【经验】SiC肖特基势垒二极管更新换代步履不停,实现了Si-SBD、Si-PND无法攀登的高耐压范围
ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管(以下SiC SBD)的第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压,并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品。本文就SCS3系列的特点、应用范围展望等展开探讨。
2010年ROHM确立SiC功率元器件的一贯制生产体制,并开始SiC-SBD和SiC-MOSFET的量产。当时的情况是SiC-SBD属于在日本国内首创、SiC-MOSFET属于在全球首创。作为SiC功率元器件,SiC SBD在市场上开始流通是在二十世纪初,而SiC MOSFET则仅有5年左右的历史。首先对SiC半导体材料的物理性质稍作说明。
SiC是在热、化学、机械方面都非常稳定的化合物半导体,对于功率元器件来说很重要的参数都非常优异。由于其绝缘击穿场强比Si高约10倍,因此确保耐压所需的膜的施主(donor)浓度高,膜厚可以做到很薄,从而可实现单位面积的电阻非常低的高耐压产品。其效果是可实现高耐压且高速开关性能优异的多数载流子(SBD、MOSFET等)。另外,与Si材料相比,还具有带隙宽约3倍,热导率高约3倍的特点。
相比Si,SiC对于提高可高速开关的多数载流子耐压性能来说是非常有利的半导体材料。下面以以二极管为例详细进行说明。下图是SiC-SBD、Si-SBD、Si-PND的示意图,显示了电流流动的机理。
SiC-SBD和Si-SBD都是肖特基势垒二极管,因此金属与n型半导体间形成的肖特基势垒接触结构基本相同,电流通过多数载流子的移动而流动。之所以SiC-SBD的厚度看起来较薄,是因为如前所述,确保耐压所需的膜厚较薄,因此可实现更低阻值。Si-PND由p型硅和n型硅的结结构组成,多数载流子和少数载流子均有助于导电。
SiC-SBD和Si-SBD都属于通过n型半导体中的多数载流子(电子)作用而工作的多数载流子,因此具有高速开关的特点。而且,SiC-SBD还实现了Si-SBD很难实现的高耐压。Si-SBD在实际应用中耐压极限大概为200V左右,而ROHM已经量产的SiC-SBD产品最高达1700V,并且还正在开发更高耐压的产品。
Si-PND属于少数载流子,可同时实现远超Si-SBD的高耐压和低阻值,但其开关性能劣于多数载流子。Si-PND中提高了开关速度的产品是FRD,然而开关时的恢复特性依然劣于SBD。
下图表示Si-SBD、Si-PND/Si-FRD和SiC-SBD的耐压覆盖范围。SiC-SBD覆盖了Si-PND/FRD的大部分耐压范围,因此将该耐压范围的Si-PND/Si-FRD替换为SiC-SBD,可改善恢复特性,并可在应用上发挥其优势。
SiC-SBD覆盖了Si-SBD无法攀登的高耐压范围,这是与FRD一比高下的范围,但其恢复特性远远优于FRD。下面是SiC-SBD和Si-FRD开关时的恢复特性比较以及两者的温度依赖性比较。
首先,一目了然的是SiC-SBD的恢复特性显著优异。另外,几乎没有温度依赖性。前面针对结构简单介绍过,Si-FRD通过少数载流子作用来实现在低阻值下的ON工作。然而,在OFF时少数载流子贡献于恢复电流,成为应用上的开关损耗。SiC-SBD是多数载流子,因而在原理上没有这项恢复工作。仅流过元器件的结电容带来的恢复电流,几乎没有温度依赖性。
可大幅降低恢复损耗,因此有助于提高设备的效率。另外,恢复电流较小,这有利于降低噪声,减少这些对策部件还可进一步缩减电路规模。除此,正向电压(VF)特性也有与Si-FRD产品的不同之处。看下图会比较容易理解。
此有助于提高设备的Si-SBD的VF温度特性与包括Si-FRD在内的Si-PND不同。Si-FRD随着温度升高电阻下降,VF降低,而SiC-SBD随着温度升高VF也升高。
这个特性有利有弊,当并联使用Si- FRD时,当一端的二极管产生电流偏差时可能会发生热失控,而SiC-SBD的VF升高,可使电流平衡。因此SiC-SBD从可并联连接二极管的角度看具有优势。反之需要注意的是抗浪涌电流性能IFSM逊于Si- FRD这一点。
SiC是非常适合功率元器件的半导体材料,具有优异的特性。作为肖特基势垒二极管时,具有卓越的高速性能,可实现Si-SBD无法匹敌的高耐压元器件。从耐压的角度可与Si-FRD一争高下,但其恢复性能更具优势。高速恢复特性有助于设备的效率提升和应用电路的小型化。ROHM推出的第三代SiC-SBD就是解决该课题的行动之一。第三代产品不仅具备ROHM擅长的低VF特性,还提高了抗浪涌电流性能IFSM,并改善了漏电流IR特性,采用SiC功率元器件的客户有望进一步增加。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由LEA酱的一生转载自ROHM,原文标题为:SiC肖特基势垒二极管更新换代步履不停,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【经验】SiC-SBD(SiC肖特基势垒二极管)与Si二极管的比较
