【产品】基于MONOS存储技术的低功耗EEPROM R1EX24016A，写入周期仅5ms
RENESAS新推出EEPROM（电擦写可编程ROM）R1EX24016A，采用先进的MONOS（金属氧化氮氧化硅）存储技术、CMOS工艺和低电压技术制造，待机电流低至2.0μA ，具有高速、低功耗和高可靠性的优点。
R1EX24016A采用1.8V~5.5V电源供电，读取模式电流最大为1.0mA，写入模式电流3.0mA，便于实现低功耗的设计。该元件提供两线制I2C串行总线接口，有效降低用户的设计成本，提高系统运行的可靠性。
R1EX24016A存储容量为16k（2k字×8位），同时支持16字节的页面编程，使得写入操作更加迅速，写入周期仅为5ms，最少保证可写1000k个周期，适合高速的数据存储。时钟频率为400kHz，数据保持时间超过100年，避免了因断电引起的数据丢失，提高数据存储的可靠性。
R1EX24016A提供两种封装类型，分别为SOP-8pin和TSSOP-8pin，适合小型化的设计方案。工作温为-40℃~85℃，产品不含卤素和铅，符合绿色环保的要求。
图1 R1EX24016A封装引脚图
R1EX24016A主要特点：
·单电源1.8 V~5.5 V
·两线串行接口（I2C串行总线）
·时钟频率：400kHz
·功率损耗：
--待机：2.0μA（最大值）
--读取：1.0mA（最大值）
--写入：3.0mA（最大值）
·自动页面写入：16字节/页
·写入周期：5ms
·持续时间：1000k或更多周期（25℃）
·数据保留：大于100年（25℃）
·小型化封装：SOP-8 引脚，TSSOP-8 引脚
·温度范围：-40℃~85℃
·无铅产品（#U0，#S0）
·无卤素产品（#U0）
技术顾问：咸柠
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型号- RMLV1616AGSD-5S2#AA1,R1LP0108E,R1RP0408D-I,RMLV1616A-S,R1LV0108E,RMLV1616AGSA-5U2,RMLV1616A-U,R1LV0216BSB,RMWV6416A SERIES,R1LP0408DSP-5SI#B1,RMWV6416A,RMLV1616AGBG-5S2,RMLV1616A-U SERIES,RMLV1616A-S SERIES,RMLV1616A,R1LV5256E,RMLV1616AGSD-5S2,RMLV1616AGSA-5U2#AA0,RMLV1616AGBG-5U2#AC0,RMLV0408E,RMLV1616AGBG-4U2,RMLV1616AGSA-5U2#KA0,R1LP0408D,RMLV0416E,R1LV1616H SERIES,RMLV1616AGSA-5S2#KA0,R1RP0416D-I,R1RW0408D-I,RMLV0816BGBG,RMLV1616AGSD-5S2#HA1,RMLV1616AGBG-5U2#KC0,RMLV3216A,R1RW0408D-R,R1LV0208BSA,RMLV0816BGSB,R1RW0416DSB-2PI#D1,RMLV1616AGBG-4U2#AC0,RMLV0816BGSA,R1LV5256ESA-5SI#B1,RMLV0808BGSB,RMLV1616AGSA-4U2,RMLV1616AGSA-5S2,RMLV1616AGBG-5S2#AC0,RMLV0816BGSD,R1RP0416D-R,RMLV1616AGBG-5S2#KC0,RMLV1616AGSA-4U2#KA0,RMLV1616AGBG-4U2#KC0,RMLV1616AGSA-4U2#AA0,RMLV0416EGSB-4S2#AA1,RMLV1616AGSA-5S2#AA0,R1LV1616H,R1LP5256E,RMLV0414E,R1RW0416D-I,RMWV3216A,R1RW0416D-R,RMLV3216A SERIES,RMLV1616AGBG-5U2,R1RP0408D-R
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