应用成为SiC市场的最大驱动力。
芯众享（成都）微电子有限公司（下称“芯众享”， 英文名：CORENICS）与世强先进（深圳）科技股份有限公司（下称“世强先进”）签署授权代理分销协议。
双方携手依托全球领先的ToB创新研发及供应服务平台世强硬创，将碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模块、GaN HEMT、碳化硅肖特基二极管、平面栅碳化硅 MOSFET、平面MOSFET、碳化硅MOSFET等全线产品高效触达至下游终端企业。
据了解，芯众享（CORENICS）是一家集第三代半导体功率器件研发、销售及应用系统于一体的高新技术企业。
当前SiC市场主要被知名国际大厂垄断，在国产化替代进程下，该公司已掌握SBD和平面MOS技术并实现部分产品量产，Trench MOS正加速研发，相继推出了SiC SBD、SiC MOSFET、SiC/IGBT模块、GaN HEMT及GaN合封器件等产品。
其中，SiC SBD可以提供优越的开关性能、低功耗、无反向恢复电流以及优异的热性能。产品广泛用于开关SMPS UPS、光伏逆变器、电源开关电路等。
SiC MOSFET实现了更高的开关频率、更低的开关损耗、低导通电阻和小型芯片尺寸确保了较低的电容和栅极电荷，并实现更高阻断电压和雪崩能力。广泛应用于电源、逆变器、电机驱动等电路设计。
GaN组合器件集成了高压驱动Startup FET、控制器与GaNHEMT，采用DFN8*8封装；最小化PCB面积、搭配方便、最佳性价比。应用于USB电源适配器 、手机快速充电、平板适配器、消费电子等。
GaN E-HEMT增强型硅基氮化镓功率晶体管，氮化镓的特性允许大电流，高电压和高开关频率。应用于电源适配器、LED电源驱动、电池快速充电、家用电器电机驱动、工业电源等。
值得一提的是，通过设计和工艺技术攻关，芯众享（CORENICS）已经突破并掌握了SiC SBD/MOS制备6项关键技术，使得SiC SBD及MOS产品具备更小尺寸、更低成本，性能比肩国际巨头甚至更优。
进入世强硬创平台搜索“芯众享”，即可获取芯众享（CORENICS）旗下全线产品资料、进行小批量/大批量采购，同时还有技术问题、技术支持等服务助力企业研发至量产。截至当前，这些产品在新能源汽车、光伏逆变器、充电桩、通信电源、电子产品快充等领域得到深度应用。
本次协议签订，不仅代表着芯众享（CORENICS）可以提供丰富的系列化产品，可以满足客户对不同产品的需求，也进一步更新了世强硬创的产品库，提供更多100%原厂优质的碳化硅产品。世强硬创凭借自身独特的O2O技术分销模式，将产品以不同的渠道触达更多大中小微硬科技企业，赢得市场口碑。
芯众享（成都）微电子有限公司（简称“芯众享”）是一家集第三代半导体功率器件研发、销售及应用系统于一体的高新技术企业。总部位于四川省成都市高新区，并先后设立了深圳营销中心和泉州应用中心，自公司成立以来，已经组建了一支由海归、博士为核心的研发团队，公司与国内知名企业和科研院校先后展开多项技术合作，并与海内外晶圆代工企业建了立战略合作伙伴关系，相继推出了SiC SBD、SiC MOSFET、SiC/IGBT模块、GaN HEMT及GaN合封器件等产品。公司产品广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、充电桩、通信电源、电子产品快充等领域。 查看更多
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小云帆 Lv7. 资深专家 2024-05-29学习了 -
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恋曲 Lv4. 资深工程师 2023-12-08多看看 -
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GPT040M0120HBMX1碳化硅MOSFET
描述- 该资料详细介绍了GPT040M0120HBMX1型碳化硅MOSFET的特性、最大额定值、绝缘特性、热特性、电气特性、动态特性、开关特性、体二极管特性、热敏电阻特性以及典型特性曲线。该产品适用于太阳能逆变器、电动汽车充电、开关电源、电机驱动、能源存储和UPS等领域。
型号- GPT040M0120HBMX1
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