本文从特征高速性和高耐压讲述了SiC-SBD(SiC肖特基势垒二极管)与Si二极管的比较,SiC拥有超过硅10倍的绝缘击穿场强,所以不仅能保持实际应用特性且可耐高压。并展示ROHM推出的1200V耐压SiC-SBD SCS210KG技术规格。
【经验】SiC-SBD(SiC肖特基势垒二极管)与Si-PND的正向电压特性的区别
本文对ROHM推出的SiC肖特基势垒二极管最基本的特性以及SiC-SBD(SiC肖特基势垒二极管)与Si-PND正向电压VF特性的区别进行说明。SiC-SBD的VF随着温度升高而上升,但Si-PND(FRD)的VF是下降的。高温下SiC-SBD的VF上升会使IFSM下降,但不会像VF下降的Si-PND(FRD)那样热失控。SiC-SBD可以说是目前情况下降低VF、最有助于降低损耗的功率二极管。
【经验】罗姆SiC-SBD(SiC肖特基势垒二极管)替代Si-PND/Si-FRD的使用优势
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品,并探讨SiC-SBD的优势。ROHM的SiC-SBD已经发展到第3代。第3代产品的抗浪涌电流特性与漏电流特性得到改善,并进一步降低了第2代达成的低VF。
填料SiC SBD TO-263AB(LPTL)
描述- 本资料详细描述了SiC SBD(碳化硅肖特基二极管)的包装要求,包括包装规格、尺寸、卷带方向、累积节距公差、弯曲半径、卷带材料、失效率、卷盘尺寸、卷带规格、产品代码、数量、标记和包装方式。资料中未提及具体公司和品牌信息。
ROHM(罗姆) SiC(碳化硅)肖特基二极管选型指南(中文)
描述- SiC肖特基势垒二极管(SiC SBD)具有很小的总电荷(Qc),低开关损耗且高速开关工作。因此,它被广泛用于电源的PFC电路中。此外,与硅基快恢复二极管的trr(反向恢复时间)会随温度的升高而增加不同,碳化硅(SiC)器件可保持恒定的特性,从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸,非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。
型号- SCS208AG,SCS206AJ,SCS208AJHR,SCS220KE2,SCS206AG,SCS306AM,SCS304AM,SCS308AJ,SCS205KG,SCS220AE2,SCS308AM,SCS315AG,SCS220KG,SCS315AJ,SCS230KE2,SCS230AE2,SCS220KE2HR,SCS212AJ,SCS210AG,SCS212AG,SCS315AM,SCS210AJ,SCS210KE2HR,SCS320AM,SCS215KG,SCS210KE2,SCS220AE2HR,SCS320AJ,SCS215AJHR,SCS320AG,SCS240KE2HR,SCS240AE2HR,SCS220AJHR,SCS220AJ,SCS212AJHR,SCS220AG,SCS310AM,SCS312AJ,SCS310AJ,SCS312AM,SCS312AG,SCS310AG,SCS215AJ,SCS240KE2,SCS215AG,SCS230KE2HR,SCS240AE2,SCS230AE2HR,SCS304AG,SCS210AJHR,SCS308AG,SCS306AJ,SCS306AG,SCS210KG,SCS304AJ,SCS206AJHR,SCS208AJ
SCS2xxAN(650V) SCS2xxKN(1,200V) 宽爬电距离封装SiC肖特基势垒二极管
描述- ROHM公司推出新型SiC肖特基势垒二极管,采用小型表贴封装,实现宽爬电距离,适用于xEV系统电压提升。产品具有低开关损耗,有助于降低设备功耗。产品包括650V和1,200V两种电压等级,适用于车载和工业设备。
型号- SCS310AM为10A,SCS2XXAN,SCS220ANHR,SCS212ANHR,SCS205KNHR,SCS2XXKNHR,SCS2XXKN,SCS210KNHR,SCS220KNHR,SCS215ANHR,SCS210ANHR,SCS2XXANHR,SCS230ANHR
【元件】采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
ROHM开发出引脚间爬电距离更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管。目前产品阵容中已经拥有适用于车载充电器(OBC)等车载设备应用的“SCS2xxxNHR”8款机型。计划2024年12月再发售8款适用于FA设备和光伏逆变器等工业设备的“SCS2xxxN”。
ROHM SiC肖特基势垒二极管的可靠性试验
进行半导体元器件的评估时,可靠性也是非常重要的因素。JEITA ED-4701是称为“半导体器件的环境和耐久性试验方法”的标准,是用来进行工业及消费电子的半导体评估的试验方法。从文中给出的可靠性数据可以看出,已实施了评估的ROHM的SiC-SBD,在与Si晶体管和IC可靠性试验相同的试验中,确保了充分的可靠性。
【元件】ROHM新推支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管,确保最小5.1mm爬电距离
ROHM开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管(SBD)。新产品去除了以往封装底部的中心引脚,采用了ROHM原创的封装形状,将爬电距离延长至最小5.1mm,约为普通产品的1.3倍。通过确保更长的爬电距离,可以抑制引脚之间的漏电起痕(沿面放电),因此在高电压应用中将器件贴装在电路板上时,无需通过树脂灌封进行绝缘处理。
【产品】提高追求高可靠性第三代SiC-SBD——效率与安全余量
ROHM推出第三代SiC-SBD的亮点在于,高温时的正向电压VF更低、抗浪涌电流性能IFSM更高、反向电流(漏电流)IR更低。SCS3系列改善了第二代的正向电压特性,可进一步提高效率。而且,抗浪涌电流性能提升达2倍以上,对于意外发生的异常问题等具有更高的安全余量。最适用的用途是电源装置,尤其是PFC。
静电放电试验结果(机型)【参考数据】SiC SBD SCS220A
描述- 本资料提供了罗姆公司(ROHM Co., Ltd.)生产的SiC SBD(碳化硅二极管)产品SCS220A*的电静态放电(ESD)测试结果。测试包括机器模型和人体模型两种情况,测量条件分别为C=200 pF、R=0 Ω、Ta=25°C和C=100 pF、R=1.5 kΩ、Ta=25°C、5脉冲。资料中展示了不同输入电压下的累积失效率,并指出数据为特定批次代表性值,不代表最差或保证值。
型号- SCS220A
SiC肖特基势垒二极管
描述- 这份资料主要介绍了多种类型的元器件,包括碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET、全碳化硅功率模块和智能功率模块。资料详细描述了这些元器件的尺寸、封装类型和基本订购单位。此外,还提供了相关产品的图片和包装信息。
ROHM的SIC碳化硅功率模块/MOSFET/SBD/肖特基势垒二极管/栅极驱动器,帮助实现电力的有效利用
ROHM的“全碳化硅”功率模块可最大限度发挥碳化硅的高速性能,将开关损耗最大减少85%;SiC-MOSFET可实现高速开关和低导通电阻,高温下也具备优良的电气特性;SiC-SBD的反向恢复电荷量 (Qrr) 小,可大幅降低开关损耗;内置绝缘元件的栅极驱动器采用碳化硅实现高速工作。
SCH2080KE N沟道SiC功率MOSFET与SiC SBD共封装数据表
描述- 本资料为ROHM公司生产的SCH2080KE型号SiC功率MOSFET的数据手册。该器件是一款N通道碳化硅(SiC)功率MOSFET,与SiC二极管共封装。其主要特点是低导通电阻、快速开关速度和反向恢复时间,适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、感应加热和电机驱动等领域。
型号- SCH2080KE
内置SiC-SBD的SiC-MOSFET产品规格表中记载的二极管规格是体二极管的还是SiC-SBD的?
连接于内部,不能从外部分离出特性。 但是SiC-SBD的VF小,通常使用范围内只在SiC-SBD流过正向电流,因此If-Vf特性、反向恢复特性基本上是SiC-SBD的特性。
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
最小起订量: 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品,尺寸:0.6*0.3mm-3.2*2.7mm,波长:405-940nm,亮度:24-750mcd,电压:1.5-3.5V。
最小起订量: 3000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论